东微半导(688261) 核心观点 公司3Q23归母净利润环比增长8.62%，毛利率筑底。1-3Q23公司营收7.7亿元(YoY-2.55%)，归母净利润1.32亿元(YoY-34.2%)，扣非归母净利润1.18亿元(YoY-37.81%)，毛利率24.69%(YoY-9.03pct)。3Q23单季度营收2.37亿元(YoY-26.84%，QoQ+2.59%)，归母净利润0.32亿元(YoY-62.15%，QoQ+8.62%)，扣非归母净利润0.26亿(YoY-67.41%，QoQ+3.51%)，毛利率18.07%(YoY-16.01pct，QoQ-2.51pct)，受海外龙头竞争、周期下行等因素影响，毛利率回落，预计随代工成本优化，公司毛利率有望企稳后改善。 超结MOS基本盘稳健，TGBT模块产品快速推进。此前1H23公司高压超级结MOSFET营收占比为82.7%，中低压屏蔽栅MOSFET占13.2%，TGBT占2.6%；3Q23超结MOS比例有所增加，中低压MOS占比略有下降。超结MOS作为公司基本盘，性能与规格丰富度行业领先，目前已完成8英寸转12英寸制造平台拓展，成本与性能持续优化；中低压MOS聚焦极限规格进行开发；TGBT产品目前以单管为主，300KW以上的大功率储能IGBT模块进入认证阶段，明年随储能加速渗透有望取得突破性进展。 汽车与工业产品保持增长，户储微逆处去库存阶段静待需求回暖。此前1H23公司光伏领域收入占19%，车载充电机占约23%，直流充电桩占17%，工业及通信占15%，消费、同步整流等其余领域占比为26%；在此基础上3Q23消费电子需求回暖；直流充电桩出货量持续增长，终端客户增速维持在20%-30%左右；车载电子终端客户比亚迪、联合电子、麦格米特等需求稳定，预计未来将随头部客户销量同步提升；此外，9月逆变器出口量环比降幅收窄，欧洲出口量增长，预期明年随库存去化，终端对功率产品需求有望逐步恢复。 1-3Q23研发投入同比增长65.7%，极限规格与新结构产品性能持续优化。基于第四、第五代高压超级结技术，晶圆产出芯片颗数进一步提高，超结MOS性能大幅提升；12英寸TGBT研发及扩产顺利进行，核心规格料号具备量产能力；Si2CMOSFET进入小批量供货阶段；第一代SiCMOSFET研发稳步推进中且自主开发的SiC JBS/MPS产品已实现小批量量产。当前行业竞争加剧，公司高性能产品通过积累有望在长期竞争中逐步脱颖而出。 投资建议：我们看好器件设计与工艺实现的技术能力、高性能产品的多维成长，预计23-25年公司有望实现归母净利润1.64/2.42/3.08亿元(YoY-42.3%/47.6%/27.4%)，对应23-25年PE分别为52/35/28倍，维持“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期，新产品推进不及预期等。

东微半导(688261) 业绩简评 2023年10月30日公司发布2023年三季报，2023年前三季度实现营收7.70亿元，同比-2.55%，实现归母净利润1.32亿元，同比-34.19%；实现扣非后的归母净利润1.18亿元，同比-37.81%。 经营分析 功率器件市场竞争激烈，公司业绩短期承压。3Q23公司实现单季度营收2.37亿元，同比-26.84%，实现归母净利润0.32亿元，同比-62.15%；实现扣非后的归母净利润0.26亿元，同比-67.41%。2023年受国内同行业公司产能过剩的影响，海外龙头厂商重新加大了在中国市场的竞争力度，中低端功率器件市场竞争激烈，由于公司与代工厂价格按年协商，上年度签订的晶圆成本高企叠加当前部分产品价格下行，3Q23年公司综合毛利率进一步下滑至24.69%，较上一年同期较低了9.03pcts。 受下游需求弱复苏的影响，公司加大研发投入力度保持产品结构的差异化。从运营指标来看，根据Wind的数据，3Q23公司存货周转率从1H23的1.76上升至2.41，3Q23公司应收账款周转率从1H23的3.47上升至4.88，各项运营指标持续改善。2023年前三季度公司期间费用有所上升，3Q23期间费用率较上一年全年增长了1.99pcts，3Q23公司销售费用率及管理费用率均较上一年全年略有增长。公司进一步加大新产品与新技术研发投入力度，在碳化硅等新产品的布局上注重技术的差异化和制造能力的稳定性，3Q23公司研发费用率提升至7.77%，产能方面公司持续优化12英寸工艺制程产品布局。 盈利预测、估值与评级 受景气度下行和行业竞争加剧的影响，我们下修公司盈利预测，预计23~25年归母净利润分别为1.82、2.95和4.14亿元，分别同比-36.01%/+62.13%/+40.40%，对应EPS为2.70、4.38和6.15元，股票现价对应PE为31/19/14倍，维持“买入”评级。 风险提示 产品结构单一的风险、供应链管理的风险、新产品研发推广不及预期的风险、限售股解禁的风险。

东微半导(688261) 事件：近日公司发布2023年半年度报告，2023年上半年公司实现营收5.33亿元，同比+14.33%；归母净利润1.00亿元，同比-14.25%；扣非归母净利润0.92亿元，同比-16.43%。2023年第二季度单季度实现营收2.31亿元，同比-11.40%，环比-23.58%；归母净利润0.29亿元，同比-57.98%，环比-59.21%；扣非归母净利润0.25亿元，同比-60.37%，环比-62.61%。 投资要点： 23H1公司营收保持增长，23Q2业绩承压。23Q1公司营收和归母净利润继续保持高速成长，23Q2以来由于功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化，使得23Q2公司营收和归母净利润大幅下滑。由于公司部分产品价格有一定的下行压力，公司23H1毛利率为27.63%，同比下降5.83%，23Q2毛利率环比下降12.44%至20.58%；公司23H1净利率为18.78%，同比下降6.27%，23Q2净利率环比下降12.54%至12.56%。公司持续加大研发投入，23H1研发投入为3943.66万元，同比增长90.28%。 持续聚焦汽车及工业市场，细分市场均衡分布。公司持续聚焦汽车及工业市场，23H1汽车及工业应用收入占营收比重从22年的78.86%提升至逾81%；公司下游细分市场均衡分布在光伏逆变及储能、新能源汽车、充电桩、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，以减小对单一市场及单一产品的依赖性，23H1光伏逆变器领域收入占比逾19%，同比增长逾124%，车载充电机领域收入占比约23%，同比增长约85%，新能源汽车直流充电桩领域收入占比逾17%，同比增长逾14%，各类工业及通信电源领域收入占比约15%，同比减少约19%。 高压超级结MOSFET产品具有差异化竞争优势，营收占比继续提升。公司为国内具有技术创新优势的功率器件企业，高压超级结MOSFET产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，具有较强的差异化竞争优势。公司23H1高压超级结MOSFET营收为4.41亿元，同比增长21.16%，23H1营收占比从22年81.88%提升至82.74%。23H1公司持续扩大高压超级结MOSFET在光伏逆变、储能应用、UPS领域的业务，成功替换IGBT并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势，公司产品已批量出货给客户A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟等公司并应用于储能领域；作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源领域的业务保持高速增长，公司高压超级结MOSFET持续批量出货给客户A、维谛技术、中国长城、宁德时代、阳光电源等公司；在新能源汽车及直流充电桩领域，公司高压超级结MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司。 TGBT产品持续丰富规格，SiC器件业务进展顺利。23H1公司TGBT产品持续丰富规格，目前有476款，批量进入光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业，获得客户一致认可；公司TGBT在12英寸先进工艺制程的研发及扩产顺利进行，随着新产线的扩充及新一代TGBT产品的研发成功12寸核心规格料号产品具备批量生产能力。公司积极布局第三代半导体功率器件，23H1公司开发出SiC二极管，具有自主知识产权的Si2CMOSFET持续出货，进入批量交付阶段。 盈利预测与投资建议。考虑半导体行业仍处于下行周期，功率器件行业竞争加剧，我们下调公司盈利预测，预计公司23-25年归母净利润为2.17/2.88/3.62亿元（原值为3.82/5.07/6.20亿元），对应的EPS为2.30/3.05/3.83元，股票现价对应的PE为39.17/29.51/23.47倍，下调至“增持”投资评级。 风险提示：行业竞争加剧风险；下游需求波动风险；新产品研发进展不及预期风险。

东微半导(688261) 公司 1H23 营收同比增长 14.33%， 毛利率短期承压。 1H23 公司营收 5.33 亿元(YoY+14.33%)， 归母净利润 1.0 亿元(YoY-14.25%)， 扣非归母净利润 0.92亿元(YoY-16.43%)， 毛利率 27.63%(YoY-5.83pct)。 2Q23 单季度营收 2 亿元(YoY-11.4%， QoQ-23.6%)， 归母净利润 0.29 亿元(YoY-58.0%， QoQ-59.2%)，扣 非 归 母 净 利 润 0.25 亿 (YoY-60.4% ， QoQ+62.6%) ， 毛 利 率 20.58%(YoY-12.45pct， QoQ-13.31pct)， 受海外龙头竞争、 周期下行等因素影响，公司毛利率短期承压。 1H23 超结 MOS 同比增长 21%， 中低压屏蔽栅、 TGBT 短期承压。 1H231 公司高压超级结 MOSFET 保持快速增长实现营收 4.41 亿元(YoY+21.16%)； 受市场需求回落中低压屏蔽栅 MOSFET 营收 7060 万元(YoY-16.50%)同比回落；Tri-gate IGBT营收1411万元(YoY-17.52%)短期承压，目前E系列高速TGBT、L 系列 TGBT 实现了国产替代， 300KW 以上的大功率储能 IGBT 进入认证阶段，预计下半年随各系列产品陆续放量 TGBT 收入有望逐季改善。 此外， 细分品类超级硅MOSFE 营收735万元(YoY+984.09%)；SiC器件营收6万元进展迅速。 汽车与工业产品占比超 81%， 车载 OBC 和光伏逆变器快速增长。 1H23 公司光伏逆变器领域收入占 19%(YoY+124%)， 车载充电机占约 23%(YoY+85%)， 新能源汽车直流充电桩占 17%(YoY+14%)， 工业及通信占 15%(YoY-19%)。 在储能领域公司已对客户 A、 昱能科技、 禾迈股份、 爱士惟等公司批量出货， 超级硅 MOSFET 已批量供货中车株洲、 航嘉驰源、 Enphase Energy， 开始进入禾迈股份、 首航新能源、 拓邦股份、 金升阳等客户； 车桩领域， 客户涵盖比亚迪、 凯斯库、 哈曼、 联合电子等公司， 客户数量持续增加。 研发投入同比增长 90%， 器件性能不断提升。 1H23 公司研发投入为 3943 万元， 同比增长 90.28%， 各类产品性能持续升级： 高压超级结 MOSFET 第五代试产成功处于小批量交付阶段。 基于第四、 第五代高压超级结技术， 晶圆产出芯片颗数进一步提高， 性能大幅提升； 12 英寸高压超级结 MOSFET 大规模量产， 200V 系列成功实现试产， TGBT 研发及扩产顺利进行， 核心规格料号具备量产能力； Si2C MOSFET 进入小批量供货阶段。 预计未来随 12 英寸产品放量， 公司产品成本与性能将逐步优化。 投资建议： 我们看好器件设计与工艺实现的技术能力、 高性能产品的多维成长， 预计 23-25 年公司有望实现归母净利润 2.23/3.02/3.64 亿元(YoY-21%/35%/20%)， 对应 23-25 年 PE 分别为 40/30/25 倍， 维持“ 买入” 评级。 风险提示： 下游需求不及预期， 新产品推进不及预期等。

东微半导(688261) 事件：公司发布2023年中报 下游需求调整叠加竞争加剧，23H1业绩不及预期。23H1，公司实现营收5.3亿元，YoY+14%，归母净利润1.0亿元，YoY-14%；23Q2，公司实现营收2.3亿元，YoY-11%，归母净利润0.3亿元，YoY-58%，毛利率20.6%，环比-12pct。23Q2以来，功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整导致供求关系变化，公司产品价格呈现明显下降趋势，因此造成短期业绩承压。 高性能功率器件技术创新引领者，看好长期成长空间。公司重视底层器件结构创新与研发，持续丰富产品矩阵，23H1高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOS/TGBT营收4.4/0.7/0.07/0.14亿元，同比+21%/-17%/+984%/-18%，SiC器件营收6万元，且汽车及工业级应用营收占比已超81%，看好其长期营收稳健增长、盈利能力修复空间。 1）营收第二曲线：公司重视研发，23H1研发费用0.4亿元，同增90%。TGBT、SiC器件有望打开公司成长天花板，TGBT在多个重点客户实现批量供货，更大功率的车用主驱及大功率光伏芯片产品开发成功、客户验证通过；Si2CMOS持续批量出货，第一代SiCMOS研发稳步推进。 2）盈利能力修复可期：公司主营产品从8英寸转12英寸工艺平台的拓展工作已基本完成，同时，公司新一代超级结MOS产品芯片面积减小、性价比提升，未来在工艺优化、技术迭代之下，盈利能力修复可期。 盈利预测与投资评级：公司短期业绩受到功率半导体下游需求调整、市场竞争加剧影响，基于此，我们下调对公司的盈利预测，预计23-25年归母净利润为2.5/3.5/4.6亿元（前次预测值为3.9/5.2/6.7亿元），当前市值对应PE分别为52/37/28倍，维持“买入”评级。 风险提示：代工产能增长不及预期；功率半导体市场竞争加剧的风险；下游需求不及预期的风险。

东微半导(688261) 事件 公司发布2023年半年度报告，报告期内公司实现营业收入5.33亿元，同比增长14.33%；归母净利润1.00亿元，同比减少14.25%；扣非归母净利润9,238.89万元，同比减少16.43%。 投资要点 市场竞争加剧，Q2业绩短期承压。2023年上半年，公司实现营业收入5.33亿元，同比增长14.33%；其中公司高压超级结MOSFET产品营收4.41亿元，yoy+21.16%；中低压屏蔽栅MOSFET产品营收7,060.25万元，yoy-16.50%；TGBT产品营收1,410.82万元,yoy-17.52%；超级硅MOSFET产品营收735.43万元，yoy+984.09%；SiC器件产品（含Si2CMOSFET）营收6.07万元。海外功率半导体龙头厂商加大中国市场竞争力度，公司采取部分调价措施应对，单二季度来看，实现营收2.31亿元，环比下降23.5%，同比下降11.4%，毛利率20.58%，环比下降12.44%。 丰富产品应用领域，拓展客户群体。公司持续发展光伏逆变、储能应用、UPS方面的业务，并在工业电源、新能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G通信和基站电源、工业照明、数据中心服务器电源等领域持续发力，与头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系，其中汽车及工业级应用营收占比超过81%。公司独创器件结构的TGBT新型功率器件持续进入高性能光伏逆变及储能、新能源汽车直流充电桩等高效率电能转换系统应用领域，在多个重点客户实现批量供货。此外，公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了超前布局，在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得了较大的研发进展，其中，Si2CMOSFET持续出货，进入批量交付阶段。 投资建议： 我们预计公司2023-2025归母净利润2.4/3.6/5.3亿元，维持“买入”评级。 风险提示： 技术研发不及预期；行业竞争格局加剧风险；市场需求恢复不及预期。

东微半导(688261) 业绩简评 2023 年 8 月 24 日公司发布 2023 年半年报， 2023 年上半年实现营收 5.33 亿元，同比+14.33%，实现归母净利润 1.00 亿元，同比-14.25%；实现扣非后的归母净利润 0.92 亿元，同比-16.43%。 经营分析 功率器件市场竞争激烈， 2Q23 公司业绩短期承压。 1H23 公司实现营收 5.33 亿元，同比+14.33%；实现归母净利润 1.00 亿元，同比-14.25%；实现扣非后的归母净利润 0.92 亿元，同比-16.43%。2Q23 实现单季度营收 2.31 亿元，同比-11.40%；实现归母净利润0.29 亿元，同比-57.98%，实现扣非后的归母净利润 0.25 亿元，同比-60.37%。 2023 年二季度受国内同行业公司产能过剩的影响，海外龙头厂商重新加大了在中国市场的竞争力度， 中低端功率器件市场竞争激烈，公司部分产品价格有所调整， 1H23 年公司综合毛利率为 27.63%，较上一年同期较低了 5.83 个 pcts。 专注新能源汽车、充电桩和光伏等高景气赛道， 加大研发力度优化产品结构。1H23 车规级和工业级产品占公司主营业务收入 80%左右，其中大部分收入来自光伏逆变器、 OBC 以及充电桩等领域。分产品来看， 1H23 高压超级结 MOS 实现营收 4.41 亿元， 同比+21.16%；中低压屏蔽栅 MOS 实现收入 7,060.25 万元，同比-16.50%； TGBT 实现营收 1,410.82 万元, 同比-17.52%； 超级硅实现收入 735.43 万元， 同比+984.09%； SiC 器件产品实现营收6.07 万元。 1H23 高压超级结 MOS 以及超级硅仍保持相对高速增长，受行业景气度下行和竞争格局变化等因素综合影响，中低压屏蔽栅 MOS 和 TGBT 产品营收同比出现下滑。 公司进一步加大新产品与新技术研发投入力度， 1H23 公司研发费用率提升至 7.4%，产能方面公司持续优化 8 英寸与 12 英寸先进工艺制程产品布局。 盈利预测、估值与评级 受景气度下行和行业竞争加剧的影响，我们下修公司盈利预测， 预计 23~25 年归母净利润分别为 2.57、 3.66 和 5.05 亿元， 分别同比-9.64%/+42.40%/+38.04%， 对应 EPS 为 3.81、 5.43 和 7.50元， 股票现价对应 PE 为 35/25/18 倍， 维持“买入”评级。 风险提示 产品结构单一的风险、供应链管理的风险、新产品研发推广不及预期的风险、限售股解禁的风险

东微半导(688261) 投资要点 高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新，持续丰富产品矩阵，目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT、SiC器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域，以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增，公司营收持续快速增长，22全年、23Q1营收分别为11.2亿元、3.0亿元，同增43%、47%。盈利能力方面，受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响，同时通过数字化手段不断提升运营效率，公司毛利率、净利率持续提升。 MOSFET：高压MOSFET市场快速增长，公司产品性能比肩国际龙头。伴随车载OBC、充电桩等下游高压领域需求增长，高压MOSFET将迎快速增长，根据电子发烧友，2021年全球中低压（<400V）和高压MOSFET（>400V）市场规模分别约71亿美元、42亿美元，21-26年全球中低压、高压MOSFET市场规模CAGR分别约4%、12%。公司超级结MOSFET产品性能国内领先、超级硅MOSFET产品性能国际先进，并持续扩大高压超级结MOSFET在光伏逆变、储能应用、UPS领域的业务，成功替换IGBT并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势，未来有望深度受益下游大客户需求高增长。 IGBT&SiC：新能源市场拉动需求增长，公司积极布局。公司独创Trigate结构IGBT器件，性能国际领先，批量进入光伏逆变及储能、车载充电机、直流充电桩等领域头部客户供应链，并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。22年在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得较大研发进展，其中Si2CMOSFET进入批量生产阶段、首次实现营收，实现对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代。 盈利预测与投资评级：公司是高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。基于此，我们预计公司23-25年归母净利润为3.9/5.2/6.7亿元，当前市值对应PE分别为32.8/24.6/19.0倍，首次覆盖给予“买入”评级。 风险提示：代工产能增长不及预期；功率半导体市场竞争加剧的风险；下游需求不及预期的风险。

东微半导(688261) 事件 东微半导发布2022年年度报告：公司2022年实现营收11.16亿元，同比增长42.74%；实现归母净利润2.84亿元，同比增长93.57%；实现扣非后归母净利润2.68亿元，同比增长90.59%。2023年一季报显示，公司营业收入3.02亿元，同比增长46.93%；归母净利润7112.65万元，同比增长48.98%。 投资要点 22年业绩高速增长，盈利能力进一步提升 2022年，公司实现营业收入11.16亿元，同比增长42.74%。主要系公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，营业收入持续增加，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利；并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系，持续扩大产能。公司2022年盈利能力有所提高，2022年实现毛利率33.96%，同比增长5.24个百分点；受益于规模扩张，销售、财务费用率均较21年同期有所下降，销售费用率由0.96%降至0.84%，财务费用率由-0.76%降至-2.47%；随着经营规模逐渐扩大，职工薪酬、中介服务费、差旅费、招待费增加，管理费用较去年同期增幅较大，发生管理费用2240.30万元，同比增长47.39%。 产品结构不断优化，下游市场均衡分布 公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，技术迭代及产品组合结构进一步优化。2022年高压超级结MOSFET产品实现营业收入9.14亿元，占比81.88%，较2021年同期增长60.77%；中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营收1.56亿元，占比由26.30%下降至13.94%；TGBT产品实现营业收入4461.27万元，占比4.00%；超级硅MOSFET产品实现营收204.29万元，占比0.18%。 公司市场均衡分布在光伏逆变及储能、新能源汽车、充电桩、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场，减小对单一市场及单一产品的依赖性。公司汽车及工业级应用收入占主营业务收入约80%，主要来自新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源、光伏逆变器、车载充电机等领域。细分领域来看，新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收入的比重约15%，较上年同期增长约6%；各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重约15%，较上年同期增长约63%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重约20%，较上年同期增长逾400%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重逾21%，较上年同期增长约500%。 公司持续加大研发投入，超级结MOSFET以及TGBT等产品巩固行业领先地位 公司2022年进一步加大新产品与新技术研发投入力度，研发投入合计5472.73万元，同比增长32.57%。公司持续优化8英寸与12英寸先进工艺制程产品布局，取得较好成效。截至2022年底，公司共计拥有产品规格型号2196余款。其中，高压超级结MOSFET产品（含超级硅MOSFET）1220款，中低压屏蔽栅MOSFET产品816款，TGBT产品160款及多款SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司持续拓展基于自主IGBT专利技术的TGBT产品规格，持续提升产品性能，公司第二代TGBT完成技术开发并进入量产状态，芯片的电流密度得到显著提高。采用第二代TGBT技术的产品实现小规模出货，第三代TGBT技术已经启动技术开发，技术护城河深厚，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。 盈利预测 预测公司2023-2025年收入分别为15.98、22.89、29.58亿元，EPS分别为5.76、7.67、9.74元，当前股价对应PE分别为32.0、24.1、18.9倍，维持“买入”投资评级。 风险提示 行业景气度下行风险、产品研发进度不及预期风险、行业竞争加剧风险、市场需求不及预期的风险等。

东微半导(688261) 核心观点 公司一季度归母净利润同比增长48.98%，业绩增速行业领先。1Q23实现营收3.02亿元(YoY+46.93%，QoQ-7.4%)，归母净利润0.71亿元(YoY+48.98%，QoQ-15.7%)，扣非归母净利润0.67亿元(YoY+42.78%，QoQ-13.1%)，环比变化与往年一季度表现一致；毛利率33.02%(YoY+0.10pct，QoQ-1.52pct)，尽管受代工成本上涨等因素影响一季度毛利率出现阶段性环比回落，但在周期下行情况下仍保持稳定。 1Q23工业级及汽车级占比持续提升，产品应用可调性强。公司的高性能功率器件可用于光储车桩、工业、服务器及通信电源和大功率显示等多个领域并覆盖了各领域头部客户，下游应用占比可随不同领域需求变化动态调配。22年公司工业级与汽车级应用占比为78.86%，其中直流充电桩收入同比增长6%(占15%)、各类工业及通信电源收入同比增长63%(占15%)；光伏逆变器收入同比增长400%(占20%)，车载充电机收入同比增长500%(占比超21%)，1Q23在此基础上持续增加。 优秀的开发能力打开差异化产品圈，产品持续升级带来ASP提升。通过器件底层结构革新，公司能针对难开发且有需求的领域开发一系列差异化产品：针对IGBT高频\低Vcesat等难题，公司开发了E系列高速TGBT产品且批量应用于60kHz频率电源系统，L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外同类产品实现了替代。针对碳化硅缺货且高成本，公司开发出了成本较低且性能可比的硅方碳，该产品可在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、通信电源、服务器电源等多种应用中实现对SiCMOSFET的替换。 展望23-25年，超结MOS将保持稳定增长，TGBT颗粒度逐步变大，硅方碳及超级硅等差异化产品将陆续放量。超结MOS供给端竞争格局友好且公司具备先发优势，未来将保持稳定增长。在产品端，公司在12英寸进行了持续的技术开发，保证了中长期的工艺竞争力。随着TGBT单管与模块产品多维推进，未来TGBT业务颗粒度有望快速长大，成为主要系列产品。此外，硅方碳、超级硅等差异化品类目前在客户端推进顺利，有望陆续在车载OBC、光伏逆变器、高频服务器等领域逐步放量。 投资建议：我们看好器件设计与工艺实现的技术能力、超结MOS的龙头地位及新能源、数据中心等领域的多维成长，预计公司23-25年归母净利润4.05/5.27/6.71亿元(YoY+42.5%/30.1%/27.3%)，对应PE35.6/27.3/21.5倍，维持“买入”评级。 风险提示：新能源发电及汽车需求不及预期，扩产节奏不及预期等。