立昂微(605358) 投资要点 AI拉动重掺需求，加快重掺磷、重掺砷超低阻产品迭代开发。AI需求拉动公司重掺产品增长，公司8寸、12寸重掺低阻硅片，主要配套AI服务器的功率器件与PMIC电源芯片。重掺低阻基材能够有效降低芯片导通电阻、减少功耗发热；相较普通服务器，AI设备供电密度、瞬时工作电流大幅提升，只有重掺低阻方案才能控制导通损耗、改善散热，因此下游订单持续向好。在重掺硅片领域，公司持续巩固领先地位，同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。其中12寸重掺砷、12寸重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术，实现了极高浓度及高均匀性掺杂，衬底电阻率可低至0.001Ω·cm量级，可显著降低功率器件的导通电阻和开关损耗，满足AI服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可，出货量及市场占有率强势攀升；12寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量，广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过，应用于高频滤波器的超高阻抛光片持续增量。 轻掺坚持高端差异化，CIS器件应用领域28nm制程标志性突破。公司以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基，全速推进12寸轻掺硅片的快速上量和新客户拓展。公司12寸轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线，充分发挥深厚的外延工艺技术积淀，着力构建多元化的产品矩阵，区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局，已在逻辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。其中，逻辑电路用轻掺硼外延片，BCD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片等相较于常规轻掺硅片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破，应用于安防监控、手机摄像及医疗检测的CIS外延产品快速上量，特别是适配下一代更高像素CIS器件的渐变外延产品研发成功，国内外头部客户积极验证中。嘉兴金瑞泓的产品定位于28nm先进制程用的12寸轻掺抛光片，产能规划40万片/月，目前月产能15万片已经投产。 功率器件芯片持续提升车规级比重，加速SGT、SJMOS、FRD等高端产品研发量产。公司全面启动车规级产品对标国际标杆工程，建立动态技术对标机制，集中突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗、IGBT开关特性等关键技术瓶颈，新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯片在新能源汽车与工业控制领域实现国产替代。自主搭建的设计代工开发平台获得产业链主流厂商认可，为工业通信、电源管理芯片自主可控提供重要支撑。2025全年完成225款新品开发，其中FRD产品占比20%左右，某重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客户验证，其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化，产品竞争力显著提升。 加快射频和光电芯片产能释放，全力拓展高速VCSEL、GaN-onSiC等高端产品。作为国内较早建成6寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μmE/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。此外，公司开发的6寸GaN-on-SiC晶圆性能已达到国际先进水平，全方位巩固了公司在该领域的核心竞争地位。产能方面，海宁基地一期年产6万片产线进入产量爬坡阶段，已通过多家核心客户审核；2026年将逐步释放新增产能，实现HBT、2DVCSEL、6寸GaN-onSiC等高端产品规模化量产。杭州基地产线效能大幅提升，晶圆入库量及出货量创历史新高。目前两大基地合计年产能15万片，通过协同制造保障客户多样化订单需求，增强抗周期能力与综合盈利能力。 投资建议 我们预计公司2026/2027/2028年分别实现收入50/70/85亿元，归母净利润分别为2.9/7.1/10.6亿元，维持“买入”评级。 风险提示 行业周期波动风险，技术迭代风险，市场竞争风险，人才短缺风险，原材料价格波动风险，存货减值的风险，商誉减值风险。

立昂微(605358) 核心观点 1Q26收入创季度新高，归母净利润扭亏为盈。公司2025年实现收入35.91亿元(YoY+16.12%)，归母净利润-1.42亿元，扣非归母净利润-1.83亿元，亏损幅度同比收窄；毛利率同比提高1.1pct至9.86%；研发费用同比减少11.85%至2.56亿元，研发费率同比下降2.3pct至7.13%。1Q26实现收入9.99亿元(YoY+21.81%，QoQ+5.04%)，创季度历史新高，归母净利润722万元，同环比均扭亏为盈，毛利率为15.56%（YoY+2.5pct，QoQ+10.1pct）。 12英寸半导体硅片1Q26收入同比增长88%，毛利率改善。公司1Q26半导体硅片实现收入7.5亿元（含对立昂微母公司销售0.74亿元），同比增长21.44%，折合6英寸的销量为558.58万片（含对立昂微母公司的销售65.76万片），同比增长22.03%，其中12英寸硅片实现收入3.03亿元，同比增长88.12%，实现销量57.76万片，同比增长44.82%。12英寸硅片产销量的增长、产能利用率的提升使产品单位成本同步下降，在产品结构优化升级和单位成本下降的双重驱动下，公司12英寸硅片业务的毛利率从1Q25的-33.12%提升至6.70%。 1Q26半导体功率器件芯片收入同比下降2.93%，化合物半导体射频和光电芯片收入同比增长92%。公司1Q26半导体功率器件芯片实现收入2.13亿元，同比下降2.93%，销量为52.96万片，同比增长4.34%；化合物半导体射频和光电芯片实现收入1.02亿元，同比增长92.06%，销量为1.33万片，同比增长99.43%，其中VCSEL（垂直腔面发射激光器）芯片收入1775.23万元，同比增长561.04%。 投资建议：维持“优于大市”评级 由于产能爬坡中折旧影响毛利率，我们下调公司2026-2028年归母净利润至1.91/2.89亿元（前值为2.47/3.54亿元），预计2028年归母净利润为4.15亿元，对应2026年4月28日股价的PE分别为137/91/63x，维持“优于大市”评级。 风险提示：新产品研发不及预期；客户验证不及预期；需求不及预期。

立昂微(605358) 核心观点 3Q25收入创季度新高，归母净利润扭亏为盈。公司2025年前三季度实现收入26.40亿元(YoY+15.94%)，归母净利润-1.08亿元(YoY-99%)，扣非归母净利润-1.41亿元(YoY-292%)；毛利率下降2.1pct至11.45%；研发费用同比下降5.20%至1.93亿元，研发费率同比下降1.6pct至7.33%。其中3Q25实现收入9.74亿元(YoY+19.09%，QoQ+15.19%)，创季度历史新高，归母净利润0.19元，同环比均扭亏为盈，毛利率为11.98%（YoY-3.8pct，QoQ+2.7pct）。 前三季度半导体硅片收入同比增长19.66%，12英寸重掺外延片需求旺盛。公司2025年前三季度半导体硅片实现收入19.76亿元（含对立昂微母公司销售2.17亿元），同比增长19.66%，折合6英寸的销量为1453.39万片（含对立昂微母公司的销售196.11万片），同比增长32.54%，其中12英寸硅片销售127.79万片，同比增长69.70%。衢州基地12英寸硅片产能15万片/月，其中12英寸重掺外延片产能10万片/月，轻掺抛光片产能5万片/月，目前正处于快速爬坡阶段，12英寸重掺外延片市场需求旺盛，特别是低电阻产品订单饱满。 前三季度半导体功率器件芯片收入同比下降0.86%，化合物半导体射频和光电芯片收入同比增长6.19%。公司2025年前三季度半导体功率器件芯片实现收入6.34亿元，同比下降0.86%，销量为144.15万片，同比增长10.21%；化合物半导体射频和光电芯片实现收入2.14亿元，同比增长6.19%，因减少负毛利率产品销售，销量同比减少7.86%至2.51万片，其中VCSEL芯片销售0.2万片，同比增长586.94%。 投资建议：维持“中性”评级 由于价格承压及扩产带来的折旧压力，我们下调公司2025-2027年归母净利润至1.09/2.47/3.54亿元（前值为1.81/2.81/3.86亿元），对应2025年10月29日股价的PE分别为223/98/69x，维持“中性”评级。风险提示：新产品研发不及预期；客户验证不及预期；需求不及预期。

立昂微(605358) 事件：公司发布2025年半年度报告。2025年H1公司实现营收16.66亿元（yoy+14.18%），EBITDA（息税折旧摊销前利润）4.63亿元（yoy+14.79%），归母净利润-12702.52万元，较上年同期增亏90.00%，扣非净利润-12610.87万元，较上年同期增亏203.21%。2025Q2公司营收8.45亿元（qoq+3.04%），创出历史新高，归母净利润-4598.94万元，扣非净利润-4485.26万元，相比第一季度分别减亏43.25%和44.80%。2025Q2亏损大幅收窄，公司经营业绩大幅改善。 点评：公司25H1营收同比稳健增长，25Q2盈利承压有所缓解，在半导体市场高景气度+产业链上下游一体化经营模式+技术突破与市场拓展的加持下，公司业绩有望回升。公司25H1营收同比增长主要系：1）半导体硅片营收12.59亿元（yoy+23.21%）;2）经营模式合理：以成熟的半导体硅片业务、半导体功率器件芯片业务带动化合物半导体射频和光电芯片产业，兼顾企业的盈利能力及未来的发展潜力。3）自主创新优势：以技术创新打破壁垒，拓展多元应用场景，快速响应市场需求，推动企业高质量发展。影响2025H1净利润的主要因素主要有：随着公司扩产项目陆续转产，2025H1折旧摊销支出53,313.09万元，同比增加7,371.64万元；基于谨慎性原则，2025H1计提了10,502.13万元的存货跌价准备；2025H1计提了6,697.56万元的可转债利息费用。 国产半导体产业加速崛起，半导体硅片业务增长态势持续向好。2025Q2全球硅晶圆出货量达到3327百万平方英寸，与去年同期相比增长9.6%，与Q1相比增长14.9%。在技术封锁和国际竞争的背景下，中国半导体产业在国产替代与技术创新中加速崛起。公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。产品结构持续优化，大尺寸硅片出货量快速增长，高附加值产品增加明显。公司继续发挥重掺外延片的技术优势，6-8英寸外延片出货量占据国内市场前茅，12英寸逻辑电路用轻掺硼硅片等重点产品已在客户端快速上量。12英寸重掺砷、重掺磷外延片凭借技术优势，订单充足，产能爬坡迅速，其中低阻产品广泛应用于AI服务器的不间断电源。公司半导体硅片业务依托技术突破及市场拓展，销量同比增长38.72%，增幅优于市场表现，增长态势良好。 加速产能布局，形成上下游一体化产业链。业务涵盖包括硅单晶拉制、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片、功率器件芯片、化合物半导体射频和光电芯片等半导体产业链上下游多个生产环节，贯通了从材料到芯片的全链条技术，有利于充分发挥产业链上下游整合的优势，缩短研发验证周期，保障研发设计弹性，在保证盈利水平的同时抵御短期供需冲击、提升业绩稳定性，利于公司稳健经营。产品类型丰富，硅片产品类型实现从6英寸到12英寸、从轻掺到重掺等领域全覆盖，功率器件芯片产品类型包括TMBS、SBD、MOSFET等。半导体硅片、功率器件芯片的产销量名列国内前茅，其中重掺硅片出货量国内领先，光伏用控制芯片占据了全球超30%的市场份额。公司产品种类丰富、层次较高且形成了较大的产销规模，规模效应明显。 技术创新驱动产品矩阵升级，客户合作广度与深度显著提升。掌握一系列独有的硅片控制理论和成套工艺技术及技术诀窍，主持或参与制定了半导体硅材料行业的多项国家标准，拥有数十项发明专利。光伏和电源用沟槽及平面肖特基二极管芯片、车规级FRD芯片、TVS芯片、超结MOS芯片制造技术具有行业先进水平。公司始终坚持高品质标准，在技术上充分满足行业高端客户的要求，与中芯国际、华润微、华虹半导体、比亚迪等众多优质企业建立了长期稳定的供应链关系，在业界形成了较好的品牌效应与强大的市场竞争能力，有助于巩固公司产品的市场头部地位。 投资建议：立昂微依托行业复苏+自主创新+产业链一体化布局，我们预期将会形成规模效应与品牌效应。但公司2025H1仍盈利承压，我们下调预期，预计公司2025/2026/2027年营收由40.05/50.86/62.05亿元下调至37.72/46.26/55.19亿元，预计2025/2026/2027年归母净利润由0.89/1.8/2.73亿元下调至-0.88/0.37/0.74亿元，维持公司“增持”评级。 风险提示：存货减值风险、下游产品销量不及预期、行业竞争加剧、国际贸易摩擦波动、财税政策变动

王敏文,1988年至2001年历任申能股份有限公司投资部经理助理、策划部副经理、经理、董事会秘书、董事;2000年至2006年任申能资产管理公司总经理、董事长;2005年至2007年任申能集团副总经理;2007年至2009年任浙江金瑞泓董事;2010年至今任立昂微董事长。现任本公司第五届董事会董事长,同时担任立昂东芯、海宁东芯、金瑞泓微电子董事长,浙江金瑞泓、嘉兴金瑞泓董事,立昂半导体和金瑞泓半导体执行董事,仙鹤股份董事,仙鹤控股董事长、经理,上海金立方、上海道铭贸易执行董事,上海道铭投资、浙江金象科技、浙江夏王纸业、广西夏王新材料董事,杭州道铭董事长,上海财经大学校董等职务。

陈平人,2002年至2006年任上海宏力半导体制造有限公司副总经理;2009年至2011年任中芯国际集成电路制造有限公司副总经理;2011年至2021年8月任浙江金瑞泓总经理;2015年至今任立昂微董事。现任本公司第五届董事会副董事长、总经理,浙江金瑞泓董事长,嘉兴金瑞泓副董事长、总经理,金瑞泓微电子董事,立昂东芯董事。

凤坤先生:1977年1月出生,中国国籍,浙江大学材料科学与工程学士、MBA硕士。1999年至2010年历任浙江金瑞泓科技股份有限公司班组长、车间主任、计划经理、生产总监;2011年至2023年历任西子电梯集团总裁助理、杭州优迈科技有限公司副总经理、上海贝思特电气有限公司总经理、汇川技术有限公司投资决策委员会助理主任等。2023年至今历任公司副总经理、常务副总经理,现任公司总经理、硅片事业部总经理等职务。

陈平人先生:1955年11月出生,中国国籍,硕士学历,2002年至2006年任上海宏力半导体制造有限公司副总经理;2009年至2011年任中芯国际集成电路制造有限公司副总经理;2011年至2021年8月任浙江金瑞泓总经理;2015年至今任立昂微董事。现任本公司第五届董事会副董事长,浙江金瑞泓董事长,嘉兴金瑞泓总经理,金瑞泓微电子董事,立昂东芯董事,海宁东芯董事,上海碧晶投资咨询有限公司执行董事。曾任杭州立昂微电子股份有限公司总经理。

咸春雷,历任浙江金瑞泓抛光部工程师、经理,上海中芯国际集成电路有限公司九厂生产部主管,本公司工艺部主管、生产制造部经理、生产总监。现任本公司副总经理、公司功率器件事业部总经理、安全总监。

吴能云,1988年至1998年任杭州铁路分局会计师;1998年至1999年任杭州铁路艮山门站总会计师;1999年至2006年任萧甬铁路有限公司总会计师、高级会计师;2006年至2010年任浙江金瑞泓财务总监;2010年至2021年8月任浙江金瑞泓董事、副总经理、财务总监、董事会秘书;2015年至今任立昂微董事、副总经理、财务总监、董事会秘书。现任本公司第五届董事会董事、副总经理、财务总监、董事会秘书,浙江金瑞泓副董事长、董事会秘书、财务总监,立昂东芯董事,海宁东芯董事,衢州金瑞泓、金瑞泓微电子、嘉兴金瑞泓、金瑞泓昂芯、金瑞泓半导体、立昂半导体财务总监,宁波泓和瑞企业管理有限公司执行董事、经理,宁波泓富瑞企业管理有限公司监事。

汪耀祖,化合物半导体器件与制造工艺技术、设备与工艺集成方面的资深专家。1998年至2015年任职安利吉公司,先后担任高级工程师、项目经理、资深首席工程师等职务。现任本公司副总经理,立昂东芯董事、总经理,海宁东芯董事、总经理,杭州耀高科技有限公司执行董事、经理,为公司核心技术人员。

凤坤先生:1977年1月出生,中国国籍,浙江大学材料科学与工程学士、MBA硕士。1999年至2010年历任浙江金瑞泓科技股份有限公司班组长、车间主任、计划经理、生产总监;2011年至2023年历任西子电梯集团总裁助理、杭州优迈科技有限公司副总经理、上海贝思特电气有限公司总经理、汇川技术有限公司投资决策委员会助理主任等。现任硅片事业部总经理等职务。曾任杭州立昂微电子股份有限公司副总经理。

田达晰,1988年8月至1996年9月任湖南建材高等专科学校教师;1999年至2002年9月任浙江大学硅材料国家重点实验室教师;2002年9月至2021年6月任浙江金瑞泓技术负责人,作为技术负责人完成国家科技重大专项“200mm硅片研发与产业化及300mm硅片关键技术研究”项目。曾获2019年度国家技术发明奖二等奖、获评宁波市杰出人才。现任本公司副总经理、浙江金瑞泓副董事长、衢州金瑞泓总经理、金瑞泓微电子董事兼总经理。

王哲琪,2015年9月至2022年7月任东方证券承销保荐有限公司业务副总监,现任上海道铭投资控股有限公司财务总监,杭州道铭董事,上海金立方企业发展有限公司监事,上海雪拉同投资有限公司董事,本公司第五届董事会董事。