长鑫科技(688825) 投资要点 投资逻辑：1、AI算力建设浪潮带动服务器DRAM需求端爆发式增长，供给端新产能扩产周期较长，HBM及高容量服务器产品占用晶圆资源，行业供给弹性有限。需求爆发叠加供给刚性，存储价格端持续上行，DRAM迎来超级成长周期。2、长鑫科技是国产DRAM龙头，公司2025Q4按销售额统计的全球DRAM市场份额达到7.67%，位居全球第四、中国第一，将充分受益于本轮存储大周期。公司2026H1实现营业收入1503.10亿元，归母净利润776.05亿元，业绩实现爆发式增长。3、展望未来，公司上市募资积极扩产，并推动高代际产品迭代，逐步缩小与海外龙头的制程差距，通过积极布局中高端产品抢占国内市场，国产替代空间广阔，长期成长路径清晰。 行业情况：AI浪潮拉动DRAM需求大爆发，长鑫份额有望持续提升。1、AI服务器需求增长带动DRAM市场扩容。Omdia预计全球DRAM市场规模将由2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，2025-2030年复合增速约30.56%；同期服务器DRAM需求占比预计由约50.00%提升至71.00%，成为行业需求增长的核心来源。2、高壁垒铸就寡头垄断格局，长鑫份额有望持续提升。2026Q1三星、SK海力士、美光合计占全球DRAM销售额合计90%，呈现出显著的寡头竞争格局。由于扩产较慢叠加晶圆及先进工艺资源向HBM和高容量服务器产品倾斜，标准型DRAM供给受到结构性约束，供需处在较为紧张的态势。3、国内需求规模庞大，国产替代空间广阔。2024年中国DRAM市场规模约250亿美元，占全球市场超过四分之一，但本土品牌产品自给率仍较低；伴随着长鑫的全面崛起，国产替代趋势明确。 公司优势：技术迭代与产品升级协同，规模制造支撑商业化。1、持续研发投入支撑工艺平台迭代。公司采取跳代研发策略，已完成从第一代至第四代工艺技术平台的量产及升级，第五代平台处于客户认证阶段。2023-2026H1研发投入累计约274.65亿元，形成持续的技术和产品储备。2、高代际产品覆盖主要应用市场。公司已形成DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等高代际产品体系，以及RDIMM、MRDIMM等多类型服务器模组，覆盖移动设备、服务器和个人电脑等市场，并持续向高容量、高性能规格延伸。3、公司拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，自主掌握芯片设计、晶圆制造及晶圆测试等核心前道环节，并已进入头部终端客户供应链。随着产线利用率提升、产品单位成本下降，规模效应持续释放。 盈利预测：预计公司2026-2028年公司归母净利润分别为1916亿元、3319亿元和4299亿元，对应PE分别为20倍、12倍、9倍。长鑫科技是国产DRAM龙头，将充分受益于本轮存储大周期。 风险提示：DRAM价格大幅波动风险；AI及服务器需求不及预期风险；技术研发及客户认证不及预期风险；产能扩张与折旧压力风险。

长鑫科技(688825) 结论与建议： 公司交出靓丽中报，1H26营收增长874%，扣非后净利润788亿元，大幅扭亏，净利率超50%。反应在全球Dram超级周期中，公司盈利弹性巨大。 作为中国第一、全球第四的DRAM制造商，长鑫科技是IC产业国产替代的重要环节。中国作为全球最大的DRAM消费国，AI产业亦极度依赖DRAM、HBM产业，公司几乎承担国产Dram保障的所有重担，拥有巨大的进口替代空间。目前股价对应2026-28年PE分别为51倍、47倍和38倍，考虑半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 1H26净利润大幅扭亏，超出市场预期：2026年上半年公司实现营业收入1503亿元，YOY增长874%；实现归母净利润776亿元，较去年同期亏损23.32亿元大幅扭亏；扣非后归母净利润788亿元，亦较去年同期亏损23.87亿元显著改善，EPS1.29元。其中，第2季度单季公司实现营业收入995亿元，归母净利润528.4亿元，环比一季度增长113%，单季度盈利规模创历史最佳。公司2Q26业绩超市场预期。1H26公司业绩爆发式增长，核心驱动来自全球DRAM超级景气周期。受北美AI数据中心大规模投建及全球主要厂商产能调配影响，DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续大幅上涨，公司主要产品量价齐升。公司综合毛利率高达84.84%，净利率超50%，盈利能力达到全球半导体行业顶尖水平 盈利预测：展望未来，全球DRAM供给紧缺格局预计延续至2028年二季度，下半年内存价格有望继续环比上涨。公司作为国内唯一采用IDM模式实现DRAM大规模量产的上市企业，技术迭代与产能扩张持续推进，国产替代空间巨大。我们预计公司2026-28年实现净利润1997亿元、3103亿元和3691亿元，YOY分别增长105倍、55%和19%，EPS分别为2.94元、4.57元和5.44元，目前股价对应2026-28年PE分别为20倍、13倍和11倍，给予买进的评级。 风险提示：AI需求下降。

长鑫科技(688825) 投资要点： 长鑫科技是中国第一、全球第四大DRAM一体化供应商，2026Q1全球DRAM市场份额7.7%，份额持续提升。依托合肥地方产业资本与国家集成电路大基金支持，公司实现DRAM全产业链自主可控。2025年公司营收617.99亿元，同比增长155.60%；归母净利润18.75亿元，同比增长126.24%，经营实现扭亏。 AI算力带动需求扩张，存储产业迎来发展新机遇。1）复盘存储历史周期，历史几轮上行行情分别由PC普及、智能手机迭代、线上经济需求拉动；本轮在AI算力需求拉动之下，存储价格维持上行通道。我们判断，本轮存储高景气有望贯穿2026全年。2）全球DRAM市场规模高速扩张。据Omdia数据，2025年市场规模达1505亿美元；AI服务器单台DRAM搭载量为传统通用服务器的8-10倍，配套HBM成长空间广阔。3）全球DRAM市场格局高度集中。Samsung、SKhynix、Micron三家合计占据九成以上份额，长鑫科技是国内唯一可大规模量产DRAM的企业，国产替代空间广阔。在行业需求扩张、存储芯片涨价的背景下，公司2026Q1业绩爆发，实现营收508.00亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。 HBM技术持续突破，产品结构优化打开存储ASP上行空间，公司业绩具备长期增长潜力。1）技术制程稳步追赶国际龙头，长鑫持续缩小与Samsung、SKhynix、Micron的技术代差，目前已实现G4工艺规模化量产，同步推进G5先进制程研发。2）高端存储产品布局加速落地，公司已完成HBM2/HBM2E样品验证，在研HBM3/HBM3E新一代高端存储产品，计划2026年推进小批量试产，完善AI算力配套高端存储矩阵。2026Q1Samsung、SKhynix、Micron单Gb均价分别达1.02、1.24、1.10美元；相较之下，公司当前服务器等高附加值存储营收占比偏低，整体存储均价与海外龙头存在显著差距。我们认为，随着DDR5、HBM等高溢价产品持续放量，公司产品结构将持续优化，带动整体存储均价稳步抬升。 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2026-2028年营业收入分别为2796.17/4277.58/6077.16亿元，同比增加352.46%/52.98%/42.07%；归母净利润分别为1412.70/2413.40/3498.13亿元，对应当前股价PE分别为27.25/15.95/11.00x。公司作为国内存储领域核心标的，有望充分受益存储芯片价格上行周期，同时把握AI算力产业带来的长期需求红利。 风险提示：1）长鑫科技存储工艺良率爬坡不及预期；2）存储行业周期性波动风险；3）高端光刻机及海外设备出口管制风险；4）HBM高端产品量产与客户认证不及预期。

长鑫科技(688825) 投资要点 国产DRAM IDM龙头，卡位算力产业链存储需求 长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发制造一体化企业，采取IDM垂直整合经营模式，自主掌控芯片设计、晶圆制造及晶圆测试三大核心环节，芯片封装委外加工、成品测试部分委外，在合肥、北京布局三座12英寸晶圆厂。根据Omdia2025年四季度销售额测算，公司全球市场份额达7.67%，位列全球第四、国内第一，与三星、SK海力士、美光共同构成全球存储产业核心矩阵，为产业链上下游自主可控奠定核心基础。 公司作为产业链链主企业，持续推进上游化学品、硅片、半导体设备、国产材料验证导入，带动EDA、封测、终端全链条企业协同发展，构建本土化产业生态；下游已深度覆盖阿里云、字节、小米、荣耀等头部终端客户，国内需求替代空间广阔，是国家集成电路战略核心落地标的。 盈利拐点明确，业绩有望持续高增 公司2023-2025年归母净利润分别为-163.40亿元、-71.45亿元、18.75亿元，2025年正式实现全年扭亏为盈。2025年下半年起，人工智能算力需求爆发叠加海外头部厂商主动控产，DRAM产品供需收紧、售价持续上行，直接带动公司经营数据大幅改善。 研发能力构建技术壁垒，产品延展打开成长空间 公司始终坚持自主研发驱动，将技术迭代作为核心竞争力。2023-2025年，公司累计研发投入206.05亿元，占累计营业收入比例为21.67%。截止2025年年底，公司拥有研发人员6259名，占员工总数比例超过30%；专利储备方面，公司共持有境内专利3929项（其中发明专利3165项）、境外专利3043项，核心技术均为自主研发，形成了完备的自主知识产权壁垒。 技术代际迭代速度是存储厂商的核心生存能力，公司实现了从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5/5X的产品代际升级，核心产品与工艺技术已达到国际先进水平。 募投项目精准布局，强化核心竞争力 公司拟使用募集资金295亿元，用以支持三大主营业务项目，围绕工艺迭代、产能优化、前沿技术布局。其中，75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造，130亿元用于DRAM存储器技术升级，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。 募投项目落地后，现有产线降本增效，高端DDR5、LPDDR5产品供给能力扩容；新一代工艺平台持续缩小与海外厂商差距，前瞻研发保障长期技术竞争力；同时在产线改造过程加速供应链本土化验证，降低海外设备材料依赖，进一步巩固国内DRAM龙头地位，产能与技术双重扩容打开中长期业绩成长空间。 盈利预测 预测公司2026-2028年收入分别为2784.55、4279.86、6167.28亿元，EPS分别为2.17、3.66、5.16元，当前股价对应PE分别为24.9、14.8、10.5倍，考虑到公司在DRAM领域的领先地位，首次覆盖，给予“买入”投资评级。 风险提示 技术开发与客户验证进度不及预期；下游需求不及预期；存货跌价的风险。

朱一明先生,1972年出生,中国国籍,拥有新加坡永久居留权,硕士研究生。朱一明先生曾先后任ipolicy Networks Inc.资深工程师、Monolithic System Technologies Inc.项目主管;2005年创办兆易创新,2005年4月至2018年7月,任兆易创新总经理;2005年4月至今,任兆易创新董事长。2018年7月至2023年4月,先后任长鑫存储董事、董事长、首席执行官;2020年5月至2023年4月,任发行人首席执行官;2021年2月至今,任发行人董事长。

赵纶先生,1953年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。赵纶先生1982年2月至2002年4月,曾先后任职于原邮电部半导体研究所、原电信科学技术研究院集成电路设计中心、大唐电信科技股份有限公司微电子分公司等;2002年4月至2012年2月,先后任大唐微电子技术有限公司总经理、副董事长,期间曾任大唐电信科技股份有限公司董事、副总经理。2012年2月至2015年7月,任中航(重庆)微电子有限公司副总经理;2015年7月至2017年11月,任北京创安微芯科技有限责任公司董事长。2017年11月至2022年10月,任长鑫存储总经理、执行董事;2023年6月至2025年8月,任发行人董事。2022年10月至今,任发行人总经理。

曹堪宇先生,1971年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生。2002年5月至2005年6月,曹堪宇先生先后曾任职于美国飞利浦半导体股份有限公司、美国Hyperband comm.公司;2005年7月至2013年8月先后创立了北京昆天科微电子有限公司、北京凡达讯科技有限公司;2013年11月至2017年10月,任NoVoMem,Inc.NAND闪存事业部总经理。2017年11月加入发行人后,先后任睿力集成执行副总裁、长鑫存储产品研发执行副总裁、技术研发执行副总裁、长鑫集电总经理等职务;2021年6月至今,任发行人董事;2023年4月至今,先后任发行人首席执行官、总裁。

张羽先生,1970年出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生。1991年7月至2002年9月,先后担任航空部第606研究所工程师、北京安可尔通讯技术有限公司副总经理。2004年3月至2024年9月,任职于京东方科技集团股份有限公司,先后担任总监、高级副总裁、执行副总裁等职务。2024年9月加入发行人,现担任发行人联席总裁。

黄丹阳女士,1968年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,拥有特许公认会计师(ACCA),高级会计师职称。1991年7月至2007年7月,先后任职于南京天悦(集团)公司、联合饼干(中国)有限公司南京分公司、南京百事可乐饮料有限公司、艾欧史密斯(中国)热水器有限公司。2007年7月至2018年10月,先后于江森自控(中国)投资有限公司、麦格纳汽车技术(上海)有限公司、上海辑智信息科技有限公司、惠而浦(中国)股份有限公司担任财务总监。2018年10月至2022年9月,历任长鑫存储高级总监、副总裁、高级副总裁等职务;2022年9月至今,任发行人高级副总裁及财务负责人。

袁园女士,1981年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。2004年7月至2008年11月,任美的集团股份有限公司研发工程师、项目经理;2008年11月至2018年8月,历任京东方科技集团股份有限公司科长、部长等职务。2018年9月加入发行人后,历任发行人总监、高级总监、副总裁等职务;2023年6月至今,任发行人副总裁、董事会秘书。

李红文先生,1975年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。1998年9月至2003年3月,先后任职于中国航空计算技术研究所第十研究室、北京高鸿信通技术有限公司、北京畅迅信通技术有限公司;2003年3月至2017年2月,任美光半导体(上海)有限责任公司设计部经理。2017年3月加入发行人,先后任发行人设计总监、长鑫存储副总裁等职务;2023年2月至今,先后任发行人副总裁、高级副总裁。

冯鹏熙先生,1974年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,具有高级会计师、高级经济师职称,曾获得特许金融分析师(CFA)和金融风险管理师(FRM)资格。1996年10月至2003年8月期间,先后任工商银行武汉分行洪山支行储蓄、信贷专员、华工科技股份有限公司投资部长、武汉长江通信产业股份有限公司项目投资部部长。2006年3月至2010年2月,先后任中国银行总行司库、财务管理部高级经理(统计分析、外币定价、资本管理高级分析师)。2010年至2020年期间,任武汉金融控股集团有限公司副总经理及总经济师、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司董事长(期间曾任武汉市江汉区副区长)等职务。2020年至2024年8月,先后任小米集团产业投资部总经理、基金管理合伙人,珠海太和私募股权投资公司管理合伙人等职务。2024年8月加入发行人,现任发行人高级副总裁。

冯鹏熙先生,1974年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,具有高级会计师、高级经济师职称,曾获得特许金融分析师(CFA)和金融风险管理师(FRM)资格。1996年10月至2003年8月期间,先后任工商银行武汉分行洪山支行储蓄、信贷专员、华工科技股份有限公司投资部长、武汉长江通信产业股份有限公司项目投资部部长。2006年3月至2010年2月,先后任中国银行总行司库、财务管理部高级经理(统计分析、外币定价、资本管理高级分析师)。2010年至2020年期间,任武汉金融控股集团有限公司副总经理及总经济师、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司董事长(期间曾任武汉市江汉区副区长)等职务。2020年至2024年8月,先后任小米集团产业投资部总经理、基金管理合伙人,珠海太和私募股权投资公司管理合伙人等职务。2024年8月加入发行人,现任发行人高级副总裁。

朱文菊女士,1967年出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生。1993年7月至2011年6月,先后任职于英特尔(中国)有限公司、NMX Philippines等公司;2011年7月至2021年12月,于美光半导体西安/新加坡/马来西亚担任总经理及副总裁职务。2021年12月加入发行人,历任高级副总裁、执行副总裁等职务;2025年4月至今,任发行人执行副总裁。