长鑫科技(688825) 投资要点： 长鑫科技是中国第一、全球第四大DRAM一体化供应商，2026Q1全球DRAM市场份额7.7%，份额持续提升。依托合肥地方产业资本与国家集成电路大基金支持，公司实现DRAM全产业链自主可控。2025年公司营收617.99亿元，同比增长155.60%；归母净利润18.75亿元，同比增长126.24%，经营实现扭亏。 AI算力带动需求扩张，存储产业迎来发展新机遇。1）复盘存储历史周期，历史几轮上行行情分别由PC普及、智能手机迭代、线上经济需求拉动；本轮在AI算力需求拉动之下，存储价格维持上行通道。我们判断，本轮存储高景气有望贯穿2026全年。2）全球DRAM市场规模高速扩张。据Omdia数据，2025年市场规模达1505亿美元；AI服务器单台DRAM搭载量为传统通用服务器的8-10倍，配套HBM成长空间广阔。3）全球DRAM市场格局高度集中。Samsung、SKhynix、Micron三家合计占据九成以上份额，长鑫科技是国内唯一可大规模量产DRAM的企业，国产替代空间广阔。在行业需求扩张、存储芯片涨价的背景下，公司2026Q1业绩爆发，实现营收508.00亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。 HBM技术持续突破，产品结构优化打开存储ASP上行空间，公司业绩具备长期增长潜力。1）技术制程稳步追赶国际龙头，长鑫持续缩小与Samsung、SKhynix、Micron的技术代差，目前已实现G4工艺规模化量产，同步推进G5先进制程研发。2）高端存储产品布局加速落地，公司已完成HBM2/HBM2E样品验证，在研HBM3/HBM3E新一代高端存储产品，计划2026年推进小批量试产，完善AI算力配套高端存储矩阵。2026Q1Samsung、SKhynix、Micron单Gb均价分别达1.02、1.24、1.10美元；相较之下，公司当前服务器等高附加值存储营收占比偏低，整体存储均价与海外龙头存在显著差距。我们认为，随着DDR5、HBM等高溢价产品持续放量，公司产品结构将持续优化，带动整体存储均价稳步抬升。 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2026-2028年营业收入分别为2796.17/4277.58/6077.16亿元，同比增加352.46%/52.98%/42.07%；归母净利润分别为1412.70/2413.40/3498.13亿元，对应当前股价PE分别为27.25/15.95/11.00x。公司作为国内存储领域核心标的，有望充分受益存储芯片价格上行周期，同时把握AI算力产业带来的长期需求红利。 风险提示：1）长鑫科技存储工艺良率爬坡不及预期；2）存储行业周期性波动风险；3）高端光刻机及海外设备出口管制风险；4）HBM高端产品量产与客户认证不及预期。

长鑫科技(688825) 投资要点 国产DRAM IDM龙头，卡位算力产业链存储需求 长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发制造一体化企业，采取IDM垂直整合经营模式，自主掌控芯片设计、晶圆制造及晶圆测试三大核心环节，芯片封装委外加工、成品测试部分委外，在合肥、北京布局三座12英寸晶圆厂。根据Omdia2025年四季度销售额测算，公司全球市场份额达7.67%，位列全球第四、国内第一，与三星、SK海力士、美光共同构成全球存储产业核心矩阵，为产业链上下游自主可控奠定核心基础。 公司作为产业链链主企业，持续推进上游化学品、硅片、半导体设备、国产材料验证导入，带动EDA、封测、终端全链条企业协同发展，构建本土化产业生态；下游已深度覆盖阿里云、字节、小米、荣耀等头部终端客户，国内需求替代空间广阔，是国家集成电路战略核心落地标的。 盈利拐点明确，业绩有望持续高增 公司2023-2025年归母净利润分别为-163.40亿元、-71.45亿元、18.75亿元，2025年正式实现全年扭亏为盈。2025年下半年起，人工智能算力需求爆发叠加海外头部厂商主动控产，DRAM产品供需收紧、售价持续上行，直接带动公司经营数据大幅改善。 研发能力构建技术壁垒，产品延展打开成长空间 公司始终坚持自主研发驱动，将技术迭代作为核心竞争力。2023-2025年，公司累计研发投入206.05亿元，占累计营业收入比例为21.67%。截止2025年年底，公司拥有研发人员6259名，占员工总数比例超过30%；专利储备方面，公司共持有境内专利3929项（其中发明专利3165项）、境外专利3043项，核心技术均为自主研发，形成了完备的自主知识产权壁垒。 技术代际迭代速度是存储厂商的核心生存能力，公司实现了从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5/5X的产品代际升级，核心产品与工艺技术已达到国际先进水平。 募投项目精准布局，强化核心竞争力 公司拟使用募集资金295亿元，用以支持三大主营业务项目，围绕工艺迭代、产能优化、前沿技术布局。其中，75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造，130亿元用于DRAM存储器技术升级，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。 募投项目落地后，现有产线降本增效，高端DDR5、LPDDR5产品供给能力扩容；新一代工艺平台持续缩小与海外厂商差距，前瞻研发保障长期技术竞争力；同时在产线改造过程加速供应链本土化验证，降低海外设备材料依赖，进一步巩固国内DRAM龙头地位，产能与技术双重扩容打开中长期业绩成长空间。 盈利预测 预测公司2026-2028年收入分别为2784.55、4279.86、6167.28亿元，EPS分别为2.17、3.66、5.16元，当前股价对应PE分别为24.9、14.8、10.5倍，考虑到公司在DRAM领域的领先地位，首次覆盖，给予“买入”投资评级。 风险提示 技术开发与客户验证进度不及预期；下游需求不及预期；存货跌价的风险。

长鑫科技(688825) 公司成立于2016年6月13日，是中国大陆少数实现DRAM规模化量产的IDM企业，专注于DRAM芯片的研发、设计、生产与销售，据招股说明书公司25Q2全球市场份额近4%，位列全球第四、国内第一，公司致力于推动国产存储产业自主可控，是国家集成电路产业战略布局的关键载体。公司已形成以DRAM为核心的DDR系列（占比31.60%）、LPDDR系列（占比65.86%）业务矩阵，终端客户包括互联网巨头、主流PC与手机厂商，覆盖服务器、移动设备、个人电脑等应用场景。公司26H1预计实现营收1100-1200亿元，同增613%-677%。实现归母净利润500-570亿元，同增2244%-2544%。 每轮存储大周期（08年、16年等）的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶，随着AI驱动需求提升，当下我们走在新一轮存储大周期的起点。我们看好模型和应用落地后对存储需求长期且大量的拉动。根据公司招股说明书的数据，2030年全球存储芯片市场规模有望增长至5710亿，25-30年市场规模CAGR达30.56% 长期以来全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大厂商主导，占据全球90%以上市场份额，形成高度集中的寡头竞争格局。根据Counterpoint Research的数据，公司按2026年一季度收入计，占全球份额增长至8%，成为全球第四大DRAM厂商。公司作为中国大陆少数具备DRAM自主制造能力的企业，正凭借技术突破与产能爬坡，逐步改变全球市场的竞争版图。 盈利预测、估值和评级 2026年7月，公司发行新股76.91亿股（超额配售选择权行使后），发行价8.66元/股，募集总金额666亿。我们预计2026-2028年公司分别实现营业收入3024.92亿、4372.21亿和5899.64亿元。同比增长389.47%、44.54%和34.93%，实现归母净利润1518.31亿元、2521.81亿元和3510.35亿元，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示 行业周期性波动的风险，技术研发迭代的风险，市场需求不及预期的风险。

长鑫科技(688825) 投资要点 7月13日有一家科创板上市公司“长鑫科技”询价。 长鑫科技（688825）：公司专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列。公司2023-2025年分别实现营业收入90.87亿元/241.78亿元/617.99亿元，YOY依次为9.66%/166.07%/155.60%；归母净利润-163.40亿元/-71.45亿元/18.75亿元，YOY依次为-96.20%/56.27%/126.24%。根据公司初步预测，2026H1营业收入较2025年同期增长612.53%至677.31%，归母净利润较2025年同期增长2,244.03%至2,544.19%。 投资亮点：1、人工智能时代下，海量数据处理需求驱动全球千亿美元DRAM市场规模较快增长。数字经济浪潮下，数据处理量指数级增长；DRAM作为现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，其需求长期增长确定性较强。根据和讯网行业资讯，单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8至10倍；同时海外存储大厂转产高附加值HBM，单颗HBM芯片消耗的底层DRAM晶圆产能相当于3至4颗标准DDR5芯片，通用DRAM供给持续受压。供需格局收紧带动存储产品价格显著上行，据TrendForce发布的存储器价格调查，2026Q1常规DRAM合约价环比涨幅达90%至95%，且涨价周期或延续至2027年。咨询机构Omdia预测，2030年全球DRAM市场规模有望由2025年的1,505亿美元增至5,710亿美元；国内作为DRAM主要消费市场，当前供给高度依赖进口，国产化空间巨大。2、公司是我国DRAM产业龙头，产能规模稳居中国第一、全球第四；股权层面形成多层级国资深度托底、全产业链资本协同的特色架构。公司自2016年设立起深耕DRAM领域，2019年推出自研8GbDDR4，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。现阶段，公司不仅搭建了DDR系列、LPDDR系列等多元产品矩阵，可供应DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多形态产品，并完成了从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖与技术迭代，核心工艺技术跻身国际先进梯队；同时，公司共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。作为国内DRAM龙头，公司已通过股权关系与国有资本、产业上下游构建了相互依存的战略合作关系；国有资本方面，合肥国资通过清辉集电等多个平台合计持股超35%，国家大基金二期作为第三大股东持股8.7%，安徽省国资委则间接持股7.9%；产业方面，上游引入了兆易创新、屹唐半导体、西安奕材、拓荆科技等存储设计、半导体设备及材料供应商，下游则吸纳了阿里、中兴通讯、小米、美的、蔚来、奇瑞汽车等算力平台、消费电子、汽车等领域龙头。3、公司创始人朱一明先生是我国存储产业核心领军人物，曾创办存储芯片设计龙头兆易创新。朱一明先生曾在美国从事存储器设计工作多年；2005年回国后创办兆易创新，领导团队自研了国内首颗静态存储器及IP技术、首颗串行闪存、首颗基于ARMCortex-M3架构的32位通用MCU，以及全球首款WSON8封装的SPINANDFLASH产品等；2016年为推动国产存储全产业链落地，又携合肥产投联合创办公司，目前为兆易创新实控人、并同时担任两家企业董事长。在其双重身份下，聚焦存储芯片设计的兆易创新与专攻存储芯片制造的长鑫科技形成天然的产业联动关系，构建起上下游高度互补的国产DRAM产业闭环，2025年公司向兆易创新销售包括自有DRAM产品及代工服务的相关收入达12亿元以上。 同行业上市公司对比：选取前述全球DRAM主要厂商三星电子、SK海力士、美光科技、南亚科技作为可比公司；同时基于技术特点、市场地位及业务模式等核心要素考虑，进一步选取台积电、中芯国际及华润微作为可比公司。从上述可比公司来看，2025年可比上市公司的平均收入规模为4897.99亿元，平均市净率（算术平均）为8.17X，平均销售毛利率为38.57%；相较而言，公司营收规模未及可比公司平均、但销售毛利率处于同业的中高位区间。 风险提示：已经开启询价流程的公司依旧存在因特殊原因无法上市的可能、公司内容主要基于招股书和其他公开资料内容、同行业上市公司选取存在不够准确的风险、内容数据截选可能存在解读偏差等。具体上市公司风险在正文内容中展示。

朱一明先生,1972年出生,中国国籍,拥有新加坡永久居留权,硕士研究生。朱一明先生曾先后任ipolicy Networks Inc.资深工程师、Monolithic System Technologies Inc.项目主管;2005年创办兆易创新,2005年4月至2018年7月,任兆易创新总经理;2005年4月至今,任兆易创新董事长。2018年7月至2023年4月,先后任长鑫存储董事、董事长、首席执行官;2020年5月至2023年4月,任发行人首席执行官;2021年2月至今,任发行人董事长。

赵纶先生,1953年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。赵纶先生1982年2月至2002年4月,曾先后任职于原邮电部半导体研究所、原电信科学技术研究院集成电路设计中心、大唐电信科技股份有限公司微电子分公司等;2002年4月至2012年2月,先后任大唐微电子技术有限公司总经理、副董事长,期间曾任大唐电信科技股份有限公司董事、副总经理。2012年2月至2015年7月,任中航(重庆)微电子有限公司副总经理;2015年7月至2017年11月,任北京创安微芯科技有限责任公司董事长。2017年11月至2022年10月,任长鑫存储总经理、执行董事;2023年6月至2025年8月,任发行人董事。2022年10月至今,任发行人总经理。

曹堪宇先生,1971年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生。2002年5月至2005年6月,曹堪宇先生先后曾任职于美国飞利浦半导体股份有限公司、美国Hyperband comm.公司;2005年7月至2013年8月先后创立了北京昆天科微电子有限公司、北京凡达讯科技有限公司;2013年11月至2017年10月,任NoVoMem,Inc.NAND闪存事业部总经理。2017年11月加入发行人后,先后任睿力集成执行副总裁、长鑫存储产品研发执行副总裁、技术研发执行副总裁、长鑫集电总经理等职务;2021年6月至今,任发行人董事;2023年4月至今,先后任发行人首席执行官、总裁。

张羽先生,1970年出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生。1991年7月至2002年9月,先后担任航空部第606研究所工程师、北京安可尔通讯技术有限公司副总经理。2004年3月至2024年9月,任职于京东方科技集团股份有限公司,先后担任总监、高级副总裁、执行副总裁等职务。2024年9月加入发行人,现担任发行人联席总裁。

黄丹阳女士,1968年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,拥有特许公认会计师(ACCA),高级会计师职称。1991年7月至2007年7月,先后任职于南京天悦(集团)公司、联合饼干(中国)有限公司南京分公司、南京百事可乐饮料有限公司、艾欧史密斯(中国)热水器有限公司。2007年7月至2018年10月,先后于江森自控(中国)投资有限公司、麦格纳汽车技术(上海)有限公司、上海辑智信息科技有限公司、惠而浦(中国)股份有限公司担任财务总监。2018年10月至2022年9月,历任长鑫存储高级总监、副总裁、高级副总裁等职务;2022年9月至今,任发行人高级副总裁及财务负责人。

袁园女士,1981年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。2004年7月至2008年11月,任美的集团股份有限公司研发工程师、项目经理;2008年11月至2018年8月,历任京东方科技集团股份有限公司科长、部长等职务。2018年9月加入发行人后,历任发行人总监、高级总监、副总裁等职务;2023年6月至今,任发行人副总裁、董事会秘书。

李红文先生,1975年出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历。1998年9月至2003年3月,先后任职于中国航空计算技术研究所第十研究室、北京高鸿信通技术有限公司、北京畅迅信通技术有限公司;2003年3月至2017年2月,任美光半导体(上海)有限责任公司设计部经理。2017年3月加入发行人,先后任发行人设计总监、长鑫存储副总裁等职务;2023年2月至今,先后任发行人副总裁、高级副总裁。

冯鹏熙先生,1974年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,具有高级会计师、高级经济师职称,曾获得特许金融分析师(CFA)和金融风险管理师(FRM)资格。1996年10月至2003年8月期间,先后任工商银行武汉分行洪山支行储蓄、信贷专员、华工科技股份有限公司投资部长、武汉长江通信产业股份有限公司项目投资部部长。2006年3月至2010年2月,先后任中国银行总行司库、财务管理部高级经理(统计分析、外币定价、资本管理高级分析师)。2010年至2020年期间,任武汉金融控股集团有限公司副总经理及总经济师、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司董事长(期间曾任武汉市江汉区副区长)等职务。2020年至2024年8月,先后任小米集团产业投资部总经理、基金管理合伙人,珠海太和私募股权投资公司管理合伙人等职务。2024年8月加入发行人,现任发行人高级副总裁。

冯鹏熙先生,1974年出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生,具有高级会计师、高级经济师职称,曾获得特许金融分析师(CFA)和金融风险管理师(FRM)资格。1996年10月至2003年8月期间,先后任工商银行武汉分行洪山支行储蓄、信贷专员、华工科技股份有限公司投资部长、武汉长江通信产业股份有限公司项目投资部部长。2006年3月至2010年2月,先后任中国银行总行司库、财务管理部高级经理(统计分析、外币定价、资本管理高级分析师)。2010年至2020年期间,任武汉金融控股集团有限公司副总经理及总经济师、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司董事长(期间曾任武汉市江汉区副区长)等职务。2020年至2024年8月,先后任小米集团产业投资部总经理、基金管理合伙人,珠海太和私募股权投资公司管理合伙人等职务。2024年8月加入发行人,现任发行人高级副总裁。

朱文菊女士,1967年出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生。1993年7月至2011年6月,先后任职于英特尔(中国)有限公司、NMX Philippines等公司;2011年7月至2021年12月,于美光半导体西安/新加坡/马来西亚担任总经理及副总裁职务。2021年12月加入发行人,历任高级副总裁、执行副总裁等职务;2025年4月至今,任发行人执行副总裁。