国博电子(688375) 2026H1公司业绩符合预期，2026H2业绩有望改善 公司2026H1营业总收入8.86亿元，同比下降17.23%；归母净利润9814.38万元，同比下降51.26%；公司业绩符合预期。公司2026H1营收同比下降17%，我们认为或主要由于部分军品收货确认延迟所导致。公司2026H1存货6.39亿元同比增长92%，其中发出商品1.99亿，同比增长104%；2026H1公司航空及航天TR产品面临较大压力，随着下游合同逐步落地，2026H2上游备货备产有望加速，公司确收有望改善。由于订单及确收压力，我们下调公司2026-2027年并新增2028年盈利预测，预计归母净利润为4.96/6.93/8.94亿元（原值6.65/8.31亿元），EPS为0.83/1.16/1.50元/股，对应当前股价的PE分别为95.3/68.2/52.9倍。我们看好公司商业航天业务中长期增量，维持“买入”评级。 2026H1毛利率承压，5GA与商业航天产品放量有望带动毛利率回升 公司2026H1综合毛利率同比下降3.4个百分点，其中TR组件和射频模块业务收入下滑23%（收入占比为82%），毛利率同比下滑2.91个百分点，我们认为，TR组件和射频模块业务营收规模收缩、产品结构变化是毛利率下滑的主要原因。公司射频芯片等民品业务主要用于通信基站等，我们预计该产品价格面临年降压力。我们认为，随着公司在5G-A、商业航天等新领域产品放量增长，毛利率有望稳步回升。 绑定GaN资源赋能卫星T/R组件业务，手机直连卫星芯片带来增量空间公司在卫星T/R组件领域具备核心技术，并深度绑定GaN产线资源，商业航天业务有望高速增长。当前中国可复用火箭实现关键突破，未来有望显著降低发射成本并提升卫星发射频次。中国商业航天从百星迈向千星时代将催生三百亿级T/R组件市场。国博电子有望凭借在T/R组件领域设计及制造的优势，成为卫星载荷核心供应商；公司已实现业内三代半导体射频芯片在手机端首次应用，其性能及性价比均优于砷化镓方案，已批量交付并具备全面替代潜力。此外，公司三代半导体手机直连卫星芯片业务将助力公司打开新增长空间。 风险提示：装备列装不及预期或拖累军品业绩增速、验收延迟可能延后军品业绩确认时点、可复用火箭技术与卫星发射进度不及预期将影响相关业务放量。

国博电子(688375) 事件描述 国博电子公司发布2026年半年度报告。2026年上半年公司营业收入为8.86亿元，同比减少17.23%；归母净利润为0.98亿元，同比减少51.26%；扣非后归母净利润为0.94亿元，同比减少52.84%；负债合计18.38亿元，同比增长24.84%；货币资金22.35亿元，同比增长19.66%；应收账款29.66亿元，同比减少8.10%；存货6.39亿元，同比增长92.02%。 事件点评 业绩短期承压，研发逆周期加码。业绩下滑主要系受行业周期影响，2026年尚处于"十五五"规划起步阶段，T/R组件及射频模块订单节奏有所延缓，收入减少，同时公司持续加大研发投入所致。报告期内研发投入达1.75亿元，同比增长34.16%，研发投入占营业收入比例由上年同期的12.17%大幅提升至19.72%，逆周期加码特征显著。与此同时，公司经营活动产生的现金流量净额达1.48亿元，同比增长111.66%，管理费用同比下降10.92%，精益化管理成效持续显现。 把握新产业新业态机遇，长期成长动能持续积蓄。随着相控阵技术在低轨卫星、商业航天、汽车雷达、气象雷达、低空监测、智慧交通、卫星互联网等新兴领域的应用规模日趋扩大，作为有源相控阵核心神经元的T/R组件将迎来新一轮增长。公司是国内面向各整机单位销量最大的有源相控阵T/R组件平台，产品市场占有率保持国内领先地位，低轨卫星和商业航天领域多款T/R组件产品已大批量交付客户。在射频集成电路领域，针对卫星通信、下一代移动通信（6G/U6G）通感一体等领域需求，公司开展多款射频芯片产品的开发，部分产品已完成交付。随着新一代移动通信技术的不断演进，叠加国际形势日趋严峻下国产化进程加快，未来对高频段、高功率射频器件的需求将持续释放。 投资建议 我们预计公司2026-2028年EPS分别为0.93\1.11\1.39，对应公司8月20日收盘价79.26元，2026-2028年PE分别为85.3\71.5\56.9，维持“增持-A”评级。 风险提示 新型装备列装不及预期；民品需求不及预期。

国博电子(688375) 事件：公司4月10日公告，2025年实现营收（23.86亿元，-7.92%)，归母净利润（5.08亿元，+4.72%)，毛利率（42.09%，+3.50pcts)，净利率（21.27%，+2.57pcts)。25Q4实现营收（8.17亿元，同比+5.14%，环比+64.15%)，归母净利润（2.60亿元，同比+46.10%，环比+469.21%)，毛利率（49.71%，同比+5.97pcts，环比+13.72pcts)，净利率（31.86%，同比+8.93pcts，环比+22.67pcts)。 背靠中国电科55所，T/R组件批量提供的领先企业。公司背靠电科55所及国基南方子集团，是旗下唯一上市平台。公司从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。产品覆盖芯片、模块、组件，广泛应用于移动通信基站和终端、卫星领域、雷达探测等领域。 射频芯片业务开始放量，25Q4及全年利润率创下历史新高。公司2025年营收（23.86亿元，-7.92%)有所下降，归母净利润（5.08亿元，+4.72%)小幅增加，毛利率（42.09%，+3.50pcts)及净利率（21.27%，+2.57pcts)创下历史新高。25Q4实现营收（8.17亿元，同比+5.14%，环比+64.15%)，归母净利润（2.60亿元，同比+46.10%，环比+469.21%)，毛利率（49.71%，同比+5.97pcts，环比+13.72pcts)及净利率（31.86%，同比+8.93pcts，环比+22.67pcts)创下历史新高。分业务来看： 1、T/R组件和射频模块：2025年收入（21.08亿元，-9.58%）同比小幅下降，毛利率（42.66%，+3.56pcts）进一步提升。2025年公司积极开拓低轨卫星和商业航天等应用领域，多款T/R组件产品已批量交付客户，成为公司2025年度的主要收入来源之一。2、射频芯片：2025年收入（1.87亿元，+9.84%）小幅增长，毛利率（30.16%，+4.69pcts）有所提升。2025年公司终端用射频芯片产品已开始向多家业内知名终端厂商批量供货，硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付，公司同时积极开拓低空经济、卫星互联网等新的市场需求，与下游行业龙头企业紧密合作，部分产品已经完成开发或进入送样阶段。 研发投入维持较高水平，业务扩张带来销售费用提升。2025年公司销售费用（0.15亿元，+50.18%）大幅增加，主要系销售人员数量增加导致薪酬增加所致；管理费用（1.44亿元，+11.72%）小幅增加；财务费用（-0.15亿元）同比减少，主要系公司利息收入减少所致；研发费用（3.03亿元，-7.39%）小幅下降，但研发费用率（12.69%，+0.07pcts）仍有提升。综合来看公司三费率（6.04%，+1.55pcts）同比有所增加。 合同负债及在建工程高增，公司积极备货扩产。2025年公司经营现金流净额（8.89亿元，+226.99%）大幅增加，主要系公司销售商品、提供劳务收到的现金增加，以及购买商品、接受劳务支付的现金减少所致，投资现金流净额（-4.92亿元）由正转负，主要系赎回结构性存款的金额减少所致，筹资现金流净额（-2.79亿元）快速提升。2025年公司合同负债（0.54亿元）大幅增加，存货（4.13亿元，+61.06%）快速增加，其中发出商品（0.97亿元，+181.64%）增幅较为明显，在建工程（5.21亿元，+115.46%）大幅增长，主要系射频集成电路产业化项目持续投入所致，我们认为合同负债高增表征景气回升，公司提升库存水平以应对需求。 2026Q1财务分析：公司26Q1实现营收（3.19亿元，同比-8.90%，环比-60.99%)，归母净利润（0.01亿元，同比-98.51%，环比-99.67%)大幅下降，主要系T/R组件和射频模块收入减少以及计提资产减值准备所致，其中信用减值损失（-0.40亿元）大幅增加，毛利率（33.62%，同比-9.38pcts，环比-16.08pcts)，净利率（0.27%，同比-16.17pcts，环比-31.59pcts)。费用端方面，公司2026Q1销售费用（0.02亿元，-18.69%）明显减少，管理费用（0.26亿元，-9.84%）有所下降，财务费用（-0.01亿元）大幅增加，研发费用（0.69亿元，+14.99%）有所增加。综合来看公司三费率（8.32%，+1.10pcts）同比小幅增加。公司经营现金流净额（-2.17亿元）同比小幅减少；投资现金流净额（-1.55亿元）大幅减少。 股东增持助力公司长期发展。2025年公司控股股东国基南方及其一致行动人中电科投资于2024年12月27日至2025年8月26日期间，通过上交所集中竞价方式实施增持计划，累计增持公司股份0.07亿股（占总股本1.22%），累计成交金额4.01亿元人民币。本次增持基于对公司未来发展前景的坚定信心及中长期投资价值的认可，彰显了股东对公司持续稳定健康发展的支持。 投资建议：公司是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平。具体投资建议如下： 1、公司积极开拓低轨卫星和商业航天等应用领域，多款T/R组件产品已批量交付客户，未来将成为公司新的重要增长极； 2、终端用射频芯片产品已开始向多家业内知名终端厂商批量供货，公司有望通过业务合作基础同时开拓低空经济、卫星互联网等新市场需求； 3、公司背靠55所及国基南方子集团，作为唯一的上市平台，有望充分享受股东技术及产业实力带来的利益； 我们预计公司2026-2028年的营业收入分别为27.20亿、34.40亿元和41.20亿元，归母净利润分别为5.65亿元、7.11亿元和8.58亿元，EPS分别为0.95元、1.19元和1.44元，我们维持“买入”评级，目标价为160.00元。 风险提示：产能建设不及预期，产品价格波动，下游需求波动等。

国博电子(688375) 事件：公司4月10日公告，2025年实现营收（23.86亿元，-7.92%)，归母净利润（5.08亿元，+4.72%)，毛利率（42.09%，+3.50pcts)，净利率（21.27%，+2.57pcts)。25Q4实现营收（8.17亿元，同比+5.14%，环比+64.15%)，归母净利润（2.60亿元，同比+46.10%，环比+469.21%)，毛利率（49.71%，同比+5.97pcts，环比+13.72pcts)，净利率（31.86%，同比+8.93pcts，环比+22.67pcts)。 背靠中国电科55所，T/R组件批量提供的领先企业。公司背靠电科55所及国基南方子集团，是旗下唯一上市平台。公司从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。产品覆盖芯片、模块、组件，广泛应用于移动通信基站和终端、卫星领域、雷达探测等领域。 射频芯片业务开始放量，25Q4及全年利润率创下历史新高。公司2025年营收（23.86亿元，-7.92%)有所下降，归母净利润（5.08亿元，+4.72%)小幅增加，毛利率（42.09%，+3.50pcts)及净利率（21.27%，+2.57pcts)创下历史新高。25Q4实现营收（8.17亿元，同比+5.14%，环比+64.15%)，归母净利润（2.60亿元，同比+46.10%，环比+469.21%)，毛利率（49.71%，同比+5.97pcts，环比+13.72pcts)及净利率（31.86%，同比+8.93pcts，环比+22.67pcts)创下历史新高。分业务来看： 1、T/R组件和射频模块：2025年收入（21.08亿元，-9.58%）同比小幅下降，毛利率（42.66%，+3.56pcts）进一步提升。2025年公司积极开拓低轨卫星和商业航天等应用领域，多款T/R组件产品已批量交付客户，成为公司2025年度的主要收入来源之一。2、射频芯片：2025年收入（1.87亿元，+9.84%）小幅增长，毛利率（30.16%，+4.69pcts）有所提升。2025年公司终端用射频芯片产品已开始向多家业内知名终端厂商批量供货，硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付，公司同时积极开拓低空经济、卫星互联网等新的市场需求，与下游行业龙头企业紧密合作，部分产品已经完成开发或进入送样阶段。 研发投入维持较高水平，业务扩张带来销售费用提升。2025年公司销售费用（0.15亿元，+50.18%）大幅增加，主要系销售人员数量增加导致薪酬增加所致；管理费用（1.44亿元，+11.72%）小幅增加；财务费用（-0.15亿元）同比减少，主要系公司利息收入减少所致；研发费用（3.03亿元，-7.39%）小幅下降，但研发费用率（12.69%，+0.07pcts）仍有提升。综合来看公司三费率（6.04%，+1.55pcts）同比有所增加。 合同负债及在建工程高增，公司积极备货扩产。2025年公司经营现金流净额（8.89亿元，+226.99%）大幅增加，主要系公司销售商品、提供劳务收到的现金增加，以及购买商品、接受劳务支付的现金减少所致，投资现金流净额（-4.92亿元）由正转负，主要系赎回结构性存款的金额减少所致，筹资现金流净额（-2.79亿元）快速提升。2025年公司合同负债（0.54亿元）大幅增加，存货（4.13亿元，+61.06%）快速增加，其中发出商品（0.97亿元，+181.64%）增幅较为明显，在建工程（5.21亿元，+115.46%）大幅增长，主要系射频集成电路产业化项目持续投入所致，我们认为合同负债高增表征景气回升，公司提升库存水平以应对需求。 2026Q1财务分析：公司26Q1实现营收（3.19亿元，同比-8.90%，环比-60.99%)，归母净利润（0.01亿元，同比-98.51%，环比-99.67%)大幅下降，主要系T/R组件和射频模块收入减少以及计提资产减值准备所致，其中信用减值损失（-0.40亿元）大幅增加，毛利率（33.62%，同比-9.38pcts，环比-16.08pcts)，净利率（0.27%，同比-16.17pcts，环比-31.59pcts)。费用端方面，公司2026Q1销售费用（0.02亿元，-18.69%）明显减少，管理费用（0.26亿元，-9.84%）有所下降，财务费用（-0.01亿元）大幅增加，研发费用（0.69亿元，+14.99%）有所增加。综合来看公司三费率（8.32%，+1.10pcts）同比小幅增加。公司经营现金流净额（-2.17亿元）同比小幅减少；投资现金流净额（-1.55亿元）大幅减少。 股东增持助力公司长期发展。2025年公司控股股东国基南方及其一致行动人中电科投资于2024年12月27日至2025年8月26日期间，通过上交所集中竞价方式实施增持计划，累计增持公司股份0.07亿股（占总股本1.22%），累计成交金额4.01亿元人民币。本次增持基于对公司未来发展前景的坚定信心及中长期投资价值的认可，彰显了股东对公司持续稳定健康发展的支持。 投资建议：公司是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平。具体投资建议如下： 1、公司积极开拓低轨卫星和商业航天等应用领域，多款T/R组件产品已批量交付客户，未来将成为公司新的重要增长极； 2、终端用射频芯片产品已开始向多家业内知名终端厂商批量供货，公司有望通过业务合作基础同时开拓低空经济、卫星互联网等新市场需求； 3、公司背靠55所及国基南方子集团，作为唯一的上市平台，有望充分享受股东技术及产业实力带来的利益； 我们预计公司2026-2028年的营业收入分别为27.20亿、34.40亿元和41.20亿元，归母净利润分别为5.65亿元、7.11亿元和8.58亿元，EPS分别为0.95元、1.19元和1.44元，我们维持“买入”评级，目标价为160.00元。 风险提示：产能建设不及预期，产品价格波动，下游需求波动等。

陶洪琪,1980年9月生,中国国籍,无境外永久居留权,工学博士,研究员级高级工程师。历任中国电子科技集团公司第五十五研究所工程师,单片电路设计部副主任设计师、主任设计师,单片电路事业部主任,五十五所副总工程师;中电国基南方集团有限公司副总工程师,单片电路事业部技术总监、总经理;2021年1月至2022年10月,任中国电子科技集团有限公司微电子领域首席专家;2022年10月至2024年10月,任中国电子科技集团公司第五十五研究所副所长;2024年10月至2025年12月,任中国电子科技集团公司第五十五研究所党委书记,中电国基南方集团有限公司董事、党委副书记;2025年12月至今,任中国电子科技集团公司第五十五研究所所长,中电国基南方集团有限公司董事长、党委书记。2026年1月至今,任南京国博电子股份有限公司董事长。

吴礼群,1971年2月出生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于东南大学无线电专业,本科学历,工程硕士,研究员级高级工程师。历任中国电子科技集团公司第五十五研究所模块电路部副主任,一中心主任,所长助理兼单片电路应用开发部主任。2009年5月至2018年9月,任中国电子科技集团公司第五十五研究所副所长。2018年9月至2024年4月,任中电国基南方集团有限公司副总经理、中国电子科技集团公司第五十五研究所副所长。2024年4月至今,任南京国博电子股份有限公司董事、总经理。

陈新宇,1969年4月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于南京电子器件研究所,硕士学历,研究员级高级工程师。1991年8月至1993年9月,任中国电科五十五所806室助理工程师;1993年9月至1996年5月,于南京电子器件研究所攻读半导体器件与微电子专业硕士研究生;1996年5月至2007年3月,历任中国电科五十五所一中心助理工程师、工程师、高级工程师、研究员级高级工程师;2007年3月至2011年3月,任中国电科五十五所集成电路设计部副主任;2011年3月至2020年12月,任南京国博电子有限公司副总经理;2020年12月至今,任公司副总经理。

周骏,1982年11月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于东南大学,博士学历,研究员级高级工程师。2007年8月至2007年11月,任中国电科五十五所一中心助理工程师;2007年11月至2010年8月,任中国电科五十五所单片电路部助理工程师;2010年8月至2014年10月,任中国电科五十五所微系统事业部工程师;2014年10月至2015年3月,任中国电科五十五所微系统事业部高级工程师;2015年3月至2019年3月,历任中国电科五十五所微系统事业部副主任设计师、主任设计师;2019年3月至2019年12月,任中国电科五十五所副总工程师兼微系统事业部主任设计师;2019年12月至2020年5月,任南京国微电子有限公司技术总监;2020年5月至2020年12月,任南京国博电子有限公司副总经理;2020年12月至今,任公司副总经理。

孙春妹,1980年4月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于东南大学,本科学历,高级工程师。2002年8月至2007年8月,历任中国电科五十五所一中心助理工程师、工程师;2007年8月至2010年5月,任中国电科五十五所单片电路及应用开发部工程师;2010年5月至2015年3月,任中国电科五十五所微系统事业部工程师、高级工程师;2015年3月至2019年12月,历任中国电科五十五所微系统事业部副主任、微系统党支部专职书记;2019年12月至2020年5月,任南京国微电子有限公司副总经理;2020年5月至2020年12月,任南京国博电子有限公司副总经理;2020年12月至今,任公司副总经理。

李晓鹏,1981年7月生,中国国籍,无境外永久居留权,研究生学历,工学硕士学位,研究员级工程师。曾任公司射频集成电路事业部副总经理。2024年4月至今,任公司副总经理。

汪满祥,1982年10月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于清华大学,硕士学历,特许金融分析师。2003年7月至2004年11月,任北京日月房地产开发有限公司投资开发部投资主管;2004年11月至2010年10月,任北京融辰世纪投资有限公司投资部总经理;2010年10月至2011年4月,任华为技术有限公司企业发展部投资总监;2011年5月至2014年7月,任中国生物技术股份有限公司投资与法务部高级经理;2014年7月至2018年11月,任中电科投资控股有限公司投资并购部总经理;2018年8月至今,任中电产融私募基金管理有限公司总经理、董事。2018年9月至2020年12月,任南京国博电子有限公司董事;2020年12月至今,任南京国博电子股份有限公司董事。

钱志宇,1979年4月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于东南大学,本科学历,研究员级高级工程师。2000年8月至2015年1月,历任中国电子科技集团公司第五十五研究所助理工程师、工程师;2015年2月至2019年1月,任中国电子科技集团公司第五十五研究所技术与工艺部副主任、主任;2019年2月至今,任中国电子科技集团公司第五十五研究所规划与运管部主任;2019年3月至今,任中电国基南方集团有限公司规划与运管部主任。2019年12月至2020年12月,任南京国博电子有限公司董事;2020年12月至今,任南京国博电子股份有限公司董事。

仲张峰,1987年12月出生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于南京大学凝聚态物理专业,硕士研究生学历,高级工程师。2013年7月至2019年3月,历任南京国盛电子有限公司助理工程师、工程师;2019年3月至2023年2月,任中电国基南方集团有限公司产业发展部副主任,中国电子科技集团公司第五十五研究所产业发展部副主任;2023年3月至今,任中电国基南方集团有限公司产业发展部主任,中国电子科技集团公司第五十五研究所产业发展部主任。2024年4月至今,任南京国博电子股份有限公司董事。

沈宏昌,1980年1月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于电子科技大学,本科学历,研究员级高级工程师。2002年8月至2012年11月,历任中国电科五十五所单片集成电路部助理工程师、工程师;2012年11月至2015年3月,任中国电科五十五所单片电路设计部高级工程师;2015年3月至2019年3月,任中国电科五十五所单片电路事业部副主任设计师;2019年4月至2020年12月,任南京国博电子有限公司技术总监;2020年12月至今,任公司技术总监;2024年5月至今,任公司射频集成电路事业部总经理。2025年10月至今,任公司职工代表董事。