兆易创新(603986) 全球存储行业受AI驱动产能结构迁移，利基型DRAM和SLCNANDFlash产能全球竞争格局有望重塑。三星、SK海力士、美光、铠侠等海外大厂持续退出利基型DRAM和SLCNANDFlash产能，供给缺口在2025年开始显著释放，为兆易创新打开了产能替代窗口。公司有望借助其在NORFlash领域的份额扩张经验，在本轮份额重分配中获得较快的份额和利润的增长。公司与长鑫的深度合作是公司DRAM业务的核心支撑。2026年3月，公司公告将从长鑫科技集团采购代工DRAM产品年度额度从2025年的11.82亿元（人民币，下同）大幅提升至2026年的57.11亿元。我们预测公司DRAM收入在2026/27年分别为103.7/139.1亿元，同比增长480%/34%。 专用型存储需求具备刚性，智能驾驶、AI等打开增量空间。公司主要业务来自专用型存储，2025年其占总收入的71.3%；专用型存储主要包括DDR3L/DDR4/LPDDR4、SLCNANDFlash和NORFlash。我们认为，专用型存储凭借在物理结构上的低延迟、高可靠性等独有优势，仍具有较强的需求刚性。同时，智能驾驶、AI算力的建设以及端侧AI的发展进一步提升了长期需求增量。我们预计全球专用型存储市场规模将从2024年的136亿美元增至2025年的168亿美元，并在2026年进一步增至403亿美元。 MCU份额进一步巩固，模拟业务持续放量。MCU作为公司专用型存储外的第二大业务，目前行业价格依然处于周期底部，但公司以价换量巩固份额效果显著，并通过高端产品有望进一步扩展市场。传感器收入短期或继续承压。模拟业务有望在收购苏州赛芯后进一步提升对整体业绩的贡献。 首予买入，A股目标价798元，港股目标价907港元。我们预测兆易创新2026/27年总营收和毛利率分别为255.6/339.8亿元和65.3%/65.8%；预测归母净利润和基本EPS分别为139.7/165.8亿元和21.02/24.95元。公司是中国内地存储板块核心标的之一，我们看好其在利基型DRAM和SLCNANDFlash的产能替代浪潮中的份额增长潜力。首次覆盖，给予买入评级，A股目标价798元，港股目标价907港元；对应32倍2027年市盈率，处于均值以下1个标准差附近。投资风险：行业周期波动、技术研发迭代、市场需求不及预期、资本市场相关扰动、全球经营环境变化。

兆易创新(603986) 投资要点 存储行业周期向上，多业务推动业绩强劲增长 2025 年公司实现营业收入 92.03 亿元，同比增长 25.12%，实现归母净利润 16.48 亿元，同比增长 49.47%；2026 年第一季度公司实现营业收入 41.88 亿元，同比增长 119.38%，环比增长 76.58%，实现归母净利润 14.61 亿元，同比增长522.79%，环比增长 158.72%。存储行业周期向上，供需结构优化推动产品价量齐升，同时得益于公司积极拥抱 AI，发展定制化存储、较高算力 MCU 和 AI MCU 等新业务、新产品，业绩快速增长。 存储供应紧张导致量价齐升，环比强劲增长 存储行业仍处于供应紧张局面，公司各类存储产品均受益于缺货而量价齐升。DRAM 产品实现了环比翻倍以上的增长，公司积极推进新产品研发，同时在供应短缺情况下和优质客户建立长期合作关系。NOR Flash 受益于下游服务器、汽车等领域需求的拉动，叠加价格温和上涨，收入环比良好增长；SLC NAND Flash 在海外大厂加速退出 2D NAND 的背景下，面临显著缺货局面，产品价格高增，收入环比强劲增长。 上游成本压力传导，MCU 迎来涨价浪潮 公司作为国内最大的 32 位 MCU 提供方，GD32MCU 产品已成功量产 69 个产品系列、超过 700 款 MCU 产品，实现对高性能、主流型、入门级、低功耗、无线、车规、专用等产品的全面覆盖。公司产品内核覆盖 ARM Cortex-M23、M3、M4、M33及 M7。MCU 的产品价格经历了较长时间的下行，行业基本处于无库存的状态。由于大量 MCU 产品依赖 NOR Flash 存储代码与固件，内存价格上涨的涟漪效应已开始向 MCU 供应链延伸。随着供应链成本的上涨和客户普遍调整库存策略以增加安全库存，多家主要 MCU 供应商在短期内密集宣布涨价，行业性涨价浪潮正在加速形成。 盈利预测 预测公司 2026-2028 年收入分别为 170.48、213.70、262.88亿元，EPS 分别为 8.35、10.55、12.68 元，当前股价对应 PE分别为 92、73、61 倍，公司作为存储龙头，随着存储供应紧张带来的量价齐升，叠加 MCU 涨价浪潮的形成，有望持续受益，维持“买入”投资评级。 风险提示 宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

兆易创新(603986) l投资要点 存储周期上行，利基型存储均不同程度受益。2025年公司存储芯片营收同比增长26.41%。受行业供给收缩影响，利基型DRAM、SLC NAND Flash价格较快上行，NOR Flash保持稳健增长且在2025年下半年价格温和上行。受益于汽车、工业、存算、消费电子等领域需求拉动，NOR Flash全年营收与出货量同步增长；SLC NAND Flash2025年上半年表现承压，下半年因海外大厂退出2D NAND导致供给缺口，实现量价齐升、毛利改善。海外大厂逐步退出利基型DRAM赛道，市场供需紧张，该品类自2025Q2起量价齐升、毛利持续修复，DDR4产品占比提升，新品导入顺利并成为收入主力。2026Q1利基型DRAM收入环比大增，营收占比升至约三分之一。公司预计2026年利基DRAM价格仍有上行空间，2027年之后，随着利基DRAM市场主要产能边际增加，价格可能进入高位震荡阶段，不排除会从峰值向下适当回归，但仍将维持在较高的价格区间。另外，定制化存储解决方案进展顺利，预计2026年围绕汽车座舱、AIPC、机器人等端侧AI领域将迎来部分项目的量产，从而贡献数亿元人民币的营收。 拓展AI MCU产品线，计划推出集成NPU的AI MCU。MCU产品方面，公司持续提高研发效能，丰富产品料号，强化深耕优质消费及工业市场，2025年出货量的增长带动MCU产品的营收同比增长12.98%。下游应用领域方面，消费、工业、汽车、存储与计算及网通领域的营收均实现同比稳健增长。2026Q1，公司MCU业务收入环比大幅增长。2026年，公司将继续推动产品料号升级，拓展AIMCU产品线，并计划推出集成NPU的AI MCU产品，主要面向自动化、数字能源、AIoT等下游客户。产品价格方面，由于行业整体面临供应链成本上涨的压力，预计公司MCU产品普遍与客户沟通涨价。在营收上，预计2026年将维持约20%相对稳健的同比增长。 积极拥抱AI，多元化产品布局储备多重增长动能。2026年，公司将继续坚持以市占率为中心的目标，把握存储行业周期上行的机遇；同时积极拥抱AI，推动定制化存储解决方案逐步落地。Flash业务方面，公司将把握NOR Flash供给紧张带来的市场份额提升机遇，在国产服务器、汽车电子、端侧AI等领域继续提升份额，也会努力抓住海外市场份额提升的机会，在PC、汽车、消费电子等领域持续耕耘。公司将积极把握2D NAND市场大厂退出带来的市场份额提升机遇，积极研发更高存储密度的产品，期待2DNAND中期成为公司新的增长引擎。利基DRAM业务方面，在本轮缺货周期中，公司不单纯追求短期毛利率的提升，相比之下更加重视与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括TV客户、工业类（如电力）客户、AI相关应用等。公司积极推进料号演进，在2026年下半年将实现LPDDR4小容量产品、新制程DDR48Gb产品的量产，并开启LPDDR5小容量产品的研发。MCU方面，公司将继续强化在汽车、工业、白电、光模块、机器人等领域的布局，推动各类产品规划的稳步落地。 l投资建议 我们预计公司2026/2027/2028年分别实现收入169/211/254亿元，归母净利润分别为61/75/90亿元，维持“买入”评级。 l风险提示 宏观环境和行业波动风险，供应链风险，人才流失风险，汇兑损益风险，产品研发不及预期的风险，外延并购整合不及预期的风险。

兆易创新(603986) 业绩高增，盈利能力大幅提升公司2025年实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归母净利润16.48亿元，同比增长49.47%； 2026Q1实现营业收入41.88亿元，同比增长119.38%、环比增长76.58%；归母净利润14.61亿元，同比增长522.79%。公司盈利能力显著增强，2026Q1毛利率达到57.07%，环比提升12.17pct。 存储业务量价齐升，三大产品线全面进入上行通道 2025年，公司存储芯片实现营收65.66亿元、同比+26.41%，毛利率为42.84%、同比+2.57pct，成为业绩高增的核心驱动力。AI需求快速提升，存储芯片全品类共振上涨，海外大厂大幅缩减利基市场供给，公司充分受益于供需错配带来的涨价红利。 DRAM方面，价格保持上涨趋势，公司业务增长迅猛，2026Q1营收占比提升至约三分之一。公司与长鑫的采购金额大幅提升，预计2026年全年采购金额达57亿元，提供坚实产能保障。公司保持较快的研发迭代速度，LPDDR4产品及D4 8Gb新制程产品已于年初完成流片，有望下半年进入量产，公司产品结构正从DDR3向更高附加值品类加速切换。价格方面，公司预计利基DRAM产品2026年有望继续攀升，2027年后随产能边际增加进入高位震荡阶段。 NOR Flash方面，位居全球第二，公司在汽车、光模块、端侧AI、国内服务器等领域的份额实现较快提升，并于2025年实现45nm的NOR Flash的规模化量产。当前行业供需紧平衡，公司联合供应商稳步推进产能扩张，预计全年价格将延续温和上涨态势，业务毛利率稳步提升。 SLC NAND方面，海外大厂将产能转向3D NAND，2D NAND供给出现明显缺口，价格陡峭上行。2026Q1销量环比增长约25%，收入占比大幅提升。公司具备全面料号布局，客群结构进一步优化，8Gb SLC NAND Flash已于近期向海外TV客户送样。 定制化存储进展积极，商业化进程加速 定制化存储采用与客户深度协作开发的路径，围绕端侧AI场景提供差异化方案，具备更高的客户粘性与技术壁垒，公司在定制化存储方面具有先发优势，客户资源及技术积累深厚。2025年下半年已陆续有部分项目进入客户送样，今年有望看到定制化存储解决方案的积极进展，包括在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产并贡献数亿元营收。 MCU业务稳步发展，拓展新兴领域 2026Q1，公司MCU业务收入环比大幅增长，持续推动产品料号升级，扩充AI MCU产品线，计划开发集成NPU的AI MCU产品，主要面向自动化、数字能源、AIoT等高附加值下游场景，有望打开新的增量空间。公司持续深化MCU产品在光模块和电源模块两大高景气领域布局。GD32 MCU产品已覆盖从低速到高速光模块的全系列应用，国内光模块市场市占率较高，行业内主要客户基本均已导入使用。电源模块领域，公司近期陆续推出新产品并已导入头部知名客户，处于国产替代第一梯队。 投资建议 公司存储产品技术领先、收入结构优化、业务领域不断拓展。我们看好公司在存储行业上行，定制化存储快速发展以及下游需求增长背景下的长期投资价值。预计2026-2028年分别实现归母净利润59.94亿元、72.25亿元、85.98亿元，对应PE分别41、34、29倍，维持“买入”评级。 风险提示 新产品研发进度不及预期；行业竞争加剧的风险；地缘政治的风险；上游代工产能紧张及成本上涨的风险。

兆易创新(603986) 【内容摘要】 业绩高增，盈利能力大幅提升 公司2025年实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归母净利润16.48亿元，同比增长49.47%；2026Q1实现营业收入41.88亿元，同比增长119.38%、环比增长76.58%；归母净利润14.61亿元，同比增长522.79%。公司盈利能力显著增强，2026Q1毛利率达到57.07%，环比提升12.17pct。 存储业务量价齐升，三大产品线全面进入上行通道 2025年，公司存储芯片实现营收65.66亿元、同比+26.41%，毛利率为42.84%、同比+2.57pct，成为业绩高增的核心驱动力。AI需求快速提升，存储芯片全品类共振上涨，海外大厂大幅缩减利基市场供给，公司充分受益于供需错配带来的涨价红利。 DRAM方面，价格保持上涨趋势，公司业务增长迅猛，2026Q1营收占比提升至约三分之一。公司与长鑫的采购金额大幅提升，预计2026年全年采购金额达57.11亿元，提供坚实产能保障。公司保持较快的研发迭代速度，LPDDR4产品及D48Gb新制程产品已于年初完成流片，有望下半年进入量产，公司产品结构正从DDR3向更高附加值品类加速切换。价格方面，公司预计利基DRAM产品2026年有望继续攀升，2027年后随产能边际增加进入高位震荡阶段。 NORFlash方面，位居全球第二，公司在汽车、光模块、端侧AI、国内服务器等领域的份额实现较快提升，并于2025年实现45nm的NORFlash的规模化量产。当前行业供需紧平衡，公司联合供应商稳步推进产能扩张，预计全年价格将延续温和上涨态势，业务毛利率稳步提升。 SLCNAND方面，海外大厂将产能转向3DNAND，2DNAND供给出现明显缺口，价格陡峭上行。2026Q1销量环比增长约25%，收入占比大幅提升。公司具备全面料号布局，客群结构进一步优化，8GbSLCNANDFlash已于近期向海外TV客户送样。 定制计划存储进展积极，商业化进程加速 定制化存储采用与客户深度协作开发的路径，围绕端侧AI场景提供差异化方案，具备更高的客户粘性与技术壁垒，公司在定制化存储方面具有先发优势，客户资源及技术积累深厚。2025年下半年已陆续有部分项目进入客户送样，今年有望看到定制化存储解决方案的积极进展，包括在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产并贡献数亿元营收。 MCU业务稳步发展，拓展新兴领域 2026Q1，公司MCU业务收入环比大幅增长，持续推动产品料号升级，扩充AIMCU产品线，计划开发集成NPU的AIMCU产品，主要面向自动化、数字能源、AIoT等高附加值下游场景，有望打开新的增量空间。公司持续深化MCU产品在光模块和电源模块两大高景气领域布局。GD32MCU产品已覆盖从低速到高速光模块的全系列应用，国内光模块市场市占率较高，行业内主要客户基本均已导入使用。电源模块领域，公司近期陆续推出新产品并已导入头部知名客户，处于国产替代第一梯队。 投资建议 公司存储产品技术领先、收入结构优化、业务领域不断拓展。我们看好公司在存储行业上行，定制化存储快速发展以及下游需求增长背景下的长期投资价值。预计2026-2028年分别实现归母净利润59.94亿元、72.25亿元、85.98亿元，对应PE分别41、34、29倍，维持“买入”评级。 风险提示 新产品研发进度不及预期；行业竞争加剧的风险；地缘政治的风险；上游代工产能紧张及成本上涨的风险。

兆易创新(603986) 投资要点 AI算力建设&存储周期稳步上升，共同带动公司业绩稳步增长。2025年，公司营业收入实现稳健增长，主要得益于技术变革、行业格局优化及公司战略有效落地形成的多重协同效应。技术层面，AI算力建设提速带动需求显著提升，公司面向PC、服务器、汽车电子等领域产品深度受益。行业层面，存储行业周期稳步上行，供需结构优化推动产品价量齐升。公司始终坚持以市场占有率为核心的发展目标，持续深化多元化产品布局，多领域需求增长与公司丰富的产品矩阵形成高效协同，为全年业绩稳步攀升提供坚实支撑。公司预计2025年度实现营业收入约92.03亿元，同比增加25%；预计归母净利润约为16.10亿元，同比增长46%；扣非后净利润约为14.23亿元，同比增长38%，主要是公司2025年持有的证券投资期末公允价值上升，公司相应确认的公允价值变动收益增加。 头部厂商聚焦高端/AI带动需求/价格上涨，共促DRAM业务成长。在利基DRAM市场，主要头部厂商退出带来明显的供给紧缩，同时需求端进一步出现积极变化，在AI基建等因素的拉动下，算力需求的增长对存储的需求量进一步显著提升。在此情况下，预期利基DRAM仍将处于供不应求的局面。公司利基DRAM业务2025年业绩表现亮眼，除受益于行业周期改善以外，更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护：（1）产品料号方面，公司2025年新量产的DDR48Gb较快抢占份额，进入2025Q3销量已经与DDR44Gb基本相当。2026年公司将实现自研LPDDR4X小容量产品的量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。（2）客户关系方面，在本轮供应紧张周期中，公司不单纯追求短期毛利率的提升，也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括：TV客户、工业类（如电力）客户、AI相关应用（如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用）等。价格方面，利基型DRAM产品在2025年一季度末价格已经回暖，并在2025年Q2及Q3均有价格上涨，源于行业整体处于供不应求的局面。根据集邦数据，AI已从早期大模型训练，演进至结合推理、记忆与决策能力，对存储器容量、带宽与存取效率需求呈现指数型提升。此一技术演变，使本轮DRAM涨势幅度显著高于历史循环，以过往数据来看，单季涨幅最高约为35%，然而，在DDR5需求拉升带动下，DRAM去年第四季涨幅已达53-58%。在已经推高DRAM价格基础下，CSP仍旧不减对存储器需求，持续推升价格上扬，预期今年第一季将有60%以上涨幅，甚至在部分产品线将有近翻倍的报价。叠加未来三个季度仍持续看涨的预期，将大幅推升DRAM年增产值至4043亿美元，年增率高达144%。 AI推动带动NorFlash需求稳定增长，预计26全年价格维持上涨。应用方面，在AI服务器端，国内算力芯片厂商如壁仞、摩尔线程的崛起，带动兆易Flash在算力卡上的应用。这些算力卡通常需要8Mb-64Mb的SPINORFlash用于系统启动和固件存储，而7x24小时的高温运行环境对存储芯片的可靠性提出更高要求。此外，5G基站，WiFi6/7无线路由等传输设备同样需要兆易的存储方案，形成“云端-终端-传输”全场景覆盖。价格方面，NORFlash整体产能是联动的，其中大容量产品单颗价值高，对产能的消耗量大，在供应出现紧缺的时候，大容量产品会较早出现涨价，并逐渐传导到中小容量产品。随着AI应用的推广，代码总量在不断上升，长期看对NORFlash产品总的容量需求维持长期稳定增长的状态，预期NORFlash会处于供需相对偏紧的状态。公司预计NORFlash2026年全年仍会维持价格整体温和上涨的节奏。 投资建议：参考公司25年业绩预告及存储行业涨价背景，我们调整公司业绩预计。预计2025-2027年，公司营收分别为92.03/119.75/147.81亿元，同比分别为25.1%/30.1%/23.4%；归母净利润分别为16.10/22.72/28.12亿元，同比分别为46.0%/41.1%/23.8%；对应PE为128.7/91.2/73.6倍。存储周期稳步上行下，考虑到公司不断推进存储芯片工艺制程/品类迭代，Nor有望持续保持领先，随着DRAM头部大厂产能切换，公司或复制NorFlash发展路径且定制化DRAM有望打开增量空间，叠加持续壮大MCU百货商店及传感器与模拟业务发展，在消费电子/汽车电子/工业等智能化背景下，业绩有望持续增长。维持“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期风险；新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险；宏观环境和行业波动风险；供应链风险；汇兑损益风险。

兆易创新(603986) 公司发布2025年业绩预增公告，2025年公司营收净利实现稳健增长，利基存储景气周期有望持续，端侧AI存储前瞻布局，维持公司增持评级。 支撑评级的要点 AI算力建设加速叠加存储行业周期上行，公司2025年业绩稳健增长。公司预计2025年实现营业收入92.03亿元左右，同比+25%，实现归母净利润16.10亿元左右，同比+46%，实现扣非归母净利润14.23亿元左右，同比+38%。单季度来看，公司预计2025Q4实现营收23.71亿元，同比+39%/环比-12%，实现归母净利润5.27亿元，同比+95%/环比+4%，实现扣非归母净利润3.81亿元，同比+51%/环比-23%AI算力建设提速带动需求显著提升，公司面向PC、服务器、汽车电子等领域产品深度受益。同时存储行业周期稳步上行，供需结构优化推动产品价量齐升。同时公司预计26H1从长鑫集团采购代工生产的DRAM相关产品交易额度为2.21亿美元，折合人民币约15.47亿元，较2025年关联交易额度大幅提升。 利基存储涨价行情持续，公司2026年或有望持续受益。根据CFM数据，DDR48Gb3200市场报价已由2025年7月29日的3.20美金上涨至2026年1月20日的15.00美金，涨幅高达369%。此外根据36氪援引摩根士丹利研究报告信息，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧，2026年1月，头部企业对DDR4采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至26Q2，而产能向DDR4转移，也导致高密度DDR3严重短缺，带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%，涨价趋势或延续至2026年下半年。 端侧AI星辰大海，定制化存储抢占先发优势。根据兆易创新投资者活动记录表，行业已经有先导客户的先导产品实现了定制化存储的发布和落地，产品实现的性能亦取得良好效果。公司看好相关技术在产品性能方面带来的优势。同时，2025年10月28日高通正式宣布推出两款AI芯片，其中AI250的核心是引入了一种基于近内存计算的创新内存架构。旨在提供“代际性”的效率和性能提升，预计在2027年进入市场商用。我们认为，随着初代产品的推出和落地，定制化存储正逐步发力，在端侧应用有望逐步规模化，具备先发优势的公司有望深度受益产业浪潮。 估值 综合考虑公司2025年经营持续向好，利基存储2026年景气度有望持续，且公司逐步完善多元化产品条线，有望进一步打开成长天花板，我们上调盈利预测，预计公司2025/2026/2027年分别实现收入92.03/120.41/160.16亿元，实现归母净利润分别为16.10/28.35/36.18亿元，对应2025-2027年PE分别为130.4/74.1/58.1倍我们看好公司多元业务协同发力，维持增持评级。 评级面临的主要风险 存储芯片价格波动风险、存货跌价风险、销量不及预期、新产品开发不及预期、国际贸易摩擦升级。

兆易创新(603986) 事件： 2025年12月31日，兆易创新拟在香港联交所发行2,891.5万股普通股（不包括10%调整权及15%超额配售权），发行价区间为每股132港元至162港元，较2025年12月31日A股收市价214.25元人民币折价32%~45%。该公司预计将募资至多46.8亿港元，招股日期为2025年12月31日至2026年1月8日，股票将于1月13日挂牌交易。 公司国际配售引入17家基石投资者，包括云峰基金、CPE源峰、景林资产、DymonAsia、奇点资产、3WFund、华勤技术、TCL、OPPO创始人陈明永、小米集团、新华资管、泰康人寿、SummitRidge、工银理财、大湾区共同家园、观博资本等合计认购等值约3亿美元。 IPO募资用途包括，1）约40%用于提升研发能力，凸显其技术驱动的发展逻辑；2）35%将投向战略性行业并购与投资，强化产业链协同；3）9%用于全球营销网络建设与海外布局，进一步提升国际影响力。 评论： 兆易创新是中国Fabless模式芯片设计领军企业之一，主营产品包括存储、微控制器MCU、传感器芯片、模拟芯片。公司致力于打造“感存算控连”一体化芯片生态。经过20多年的发展，公司已发展成为一家在细分市场全球领先的Fabless芯片设计企业。Flash存储领域，公司的NORFlash市场份额排名全球第二，内地第一，在产业内的向上势头持续，行业地位稳固。微控制器领域，公司是排名第一的中国品牌ARM架构通用MCU供应商。2025年前三季度，公司实现收入68.32亿元，同比增长20.9%，归母净利润10.83亿元，同比增长30.2%，继续延续2024年以来的稳健复苏态势。 我们认为，随着AI时代的到来，公司的存储和MCU业务均将迎来新机遇。 1)存储：消费类终端电子产品AI化转型，带动NORFlash、定制化DRAM存储的需求高成长。另外，AI眼镜、AI耳机、机器人等新品类也将带来新应用场景的爆发。定制化DRAM以其高速率、低功耗优势，有望成为未来端侧AI设备的必备存储选项。公司提前布局，设立子公司青耘科技开展定制化存储业务，与高通、Intel、字节等国际大厂积极合作，有望在2026年实现手机、AIPC、端侧AI设备、智能汽车机器人等领域落地。 2)MCU：公司完善“MCU+AI”布局，将轻量化模型适配MCU，提供高性能MCU及智能电机控制等解决方案，在智慧工厂、安防、电机控制、智能汽车、端侧AI设备等场景落地。

兆易创新(603986) 全球领先Fabless芯片供应商，“感存算控连”多元布局。公司是全球领先的Fabless芯片供应商，在传统优势业务Flash的基础上，持续推进MCU、利基型DRAM、传感器及模拟芯片业务领域新产品线，通过外延并购和内部孵化等方式，新业务加速发展，形成“感存算控连”多元布局。受益下游需求回暖和海外大厂退出利基市场的机会，存储市场迎来周期向上，公司存储产品量价齐升，25年前三季度实现收入68.32亿元，同比增速20.92%，归母净利润10.83亿元，同比增速30.18%。 端侧AI驱动NOR Flash市场规模扩容，公司NOR Flash市场份额跃升至全球第二。根据弗若斯特沙利文数据，NOR Flash市场全球规模24年28亿美元，同比增速27%，预计在29年增长至42亿美元，年复合增速8.4%，主要得益于消费类终端设备如智能手机、PC、可穿戴、智能家居等AI化转型，以及新应用场景如AI眼镜落地和汽车三化推进。公司产品覆盖512Kb到2Gb的容量范围，支持等多种供电类型，为率先实现45nm节点SPI NOR Flash大规模量产的公司之一，24年以18.5%的市场份额跃升至全球第二、内地第一。 利基型DRAM供给端格局优化，定制化存储打开成长空间。为应对高性能计算对HBM、DDR5和LPDDR5产品的爆发性需求，三星、SK海力士、美光等海外原厂逐步退出DDR3市场，同时大幅削减DDR4等利基型产品的产能分配，海外大厂的退出为供给端带来缺口，国产厂商迎来历史性机遇。公司利基型DRAM产品线基本铺齐，DDR4 8Gb较快抢占份额，自研LPDDR4系列预计26年实现量产。伴随存储进入周期上行区间，公司产品迎来量价齐升，利基型DRAM业务有望成为第二大产品线。同时，公司前瞻性布局定制存储，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，26年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。 盈利预测与投资建议：预计2025-2027年营业总收入分别为94.23、119.46、149.62亿元，同比增速分别为28.09%、26.78%、25.25%；归母净利润分别为17.76、25.29、31.68亿元，同比增速分别为61.08%、42.38%、25.29%，对应25-27年PE分别为82X、57X、46X，维持“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险；地缘政治风险。

兆易创新(603986) l投资要点 AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，NOR Flash用量持续提升。HBM4作为HBM3E的迭代产品，在带宽、容量、功耗等核心性能指标及制造工艺上均实现跨越式升级，这种技术升级使得其对应的AI服务器对承担系统初始化等功能的NOR Flash用量大幅提升。一方面，HBM4的复杂结构依赖NOR Flash适配。HBM4采用2048位接口，传输速率提升至8Gb/s，总带宽达到2TB/s，较HBM3（1TB/s）实现翻倍增长；HBM4还支持4-18层的TSV堆叠，芯片密度达到24Gb或32Gb，单堆栈的最大容量可达64GB；HBM4的独立通道数从HBM3的16个增至32个。HBM4物理结构和电源管理逻辑远复杂于HBM3E，NOR Flash承担着AI服务器系统初始化、安全启动和固件存储的核心功能，可满足HBM4每层DRAM独立电源管理与初始化的需求。另一方面，AI服务器需求放量放大NOR用量缺口。11月11日，据科创板日报援引台湾经济日报报道，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%。 GPU/DPU算力部件、BMC、RAID控制器等管理与存储辅助部件推动NOR Flash用量。GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中，高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求，如8个英伟达A100组成的GPU模组中，有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用，以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时，作为云端服务器标配的数据处理单元DPU，因云端处理与GPU加速的异构计算特性，对存储方案提出分级需求：256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景，8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求，通过精准匹配任务负载的分级策略，实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。AI服务器的技术演进推动SPI NORFlash需求持续升级：针对紧凑空间设计，需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案；耐高温性能适配数据中心高温环境；面对高速信号传输中的干扰与衰减问题，需强化驱动能力以保障信号完整性；针对高安全敏感市场，数据加密功能需求显著提升；同时，BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多，推动产品向轻量化、定制化方向发展。 AI大发展时代，定制化存储市场空间潜力巨大。AI模型推理场景，除了算力芯片，数据存储的带宽和降本需求也是关键，基于先进封装的近存计算应运而生。3D DRAM相较于HBM和传统DDR，3D DRAM比HBM的功耗更低，适合端侧低功耗场景，同时定制化可实现更高带宽，可通过定制更多I/O接口实现超高带宽，而传统DDR的带宽偏低；另外，3D DRAM成本更低，对比海外存储大厂HBM颗粒十几美元/GB的价格，国产定制化存储有望实现显著的降本，更加适合端侧海量设备的普及。3D DRAM潜在限制为存储容量，相较于HBM，3D DRAM能做到几十GB的水平，能够适用于部分云端的场景。3D DRAM凭借高带宽、低功耗、适配定制化的特性，契合端侧与边缘侧AI推理对数据传输效率和功耗控制的核心需求，当前已通过与多家芯片厂商合作实现商业化落地，在边缘计算、机器人、智能座舱等多推理场景形成突破，同时国内产业链已构建起从技术研发到量产供应的完整落地体系。公司定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看，公司坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。 l投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入95/120/150亿元，实现归母净利润分别为16/25/33亿元，维持“买入”评级。 l风险提示 宏观环境和行业波动风险，供应链风险，人才流失风险，汇率风险。