| 流通市值:2061.64亿 | 总市值:2164.30亿 | ||
| 流通股本:6.68亿 | 总股本:7.01亿 |
兆易创新最近3个月共有研究报告4篇,其中给予买入评级的为2篇,增持评级为1篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;
| 发布时间 | 研究机构 | 分析师 | 评级内容 | 报告标题 | ||
| 本期评级 | 评级变动 | |||||
| 2026-01-29 | 华金证券 | 熊军,宋鹏 | 买入 | 维持 | AI基建叠加存储周期上行,带动公司业绩增长 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 投资要点 AI算力建设&存储周期稳步上升,共同带动公司业绩稳步增长。2025年,公司营业收入实现稳健增长,主要得益于技术变革、行业格局优化及公司战略有效落地形成的多重协同效应。技术层面,AI算力建设提速带动需求显著提升,公司面向PC、服务器、汽车电子等领域产品深度受益。行业层面,存储行业周期稳步上行,供需结构优化推动产品价量齐升。公司始终坚持以市场占有率为核心的发展目标,持续深化多元化产品布局,多领域需求增长与公司丰富的产品矩阵形成高效协同,为全年业绩稳步攀升提供坚实支撑。公司预计2025年度实现营业收入约92.03亿元,同比增加25%;预计归母净利润约为16.10亿元,同比增长46%;扣非后净利润约为14.23亿元,同比增长38%,主要是公司2025年持有的证券投资期末公允价值上升,公司相应确认的公允价值变动收益增加。 头部厂商聚焦高端/AI带动需求/价格上涨,共促DRAM业务成长。在利基DRAM市场,主要头部厂商退出带来明显的供给紧缩,同时需求端进一步出现积极变化,在AI基建等因素的拉动下,算力需求的增长对存储的需求量进一步显著提升。在此情况下,预期利基DRAM仍将处于供不应求的局面。公司利基DRAM业务2025年业绩表现亮眼,除受益于行业周期改善以外,更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护:(1)产品料号方面,公司2025年新量产的DDR48Gb较快抢占份额,进入2025Q3销量已经与DDR44Gb基本相当。2026年公司将实现自研LPDDR4X小容量产品的量产,并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。(2)客户关系方面,在本轮供应紧张周期中,公司不单纯追求短期毛利率的提升,也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系,包括:TV客户、工业类(如电力)客户、AI相关应用(如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用)等。价格方面,利基型DRAM产品在2025年一季度末价格已经回暖,并在2025年Q2及Q3均有价格上涨,源于行业整体处于供不应求的局面。根据集邦数据,AI已从早期大模型训练,演进至结合推理、记忆与决策能力,对存储器容量、带宽与存取效率需求呈现指数型提升。此一技术演变,使本轮DRAM涨势幅度显著高于历史循环,以过往数据来看,单季涨幅最高约为35%,然而,在DDR5需求拉升带动下,DRAM去年第四季涨幅已达53-58%。在已经推高DRAM价格基础下,CSP仍旧不减对存储器需求,持续推升价格上扬,预期今年第一季将有60%以上涨幅,甚至在部分产品线将有近翻倍的报价。叠加未来三个季度仍持续看涨的预期,将大幅推升DRAM年增产值至4043亿美元,年增率高达144%。 AI推动带动NorFlash需求稳定增长,预计26全年价格维持上涨。应用方面,在AI服务器端,国内算力芯片厂商如壁仞、摩尔线程的崛起,带动兆易Flash在算力卡上的应用。这些算力卡通常需要8Mb-64Mb的SPINORFlash用于系统启动和固件存储,而7x24小时的高温运行环境对存储芯片的可靠性提出更高要求。此外,5G基站,WiFi6/7无线路由等传输设备同样需要兆易的存储方案,形成“云端-终端-传输”全场景覆盖。价格方面,NORFlash整体产能是联动的,其中大容量产品单颗价值高,对产能的消耗量大,在供应出现紧缺的时候,大容量产品会较早出现涨价,并逐渐传导到中小容量产品。随着AI应用的推广,代码总量在不断上升,长期看对NORFlash产品总的容量需求维持长期稳定增长的状态,预期NORFlash会处于供需相对偏紧的状态。公司预计NORFlash2026年全年仍会维持价格整体温和上涨的节奏。 投资建议:参考公司25年业绩预告及存储行业涨价背景,我们调整公司业绩预计。预计2025-2027年,公司营收分别为92.03/119.75/147.81亿元,同比分别为25.1%/30.1%/23.4%;归母净利润分别为16.10/22.72/28.12亿元,同比分别为46.0%/41.1%/23.8%;对应PE为128.7/91.2/73.6倍。存储周期稳步上行下,考虑到公司不断推进存储芯片工艺制程/品类迭代,Nor有望持续保持领先,随着DRAM头部大厂产能切换,公司或复制NorFlash发展路径且定制化DRAM有望打开增量空间,叠加持续壮大MCU百货商店及传感器与模拟业务发展,在消费电子/汽车电子/工业等智能化背景下,业绩有望持续增长。维持“买入”评级。 风险提示:下游需求不及预期风险;新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险;宏观环境和行业波动风险;供应链风险;汇兑损益风险。 | ||||||
| 2026-01-23 | 中银证券 | 苏凌瑶,李圣宣 | 增持 | 维持 | 存储景气周期持续,端云定制化产品方兴未艾 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 公司发布2025年业绩预增公告,2025年公司营收净利实现稳健增长,利基存储景气周期有望持续,端侧AI存储前瞻布局,维持公司增持评级。 支撑评级的要点 AI算力建设加速叠加存储行业周期上行,公司2025年业绩稳健增长。公司预计2025年实现营业收入92.03亿元左右,同比+25%,实现归母净利润16.10亿元左右,同比+46%,实现扣非归母净利润14.23亿元左右,同比+38%。单季度来看,公司预计2025Q4实现营收23.71亿元,同比+39%/环比-12%,实现归母净利润5.27亿元,同比+95%/环比+4%,实现扣非归母净利润3.81亿元,同比+51%/环比-23%AI算力建设提速带动需求显著提升,公司面向PC、服务器、汽车电子等领域产品深度受益。同时存储行业周期稳步上行,供需结构优化推动产品价量齐升。同时公司预计26H1从长鑫集团采购代工生产的DRAM相关产品交易额度为2.21亿美元,折合人民币约15.47亿元,较2025年关联交易额度大幅提升。 利基存储涨价行情持续,公司2026年或有望持续受益。根据CFM数据,DDR48Gb3200市场报价已由2025年7月29日的3.20美金上涨至2026年1月20日的15.00美金,涨幅高达369%。此外根据36氪援引摩根士丹利研究报告信息,DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧,2026年1月,头部企业对DDR4采购态度积极,受供应限制,其一季度价格涨幅可能达50%,涨势将延续至26Q2,而产能向DDR4转移,也导致高密度DDR3严重短缺,带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域,NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%,涨价趋势或延续至2026年下半年。 端侧AI星辰大海,定制化存储抢占先发优势。根据兆易创新投资者活动记录表,行业已经有先导客户的先导产品实现了定制化存储的发布和落地,产品实现的性能亦取得良好效果。公司看好相关技术在产品性能方面带来的优势。同时,2025年10月28日高通正式宣布推出两款AI芯片,其中AI250的核心是引入了一种基于近内存计算的创新内存架构。旨在提供“代际性”的效率和性能提升,预计在2027年进入市场商用。我们认为,随着初代产品的推出和落地,定制化存储正逐步发力,在端侧应用有望逐步规模化,具备先发优势的公司有望深度受益产业浪潮。 估值 综合考虑公司2025年经营持续向好,利基存储2026年景气度有望持续,且公司逐步完善多元化产品条线,有望进一步打开成长天花板,我们上调盈利预测,预计公司2025/2026/2027年分别实现收入92.03/120.41/160.16亿元,实现归母净利润分别为16.10/28.35/36.18亿元,对应2025-2027年PE分别为130.4/74.1/58.1倍我们看好公司多元业务协同发力,维持增持评级。 评级面临的主要风险 存储芯片价格波动风险、存货跌价风险、销量不及预期、新产品开发不及预期、国际贸易摩擦升级。 | ||||||
| 2026-01-05 | 第一上海证券 | 黄晨 | 国产存储+MCU双龙头,端侧AI打开成长空间 | 查看详情 | ||
兆易创新(603986) 事件: 2025年12月31日,兆易创新拟在香港联交所发行2,891.5万股普通股(不包括10%调整权及15%超额配售权),发行价区间为每股132港元至162港元,较2025年12月31日A股收市价214.25元人民币折价32%~45%。该公司预计将募资至多46.8亿港元,招股日期为2025年12月31日至2026年1月8日,股票将于1月13日挂牌交易。 公司国际配售引入17家基石投资者,包括云峰基金、CPE源峰、景林资产、DymonAsia、奇点资产、3WFund、华勤技术、TCL、OPPO创始人陈明永、小米集团、新华资管、泰康人寿、SummitRidge、工银理财、大湾区共同家园、观博资本等合计认购等值约3亿美元。 IPO募资用途包括,1)约40%用于提升研发能力,凸显其技术驱动的发展逻辑;2)35%将投向战略性行业并购与投资,强化产业链协同;3)9%用于全球营销网络建设与海外布局,进一步提升国际影响力。 评论: 兆易创新是中国Fabless模式芯片设计领军企业之一,主营产品包括存储、微控制器MCU、传感器芯片、模拟芯片。公司致力于打造“感存算控连”一体化芯片生态。经过20多年的发展,公司已发展成为一家在细分市场全球领先的Fabless芯片设计企业。Flash存储领域,公司的NORFlash市场份额排名全球第二,内地第一,在产业内的向上势头持续,行业地位稳固。微控制器领域,公司是排名第一的中国品牌ARM架构通用MCU供应商。2025年前三季度,公司实现收入68.32亿元,同比增长20.9%,归母净利润10.83亿元,同比增长30.2%,继续延续2024年以来的稳健复苏态势。 我们认为,随着AI时代的到来,公司的存储和MCU业务均将迎来新机遇。 1)存储:消费类终端电子产品AI化转型,带动NORFlash、定制化DRAM存储的需求高成长。另外,AI眼镜、AI耳机、机器人等新品类也将带来新应用场景的爆发。定制化DRAM以其高速率、低功耗优势,有望成为未来端侧AI设备的必备存储选项。公司提前布局,设立子公司青耘科技开展定制化存储业务,与高通、Intel、字节等国际大厂积极合作,有望在2026年实现手机、AIPC、端侧AI设备、智能汽车机器人等领域落地。 2)MCU:公司完善“MCU+AI”布局,将轻量化模型适配MCU,提供高性能MCU及智能电机控制等解决方案,在智慧工厂、安防、电机控制、智能汽车、端侧AI设备等场景落地。 | ||||||
| 2025-12-26 | 太平洋 | 张世杰,李珏晗 | 买入 | 维持 | 兆易创新深度报告:存储+MCU国内龙头,端侧AI与国产替代共驱增长 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 全球领先Fabless芯片供应商,“感存算控连”多元布局。公司是全球领先的Fabless芯片供应商,在传统优势业务Flash的基础上,持续推进MCU、利基型DRAM、传感器及模拟芯片业务领域新产品线,通过外延并购和内部孵化等方式,新业务加速发展,形成“感存算控连”多元布局。受益下游需求回暖和海外大厂退出利基市场的机会,存储市场迎来周期向上,公司存储产品量价齐升,25年前三季度实现收入68.32亿元,同比增速20.92%,归母净利润10.83亿元,同比增速30.18%。 端侧AI驱动NOR Flash市场规模扩容,公司NOR Flash市场份额跃升至全球第二。根据弗若斯特沙利文数据,NOR Flash市场全球规模24年28亿美元,同比增速27%,预计在29年增长至42亿美元,年复合增速8.4%,主要得益于消费类终端设备如智能手机、PC、可穿戴、智能家居等AI化转型,以及新应用场景如AI眼镜落地和汽车三化推进。公司产品覆盖512Kb到2Gb的容量范围,支持等多种供电类型,为率先实现45nm节点SPI NOR Flash大规模量产的公司之一,24年以18.5%的市场份额跃升至全球第二、内地第一。 利基型DRAM供给端格局优化,定制化存储打开成长空间。为应对高性能计算对HBM、DDR5和LPDDR5产品的爆发性需求,三星、SK海力士、美光等海外原厂逐步退出DDR3市场,同时大幅削减DDR4等利基型产品的产能分配,海外大厂的退出为供给端带来缺口,国产厂商迎来历史性机遇。公司利基型DRAM产品线基本铺齐,DDR4 8Gb较快抢占份额,自研LPDDR4系列预计26年实现量产。伴随存储进入周期上行区间,公司产品迎来量价齐升,利基型DRAM业务有望成为第二大产品线。同时,公司前瞻性布局定制存储,陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段,26年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。 盈利预测与投资建议:预计2025-2027年营业总收入分别为94.23、119.46、149.62亿元,同比增速分别为28.09%、26.78%、25.25%;归母净利润分别为17.76、25.29、31.68亿元,同比增速分别为61.08%、42.38%、25.29%,对应25-27年PE分别为82X、57X、46X,维持“买入”评级。 风险提示:下游需求不及预期风险;行业竞争加剧风险;地缘政治风险。 | ||||||
| 2025-11-16 | 中邮证券 | 吴文吉,翟一梦 | 买入 | 维持 | 服务器推动NOR增长,推理加速3D DRAM商业落地 | 查看详情 |
兆易创新(603986) l投资要点 AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4,NOR Flash用量持续提升。HBM4作为HBM3E的迭代产品,在带宽、容量、功耗等核心性能指标及制造工艺上均实现跨越式升级,这种技术升级使得其对应的AI服务器对承担系统初始化等功能的NOR Flash用量大幅提升。一方面,HBM4的复杂结构依赖NOR Flash适配。HBM4采用2048位接口,传输速率提升至8Gb/s,总带宽达到2TB/s,较HBM3(1TB/s)实现翻倍增长;HBM4还支持4-18层的TSV堆叠,芯片密度达到24Gb或32Gb,单堆栈的最大容量可达64GB;HBM4的独立通道数从HBM3的16个增至32个。HBM4物理结构和电源管理逻辑远复杂于HBM3E,NOR Flash承担着AI服务器系统初始化、安全启动和固件存储的核心功能,可满足HBM4每层DRAM独立电源管理与初始化的需求。另一方面,AI服务器需求放量放大NOR用量缺口。11月11日,据科创板日报援引台湾经济日报报道,随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4,堆叠层数增加的趋势下,NOR Flash用量提升约50%。 GPU/DPU算力部件、BMC、RAID控制器等管理与存储辅助部件推动NOR Flash用量。GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中,高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求,如8个英伟达A100组成的GPU模组中,有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用,以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时,作为云端服务器标配的数据处理单元DPU,因云端处理与GPU加速的异构计算特性,对存储方案提出分级需求:256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景,8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求,通过精准匹配任务负载的分级策略,实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。AI服务器的技术演进推动SPI NORFlash需求持续升级:针对紧凑空间设计,需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案;耐高温性能适配数据中心高温环境;面对高速信号传输中的干扰与衰减问题,需强化驱动能力以保障信号完整性;针对高安全敏感市场,数据加密功能需求显著提升;同时,BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多,推动产品向轻量化、定制化方向发展。 AI大发展时代,定制化存储市场空间潜力巨大。AI模型推理场景,除了算力芯片,数据存储的带宽和降本需求也是关键,基于先进封装的近存计算应运而生。3D DRAM相较于HBM和传统DDR,3D DRAM比HBM的功耗更低,适合端侧低功耗场景,同时定制化可实现更高带宽,可通过定制更多I/O接口实现超高带宽,而传统DDR的带宽偏低;另外,3D DRAM成本更低,对比海外存储大厂HBM颗粒十几美元/GB的价格,国产定制化存储有望实现显著的降本,更加适合端侧海量设备的普及。3D DRAM潜在限制为存储容量,相较于HBM,3D DRAM能做到几十GB的水平,能够适用于部分云端的场景。3D DRAM凭借高带宽、低功耗、适配定制化的特性,契合端侧与边缘侧AI推理对数据传输效率和功耗控制的核心需求,当前已通过与多家芯片厂商合作实现商业化落地,在边缘计算、机器人、智能座舱等多推理场景形成突破,同时国内产业链已构建起从技术研发到量产供应的完整落地体系。公司定制化存储解决方案进展顺利,进入年末,陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段,明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看,公司坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用,在AI大发展的时代,定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域,公司凭借自身的研发实力和先发优势,有望占据重要地位。 l投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入95/120/150亿元,实现归母净利润分别为16/25/33亿元,维持“买入”评级。 l风险提示 宏观环境和行业波动风险,供应链风险,人才流失风险,汇率风险。 | ||||||
| 2025-11-10 | 太平洋 | 张世杰,李珏晗 | 买入 | 维持 | 存储周期上行,Q3业绩大幅增长 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 事件:公司发布25年三季报,25年前三季度实现营业总收入68.32亿元,同比增长20.92%;归属母公司股东的净利润10.83亿元,同比增长30.18%;扣除非经常性损益后的归属母公司股东净利润10.42亿元,同比增长34.04%。 受益存储产品涨价,公司盈利能力大幅提升。公司Q3单季度实现营业收入26.81亿元,同比增长31.40%;归母净利润5.08亿元,同比增长61.13%;扣非归母净利润4.98亿元,同比增长63.71%,公司Q3业绩同比、环比均实现大幅增长,受益存储产品涨价驱动,公司Q3毛利率40.72%,环比增长3.7pct。 利基型DRAM业务成长亮眼,有望成为公司第二大产品线。公司利基型DRAM增长强劲,量价齐升,主要源自算力产业爆发来带的对存储需求量增加,叠加海外三大厂商退出利基市场,行业供给端明显偏紧。公司在产品料号布局不断完善,25年新量产的DDR48Gb较快抢占份额,进入Q3销量已经与DDR44Gb基本相当,预计26年将实现自研LPDDR4系列产品的量产,并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。公司积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系,包括TV客户、工业类如电力客户、AI相关应用如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用等。 定制化存储进展显著,终端应用陆续落地。AI端侧落地为定制化存储带来广阔空间,公司凭借研发优势进行前瞻性布局,定制化存储解决方案进展显著,陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段,明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。 盈利预测与投资建议:预计2025-2027年营业总收入分别为93.73、117.61、139.58亿元,同比增速分别为27.42%、25.48%、18.68%;归母净利润分别为15.30、20.51、25.87亿元,同比增速分别为38.74%、34.11%、26.13%,对应25-27年PE分别为96X、72X、57X,维持“买入”评级。 风险提示:下游需求不及预期风险;行业竞争加剧风险。 | ||||||
| 2025-11-06 | 国信证券 | 胡剑,胡慧,叶子,张大为,詹浏洋,李书颖,连欣然 | 增持 | 维持 | 存储周期上行,3Q25扣非归母净利润环比增长55.25% | 查看详情 |
兆易创新(603986) 核心观点 3Q25受益于存储价格上涨,归母净利润同环比增加。公司主要产品包括存储器、微控制器和传感器;其中存储器分为SPINOR、SLCNAND和DRAM,微控制器包括ARM核和RISC-V开源内核MCU,传感器包括触控和指纹识别芯片。受益于存储价格上涨,公司3Q25单季度实现营收26.81亿元(YoY+31.4%,QoQ+19.64%),扣非归母净利润4.98亿元(YoY+63.71%,QoQ+55.25%),综合毛利率为40.72%(YoY-1.04pct,QoQ+3.71pct)。利基型DRAM景气度持续,DDR4收入占比持续提升。利基型DRAM持续缺货,行业头部厂商不同程度的停产或减产导致利基型DRAM产能缺口较大,公司预计涨价趋势有望持续到今年第四季度,并在明年全年维持相对较高的价格水平。在此基础上,公司DDR4产品的收入占比逐季提升,目前占比超50%,新产品DDR48Gb加速应用。得益于涨价与产品结构升级,公司利基DRAM毛利率逐季度提升,预计有望保持健康水平。 AI推动Nor Flash需求增长,定制化存储方案持续推广。AI应用推广带来代码量持续上升,推动NOR Flash容量需求提升,行业增长预期持续上调,产品价格温和上涨。定制化存储进展顺利,公司聚焦端侧推理应用,目前不同的下游厂商陆续推出基于公司定制化存储解决方案的产品,未来公司凭借在该领域的先发优势,有望在端侧AI推理市场中占据重要地位。 MCU应用持续打开,汽车BU打通产品定义、研发及市场推广全链条。公司MCU除机器人、汽车等领域,在数字能源领域近期和Navitas、南瑞等公司达成合作,产品应用于碳化硅、氮化镓的AI电源方案,未来随着数据中心耗电量增加电源需求加速提升,MCU用量有望持续增长。在汽车电子端,公司成立汽车事业部以提升运营效率,车规MCU A7系列(M7单核)已完成研发,并已取得项目定点,车规Nor Flash保持高速增长。 投资建议:我们看好公司构建的存储/MCU/传感器+模拟全面解决方案的多维增长空间,根据存储景气度略上调毛利率,预计25-27公司归母净利润15.73/21.52/27.04亿元(前值25-27年15.25/20.05/25.08亿元),当前股价对应PE倍数为67/49/39倍,维持“优于大市”评级。 风险提示:下游需求不及预期;新产品开发不及预期;国际关系恶化等。 | ||||||
| 2025-11-04 | 中国银河 | 高峰,王子路 | 买入 | 维持 | 业绩符合预期,存储产品量价双增 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 核心观点 公司公告:2025年前三季度,公司实现营业收入68.32亿元,同比增加20.92%;实现归母净利润10.83亿元,同比增加30.18%;25Q3公司实现营业收入26.81亿元,同比增加31.40%;实现归母净利润5.08亿元,同比增加61.13%,业绩整体符合预期。 毛利率与净利率双重提升,规模效应凸显。公司2025年前三季度毛利率为38.6%,同比提升1.8pct,主要得益于DRAM行业供给格局改善带来的定价能力提升,以及消费、工业、汽车等领域需求增长与产品矩阵的协同效应。费用端呈现分化,销售费用率下降0.3个百分点至5.1%,管理费用率下降0.5个百分点至6.6%,体现规模效应;研发费用为8.6亿元,研发费用率下降1.8个百分点至12.6%。净利率提升1.2pct至15.8%,主要受益于产品结构优化带来的毛利提升及费用管控。 存储产品量价双增,定制化存储有望成新增长引擎。存储芯片市场正经历显著的“量价齐升”阶段,三星、美光等国际大厂逐步将DDR4/LPDDR4X产能转向HBM和DDR5等高附加值产品,导致利基型存储市场出现显著的供应缺口。这一结构性调整使得利基型DRAM和NOR Flash的市场供需关系持续紧张,价格自2025年第二季度起进入上升通道,在此行业机遇下,公司利基型存储业务直接受益。同时,互联网大厂以及手机厂商对于定制化存储产品需求提升,定制化存储有望成公司新增长引擎。 投资建议:我们预计公司2025-2027年营业收入分别为95.23/127.45/163.42亿元,对应增长为29.5%/33.8%/28.2%,预计2025-2027年净利润为15.50/21.79/29.05亿元,对应增长为40.6%/40.6%/33.3%,对应PE为94.72/67.37/50.53,维持“推荐”评级。 风险提示:市场需求不足的风险;行业竞争加剧的风险;上游成本变动的风险。 | ||||||
| 2025-11-03 | 华安证券 | 陈耀波,刘志来 | 买入 | 维持 | 存储多元化布局,景气上行推动业绩成长 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 主要观点: 事件 2025年10月29日,兆易创新公告2025年第三季度报告,公司前三季度实现营业收入68.32亿元,同比增长20.92%,归母净利润10.83亿元,同比增长30.18%,扣非归母净利润10.42亿元,同比增长34.04%。对应3Q25单季度营业收入26.81亿元,同比增长31.40%,环比增长19.64%;单季度归母净利润5.08亿元,同比增长61.13%,环比增长48.97%;单季度扣非归母净利润4.98亿元,同比增长63.71%,环比增长55.25%。 存储多元化布局,景气上行推动业绩成长 公司3Q25业绩表现亮眼,主要受益于下游旺季备货以及存储行业周期的进一步改善。盈利能力方面,得益于存储产品涨价的拉动,公司3Q25单季度毛利率环比提升3.7pct至40.72%,进而带动了净利润表现。NOR Flash方面,行业受益于端侧AI发展,如AI眼镜等新终端开始出现,而且代码量增加也对容量提升有积极作用,未来行业增长有望加速,此外NOR Flash价格开始逐步上行,对公司业绩也有积极推动作用。DRAM产品方面,受益于三大存储原厂逐步退出带来的供给紧缩,以及AI基建算力增长对存储需求的显著拉动,利基型DRAM市场进入“价量齐升”的良好态势,公司前期量产的DDR48Gb产品得到快速增长,给后续LPDDR4产品线的陆续开出打下良好基础。公司也在积极推进下一代工艺制程的产品开发和导入,随着后续新制程的产品实现量产,产能有望进一步打开。此外,在定制化存储方面,公司积极与逻辑芯片客户合作,覆盖了多种端侧的应用,明年以后有望看到定制化存储解决方案,在包括AI PC、手机、端侧智能设备、汽车等领域实现样品推出和芯片的量产。 MCU产品线,公司持续拓展MCU细分领域,重点布局工控、光伏、白电等领域,A7系列车规MCU产品线持续拓展,已经推出了功能安全ASIL B的M7单核产品,并且在战略客户实现了产品导入,未来公司还将继续推进产品的高端化,往域控级别的MCU去演进。 投资建议 我们预计2025-2027年归母净利润为15.5、20.7、25.9亿元,对应EPS为2.34、3.12、3.91元/股,对应2025年10月30日收盘价PE为99.3、74.3、59.4倍。维持“买入”评级。 风险提示 市场复苏不及预期;产品价格不及预期;费用端控制不及预期;地缘政治影响超预期。 | ||||||
| 2025-10-30 | 东海证券 | 方霁 | 增持 | 调低 | 公司简评报告:存储供需错配短期或难缓解,公司利基DRAM量价齐升 | 查看详情 |
兆易创新(603986) 投资要点 事件概述:公司10月29日发布2025年Q3业绩公告,1)公司2025年Q3单季度营收为26.81亿元(yoy+31.40%,qoq+19.64%),单季度归母净利润为5.08亿元(yoy+61.13%,qoq+48.97%);2)公司2025Q1-Q3营收合计为68.32亿元(yoy+20.92%)Q1-Q3归母净利润为10.83亿元(yoy+30.18%);3)2025年Q3毛利率为40.72%(yoy-1.05pct,qoq+3.71pct),2025Q1-Q3毛利率为38.59%(yoy-0.87pct)。 全球存储产品供需缺口短期难补,存储芯片大幅涨价,公司充分受益本轮涨价中量价齐升。报告期内,公司DRAM行业供给格局持续改善,形成“价量齐升”的良好态势;公司持续深化多元化产品布局,本报告期消费、工业、汽车等领域需求增长,与公司丰富的产品矩阵形成有效协同,共同推动营业收入实现快速增长。TechInsights数据显示,用于各种应用的DRAM现货价格在今年9月已较去年同期上涨了近两倍。从全球供给方面来看,NAND/DRAM主制造商受此前需求疲软、价格压力影响以及技术迭代等因素影响,以三星、海力士为主的大型企业实行减产或旧制程停产来应对市场变化,从而导致供应今年以来开始紧张。从全球需求方面来看,网络通信、消费电子和工业安防的需求在下半年持续修复,特别是AI推理应用快速发展,催生了大量对实时存取和高速处理海量数据的需求。供需结构错配下,价格在下半年加速上涨,目前存储产能在短期内难以快速恢复应对需求的高速回暖,预计涨价趋势或将延续。TrendForce集邦咨询表示,终端品牌厂商为了防止供应断裂,加强了智能手机LPDDR4X备货,预计第四季度LPDDR4X价格将上涨10%以上;DDR5价格预计也将维持上涨,包括用于PC的DRAM产品将涨价。公司的利基存储产品或充分受益本轮存储行业全面价格上涨。 公司利基DRAM高速增长,新产品导入与推广十分顺利,未来随着新产品不断丰富,利基DRAM或继续高增长。公司的DDR48Gb在年初量产以后,又恰逢供应短缺,迅速在TV、工业等领域实现了产品的导入和在客户端的量产,目前已经成为DRAM部门重要的收入组成部分。LPDDR4小容量产品营收贡献占比较高。全年来看,在量价齐升的背景下,公司有信心实现DRAM产品线同比收入增长50%以上的目标。展望未来,公司目标为用数年的时间占领国内利基DRAM市场三分之一的份额,发展成为国内利基DRAM市场的龙头公司。在定制化存储方面,公司积极与逻辑芯片客户合作,覆盖了多种端侧的应用。公司在堆叠DRAM的带宽、功耗、能效等方面具备较高市场水平,目前已经有一些项目落地。长期来看,公司坚信这个技术路线在端侧AI会得到相对广泛的应用。 投资建议:公司所处存储行业短期供需错配格局难以缓解,涨价趋势或持续,公司充分受益于本轮上升周期中量价齐升。此外,公司不断开拓新产品,不断开拓新的应用市场,产业生态逐步扩张,公司长期或保持增长趋势。我们预计公司2025、2026、2027年归母净利润分别为16.06、20.46、25.94亿元(2025、2026、2027年原预测为15.12、19.51、23.81亿元),当前市值对应2025、2026、2027年PE为100.18、78.63、62.03倍,给予“增持评级。 风险提示:产品价格下跌风险;新产品导入不及预期风险;国际贸易政策波动风险。 | ||||||