北方华创(002371)公司资料

北方华创(002371) 投资要点 看好先进逻辑&存储加速扩产：晶圆厂扩产方面，我们预计2026-2027年内资晶圆厂资本开支持续扩张。1）逻辑端：中芯国际自2023年起产能利用率稳步提升，2025Q3已升至95.8%；国内厂商先进逻辑工艺陆续突破，有望加速落地先进制程产能。2）存储端：2024年全球NAND/DRAM存储器市场中，我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为5/5%，后续仍待突破，我们预计2026年长江存储与长鑫存储合计新增10–12万片/月产能，重点聚焦于3D NAND与HBM制程，投资总额有望达155–180亿美元。根据SEMI预测数据，2026-2027年全球晶圆厂设备支出约8827/9471亿元，分别同比增长9/7%。叠加自主可控需求，我们预计2026-2027年中国大陆晶圆厂设备销售额将达4414/4736亿元，分别同比+21/7%。 海外限制不断收紧，半导体设备国产替代诉求迫切：美日荷持续强化对先进制程设备出口限制，国内晶圆厂在自主可控导向下加快国产设备导入进程。2024年中国大陆半导体设备销售额达495亿元，全球占比42%，连续四年为全球第一大设备市场。我们预计2025年半导体设备国产化率提升至22%，其中刻蚀、清洗、CMP等环节已实现阶段性突破，光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于25%，替代空间广阔。 内生+外延不断拓展公司产品线，彰显半导体设备龙头地位：作为国产半导体设备领军者，公司持续受益设备国产替代+产品线延展。1）刻蚀设备：我们预估2027年中国大陆半导体干法刻蚀设备市场规模达到895亿元。公司在ICP领域主导国内市场，同时积极布局CCP领域，市占率持续提升，高深宽比刻蚀取得率先突破。2）薄膜沉积设备：我们预估2027年中国大陆半导体薄膜沉积设备市场规模将达1089亿元。公司PVD市场竞争力显著，持续拓展CVD、ALD等产品系列，已跻身国内第一梯队，不断打开成长空间。3）Track设备：我国涂胶显影市场规模2025年有望达143.7亿元、2025台。芯源微是国内首家具备量产交付能力的企业，公司通过获得芯源微控股权填补Track产品空白，有望充分受益于Track国产替代进程。4）热处理设备：我们预计2027年中国大陆热处理设备市场规模约为210亿元，公司已具备较强市场竞争力，25H1该业务收入10亿元。5）清洗设备：我们预计2027年中国大陆市场规模约243亿元，公司收购Akrion完善清洗设备产品线，产品体系不断完善，已成功覆盖槽式、单片清洗设备。6）其他：公司积极拓展离子注入机、电镀设备等品类，平台化布局持续深入。 盈利预测与投资评级：考虑到公司2025-2027年集中进行研发投入&股权激励费用影响，我们预计2025-2027年归母净利润分别为58.43（原值65.1）/77.52（原值88.0）/102.34（原值110.9）亿元，分别同比+4%/+33%/+32%。当前股价对应动态PE分别为57/43/33倍，考虑到公司平台化布局持续推进，龙头地位加强巩固，维持“买入”评级。 风险提示：半导体行业投资不及预期、设备国产化不及预期、海外限制加剧风险

北方华创(002371) 投资要点： 事件：12月11日，北方华创完成对成都国泰真空设备有限公司（下称“成都国泰真空”）90%股权交割。交易方面，北京北方华创真空技术有限公司于2024年12月25日出资3672万元取得标的公司90%股权，原股东卢成保留10%。相关股权已于2025年12月5日完成首次持股确认。本次并购实现控股权转移，成都国泰真空正式纳入北方华创体系。 成都国泰真空专注光学真空镀膜装备。1）业务覆盖方面，公司产品应用于光通信、手机镜头、车载光学、传感器、红外、激光、医疗及AR/VR等前沿领域，累计服务客户超400家。2）组织布局方面，公司总部位于成都，在东莞、福州、合肥设有分支机构，并建有研发中心、生产车间、联合研究中心及薄膜实验室。3）技术突破方面，公司在电子束蒸镀、磁控溅射等关键装备上实现突破，自研射频离子源与膜厚监控系统打破高端光学镀膜设备的国外垄断。 真空镀膜设备市场持续扩容，高端领域仍由海外厂商主导，本土企业仍大有可为。光学镀膜设备作为真空镀膜设备细分，其主用于在光学元件及功能材料表面沉积高质量膜层，其性能直接影响下游器件光学表现。由于光学镀膜工艺对真空度、膜层均匀性及稳定性要求极高，因此高端设备技术壁垒显著。根据GlobalMarketInsights数据，2024年全球真空镀膜设备市场规模约270亿美元，预计2024–2032年复合增速将超过6.7%。目前高端真空镀膜设备仍由海外厂商主导，本土企业在先进机型与关键工艺上仍处于提升阶段。我们认为，本次收购将完善北方华创在光学真空装备领域版图，补齐公司在精密光学市场的设备布局。 整合完成后，双方有望共同覆盖基础真空设备到高端光学镀膜装备的完整产品体系。在高端光学镀膜设备依旧依赖进口的背景下，本次收购有望加速关键环节的国产替代进程，进一步夯实北方华创在先进制造装备领域的平台化竞争优势。 投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为72.70亿元、95.26亿元、118.66亿元，对应同比增长29.3%、31.0%、24.6%，对应PE为44.5x、33.9x、27.2x。在国内晶圆厂持续扩产、核心前道设备国产替代推进下，本次收购将完善公司在光学真空镀膜装备领域的产品版图，推进平台化布局，为中长期业绩增长提供新支撑点。 风险提示：光学镀膜设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

北方华创(002371) 投资要点 预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。 受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资270亿美元。 晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。 全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。 当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从HBM以3D堆叠技术突破带宽瓶颈、成为AI芯片标配，到CXL通过架构重构破解“内存墙”、推动数据中心内存池化；从HBF以NAND闪存特性填补性能鸿沟、聚焦AI推理场景，到LPDDR与GDDR分别针对移动/车载、图形/AI推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争，未来，随着JEDEC标准持续完善（如HBM4、LPDDR6）与生态协同深化，内存技术将更紧密贴合AI、数据中心、智能终端的需求，同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着3D堆叠存储的发展，3D NAND目前主流产品已超过200层，未来将向1000层迈进，DRAM未来亦向3D DRAM发展，对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如NAND从32层提高到128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48%。随着3D NAND堆叠层数的增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流。根据SEMI，Memory预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二，其中，DRAM相关设备投资预计将超过790亿美元，3D NAND投资将达到560亿美元。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程，股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024年的21%提升至30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11月22日，公司披露2025年股票期权激励计划（草案），有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善，提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予10,465,975份股票期权，约占本激励计划草案公告时公司股本总额的1.4446%，激励对象共计2,306人，其中，公司董事、高级管理人员7人，核心技术人才及管理骨干2,299人，假设公司2025年11月末授予股票期权，2025年-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元，归母净利润61/84/111亿元，维持“买入”评级。 风险提示 人力资源风险，供应链风险，技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。

北方华创(002371) 投资要点 预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。 受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资270亿美元。 晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。 全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。 当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从HBM以3D堆叠技术突破带宽瓶颈、成为AI芯片标配，到CXL通过架构重构破解“内存墙”、推动数据中心内存池化；从HBF以NAND闪存特性填补性能 图形/AI推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争，未来，随着JEDEC标准持续完善（如HBM4、LPDDR6）与生态协同深化，内存技术将更紧密贴合AI、数据中心、智能终端的需求，同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着3D堆叠存储的发展，对刻蚀设备的需求和性能要求呈指数级增长，同时对每层薄膜厚度的要求更严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流。根据SEMI，Memory预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二，其中，DRAM相关设备投资预计超过790亿美元，3D NAND投资将达到560亿美元。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程，股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024年的21%提升至30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11月22日，公司披露2025年股票期权激励计划（草案），有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善，提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予10,465,975份股票期权，约占本激励计划草案公告时公司股本总额的1.4446%，激励对象共计2,306人，其中，公司董事、高级管理人员7人，核心技术人才及管理骨干2,299人，假设公司2025年11月末授予股票期权，2025年-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元，归母净利润61/84/111亿元，维持“买入”评级。 风险提示 人力资源风险，供应链风险，技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。