长光华芯(688048) 投资要点 全品类高速光芯片矩阵成型，卡位AI高速互联赛道。公司目前已形成EML、VCSEL、DFB、PIN全系列高速光通信芯片矩阵，多款高速光芯片覆盖AI算力全场景需求，其中200G PAM4EML适配800G/1.6T硅光模块，为数据中心高速互联核心器件；8通道100G EML采用8×100G PAM4单芯片集成方案，可直接配套800G FR8光模块，提供算力互联芯片方案；100G PAM4VCSEL带宽、RIN等核心指标优势突出，适配400G/800G短距传输；200mW CW DFB具备全温输出功率超200mW、80℃电光转换效率超20%、5℃-80℃宽温稳定工作的特性，针对性匹配800G/1.6T硅光外置光源与3.2T NPO/CPO共封装光学研发需求，全面卡位AI数据中心高速互联与下一代共封装光学赛道。 8英寸硅光产线年底通线，攻克光电集成量产瓶颈。公司联合亨通光电、东辉光学等产业龙头合资设立星钥光子，项目总投资50亿元，一期投入12亿元，规划建设8英寸90nm硅光产线及异质异构集成平台，计划2026年底通线、2027年初投产。通过星钥光子平台，打通国内激光器、硅光芯片、电芯片产业链协同通道，破解国产硅光与光电集成量产工艺痛点，产品面向光通信、光互联、光计算、光传感等前沿赛道，适配3.2T光模块、量子光芯片等下一代产品迭代需求。 投资建议： 我们预计公司2026/2027/2028年营收分别为7.5/10.2/13.1亿元，归母净利润分别为0.8/1.5/2.5亿元，维持“买入”评级。 风险提示： 技术迭代和研发投入不及预期的风险；市场竞争加剧风险；行业周期性波动风险。

长光华芯(688048) 国内高功率半导体激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线。 公司为国内高功率半导体激光芯片龙头，纵向完成垂直一体化延伸，横向拓展VCSEL与高速光通信芯片，形成多元产品矩阵。公司已建成IDM全流程工艺平台，是全球极少数拥有6寸高功率半导体激光芯片生产线的厂商。公司高功率激光器业务产品结构不断优化，高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品显著进展，驱动公司26Q1延续25年的收入端高成长、利润端拐点向上趋势， 26Q1实现营业总收入1.30亿元，同比增长37.81%，归属于母公司所有者的净利润0.04亿元，同比扭亏为盈。 高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期；硅光/CPO技术演技， CW激光器充分受益。 算力爆发带动高端光芯片需求高增，但受到设备交付、工艺复杂度、良率爬坡等多重因素制约，高端EML供给缺口延续，根据Lumentum指引，出货量与下游实际需求相比缺口预计在20%-30%左右，国产替代迎来黄金机遇期。硅光方案在1.6T及更高速率时代渗透率将加速提升，根据LightCounting数据，硅光光模块26年占比有望突破50%，硅光光模块需配置CW激光器提供光源，推动CW激光器需求结构性增长。伴随英伟达Spectrum-X Ethernet Photonics进入全面量产阶段， CPO产业化不断演进，高功率CW激光器价值进一步凸显。 光通信产品矩阵形成，平台化布局加速，打开成长空间。 公司光通信芯片产品矩阵丰富，在VCSEL、DFB、 EML、 PIN均有布局，覆盖长距短距等多应用场景。公司在高速率光芯片进展显著，推出8通道100G EML和200mW CW DFB。公司100G EML、 70mW/100mW CW DFB已实现量产出货， 200G EML、 200mW CW光源进入客户验证阶段。公司针对下一代技术、材料先发布局，通过全资子公司出资成立星钥光子，前瞻性布局硅光集成技术路线，建设国内首家硅光Foundry， 26年底完成通线，预计27年初投产，通过投资匀晶光电布局薄膜铌酸锂新材料方向，打开广阔成长空间。 盈利预测与投资建议： 预计2026-2028年营业总收入分别为7.19、 10.02、 13.46亿元，同比增速分别为50.61%、 39.40%、 34.31%；归母净利润分别为0.74、 1.50、 2.68亿元，同比增速分别为239.59%、103.40%、 78.11%，对应26-28年PE分别为984X、 483X、 272X，维持“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险。

长光华芯(688048) 事件：公司发布26年一季报，公司26年一季度营业总收入1.30亿元，同比增长37.81%；归属于母公司所有者的净利润0.04亿元，同比扭亏为盈；扣非后归母净利润-0.12亿元，同比亏损收窄。 26Q1业绩增长靓丽，光通信芯片进展显著。公司26Q1收入端高成长延续，归母净利润同比扭亏为赢，环比实现445%增长。分业务来看，下游工业激光器市场的回暖，叠加公司高功率激光器业务产品结构不断优化，专注高端市场客户，推出新产品，带动公司盈利能力持续提升；受益于算力需求爆发式增长，公司高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品进展显著，客户订单开始起量，为业绩增长贡献增量。 光通信芯片产品矩阵丰富，硅光、薄膜铌酸锂方向前瞻性布局。公司重点布局光通信领域，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，满足超大容量的数据通信需求。公司已通过产业投资和技术研发，在硅光、薄膜铌酸锂等下一代技术方向进行前瞻布局：公司通过投资苏州匀晶光电技术有限公司布局薄膜铌酸锂新材料方向。伴随行业向3.2T模块、量子光芯片等下一代技术演进，硅光集成将深度绑定全球数字化进程，成为光通信不可逆的技术主线。同时，硅光集成也是激光传感、激光显示等应用的发展趋势。公司通过全资子公司出资成立星钥光子，提前布局这下一代技术路线。根据星钥光子的产线建设进度，有望在26年年底实现工艺通线，27年正式投入生产。 盈利预测与投资建议：预计2026-2028年营业总收入分别为7.22、10.13、13.78亿元，同比增速分别为51.18%、40.36%、36.03%；归母净利润分别为0.74、1.54、2.98亿元，同比增速分别为242.07%、106.86%、93.23%，对应26-28年PE分别为805X、389X、200X，给予“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险。

长光华芯(688048) 投资要点 事件：2025年12月11日至12日，第二届光电合封CPO及硅光集成前瞻技术展示交流会在无锡举办。行业机构Light Counting、头部企业Senko、康宁等齐聚现场，深度解读光电合封及硅光集成技术发展态势。大会明确传递核心信号：硅光与CPO（共封装光学）已脱离“未来技术储备”范畴，成为当下破解800G/1.6T乃至3.2T超高速互连能耗与带宽瓶颈的必经之路。在此行业趋势下，光芯片供应商长光华芯有望深度受益。 依托IDM全流程平台优势，深化“纵向延伸+横向扩展”的全产业链布局。公司作为少数具备高功率半导体激光芯片量产能力的IDM企业，已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理至封装测试的全流程工艺平台，实现了核心芯片的自主可控与国产化替代。在技术与产品端，公司依托GaAs、InP、GaN三大材料体系及边发射、面发射两大核心工艺平台，形成了以高功率单管/巴条芯片为基石，横向拓展VCSEL及光通信芯片，纵向向下游延伸至器件、模块及直接半导体激光器的多元化产品矩阵。这种垂直整合的业务模式不仅巩固了其在光纤激光器泵浦源等传统领域的优势，更助力公司快速切入数据中心通讯、激光雷达、3D传感、智能制造等新兴高景气赛道，综合竞争实力持续提升。 多维技术突破重塑行业标杆，外延投资加速构建“光+电”泛半导体生态圈。在核心技术端，公司高功率单管芯片室温连续功率突破132W，50W产品实现大批量出货；VCSEL芯片效率升至74%并获车规认证，光通信100G EML实现量产、200G EML开始送样，确立了高端芯片的国产替代优势。在产业布局端，公司通过“自研+投资”双轮驱动，横向切入GaN蓝绿光激光器（蓝光7.5W/绿光1.2W）及硅光、薄膜铌酸锂等前沿领域，并增资惟清半导体进军高端功率器件市场，成功将业务边界从单一激光芯片拓展至车载雷达、光计算、新能源等高成长赛道，打开了第二增长曲线。 深度受益AI算力爆发与供应链重构，高端光通信芯片步入“产能释放+技术迭代”的快车道。公司充分发挥IDM平台在多材料体系（InP/GaAs）与多技术路线（EML/VCSEL）上的资源复用优势，在产品端，100G EML芯片自25Q2起实现批量交付，200G EML进入客户验证阶段，100G VCSEL及大功率CW DFB均达到量产水平；在市场端，公司紧抓AI算力建设爆发及日本友商产能切换带来的100G EML供需缺口，有望快速抢占市场份额。未来公司不局限于单一路线，通过成立苏州星钥光子提前卡位硅光集成赛道，构建了从当前高端国产替代到未来光电共封装（CPO）演进的完整竞争力。 盈利预测与投资评级：考虑行业100G EML光芯片的供需缺口，以及公司在高端光通信芯片方面的产品进展，我们将公司2025-26年的归母净利润从1991/6815万元上调至3680/7282万元，新增2027年归母净利润预期为1.50亿元，2025-27年同比+136.9%/97.88%/106.57%，维持“买入”评级。 风险提示：EML芯片研发进展不及预期，数通市场客户开拓不及预期，股价波动风险。

闵大勇,男,1971年5月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于华中科技大学自动控制理论与应用专业,硕士学历,高级工程师。1993年8月至1997年7月,就职于武汉船舶职业技术学院,担任教研室主任职务;2000年6月至2017年7月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任事业部负责人、副总经理、总经理、董事长职务;2008年7月至2017年7月,就职于华工科技产业股份有限公司,历任副总经理、常务副总经理、总经理及董事职务;2015年1月至2017年8月,就职于锐科激光,担任监事职务;2009年9月至2017年7月,就职于华日精密,担任董事长职务;2017年8月至今,就职于长光华芯,担任董事长、总经理职务。

闵大勇先生:1971年5月出生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于华中科技大学自动控制理论与应用专业,硕士学历,高级工程师。1993年8月至1997年7月,就职于武汉船舶职业技术学院,担任教研室主任职务;2000年6月至2017年7月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任事业部负责人、副总经理、总经理、董事长职务;2008年7月至2017年7月,就职于华工科技产业股份有限公司,历任副总经理、常务副总经理、总经理及董事职务;2015年1月至2017年8月,就职于锐科激光,担任监事职务;2009年9月至2017年7月,就职于华日精密,担任董事长职务;2017年8月至今,就职于长光华芯,担任董事长、总经理职务。

王俊,男,1965年10月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于加拿大McMaster大学工程物理方向,博士学历,二级教授。1988年9月至1989年7月,任深圳德达磁技术有限公司工程师;1992年7月至1994年8月,任加拿大国家研究院研究助理;1997年3月至2000年5月,就职于SL-Industries,Inc.,担任外延技部经理;2000年5月至2002年2月,就职Spectra-Physics,Inc.,担任外延科学家;2002年2月至2003年6月,就职于Lasertel Inc.,担任晶体生长部经理;2003年7月至2010年7月,就职于nLIGHT,Inc.,担任技术总监;2010年7月至2014年11月,就职于Mighty Lift,Inc.,担任技术副总;2014年11月至2017年6月,就职于华工科技产业股份有限公司,担任技术总监;2017年8月至今,就职于长光华芯,历任首席技术官、董事、副董事长、常务副总经理。

潘华东,男,1981年5月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于复旦大学工商管理专业,硕士学历,高级工程师。2004年7月至2005年12月于福州高意科技有限公司担任研发工程师;2006年9月至2010年8月于恩耐激光技术(上海)有限公司担任工程经理;2010年8月至2012年8月于无锡亮源激光技术有限公司担任副总经理;2012年8月至2013年12月担任长光华芯高级经理;2014年1月至2015年8月于无锡欧莱美激光科技有限公司担任副总经理;2015年9月至今就职于长光华芯,历任技术总监、副总经理,现任长光华芯副总经理。

吴真林,男,1983年11月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于江汉大学机械设计制造及其自动化专业,本科学历。2007年7月至2018年4月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任销售工程师、行业销售经理、办事处经理、大区总监、精密激光事业群大客户总监、营销总监、总经理助理、事业部总经理等职务;2016年1月至2017年4月,就职于江苏华工激光科技有限公司,担任董事兼总经理职务;2018年5月至今就职于长光华芯,历任激光系统事业部总经理、副总经理职务;现任长光华芯副总经理。

于赢博,男,中国国籍,无境外永久居留权,1990年12月出生,硕士研究生学历。2010年-2014年就读于吉林财经大学工商管理专业(本科);2017年-2019年就读于吉林大学会计专业(硕士研究生)。2014年-2015年,任职于长春卓展时代广场百货有限公司人力资源部,从事人力资源管理工作;2019年-至今,任职于长春长光精密仪器集团有限公司国资监管部,从事国资监管与企业股权管理相关工作。主要从事国资监管、企业投融资管理、企业三会、承接成果转移转化等相关工作。2024年1月至今,担任长光华芯董事职务。

谭少阳,男,1987年6月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业,博士学历,中级工程师。2016年1月起就职于长光华芯,担任研发中心项目研究员;现担任长光华芯职工董事。

章殷洪,男,生于1985年3月,毕业于复旦大学,法律硕士,持有上海证券交易所科创板董事会秘书资格证书。2014年11月至2019年11月,任华福证券投资银行部业务总监;2019年12月至2026年4月,历任宁波长阳科技股份有限公司投资者关系总监、董事、副总经理、董事会秘书。

吴世丁,男,1963年3月生,中国国籍,无境外永久居留权,2004年6月毕业于中国科学院金属研究所材料物理与化学专业,博士学历,二级研究员。1988年9月至2005年12月,就职于中国科学院金属研究所,历任材料疲劳与断裂研究部研习员、助理研究员、副研究员、副主任、研究员职务;2006年1月至2017年12月,担任中国科学院金属研究所分析测试部主任、研究员职务;2018年1月-2023年2月,担任中国科学院金属研究所分析测试中心技术顾问、研究员职务;2023年3月起任职于辽宁材料实验室,担任资产事务部部长;现担任长光华芯独立董事职务。

余玮,女,1974年11月出生,会计学博士,中国注册会计师协会非执业会员,CFA持证人,注册金融风险管理师(FRM),上海对外经贸大学金融管理学院财务管理系教授,硕士生导师。2000年起在上海对外经贸大学任教,历任金融管理学院财务管理系讲师、副教授、教授。现任上海对外经贸大学金融管理学院财务管理系教授,硕士生导师,校学术委员会委员。现担任长光华芯独立董事职务。