晶盛机电(300316) 投资要点 半导体收入占比不断提升，订单快速增长。12英寸碳化硅衬底加工中试线通线，可兼容导电&半绝缘型。9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。（1）单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。（2）与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。 SiC具备高折射率、高热导性，成为AR眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高，AR镜片的FOV就更大，单层SiC镜片即可实现80度以上FOV，可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。同时，SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入，有效提升产能和良率。 晶盛积极扩产6&8英寸衬底产能，已具备12英寸能力。晶盛目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元，对应当前PE为58/47/38倍，维持“买入”评级。 风险提示：下游应用拓展不及预期，技术研发不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 碳化硅衬底材料：加速产业化，提升国际化供应能力。为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅将进入先进封装。公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。同时，积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。公司积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。 碳化硅装备：加强8英寸外延以及减薄等碳化硅设备市场推广。在碳化硅产业链装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足公司碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，公司在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现碳化硅设备产业化市场突破。公司6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势，充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势，加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广，积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的市场工作进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。另外，受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务持续发展，截至2025年6月30日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税）。 投资建议 我们预计公司2025-2027年分别实现收入120.31/129.77/140亿元，归母净利润10.41/12.65/15.46亿元，维持“买入”评级。 风险提示 行业波动风险，市场竞争风险，技术研发风险，技术人员流失风险，订单履行风险。

晶盛机电(300316) 核心观点 事件：公司发布2025年半年报，上半年营收57.99亿元，同比-42.85%；上半年实现归母净利润6.39亿元（扣非5.39亿元），同比-69.52%（扣非-74.42%）。 2025H1设备及服务营收40.8亿元，同比-44.6%，占比69.2%;材料营收12.3亿元，同比-48.2%，占比20.8%。单Q2营收26.6亿元，同比-52.8%，环比-15.2%。2025H1毛利率24.4%，同比-12.6pct，设备及服务毛利率32.9%，同比-4.5pct，材料毛利率6.22%，同比-33.9pct，材料毛利率下降主要原因为石英坩埚等光伏材料下行周期。 公司半导体业务持续发展，主要受益于半导体行业持续发展和国产化进程加快。截至2025H1，半导体设备领域中的集成电路及化合物半导体装备公司未完成的合同超37亿元（含税）。在集成电路装备领域，公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户，其电阻率、厚度均匀性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货。在化合物半导体设备领域，公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势，加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广。 公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产和销售。 25年H1，公司成功生长出12英寸导电性碳化硅晶体。积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，并成功获取部分国际客户批量订单。 反内卷高层定调，与行业自律性反内卷有本质区别，光伏行业产业格局有望得到优化，板块估值有望迎筑底向上。2025年7月1日召开的中央财经委第六次会议指出依法依规治理企业低价无序竞争，引导企业提升产品品质，推动落后产能有序退出。2025年7月3日，工信部召集14家光伏企业召开座谈会，会议指出要综合治理光伏行业底价无序竞争。反内卷预期下硅料价格及向下传导的组件价格变动值得重点关注。 盈利预测与投资建议：鉴于光伏下行周期，我们下调2025年预期。预计公司2025-2027年归母净利润分别为10.90亿元、11.10亿元、15.73亿元，对应PE分别为35.95倍、35.32倍、24.93倍，当前维持“推荐”评级。 风险提示：光伏行业扩产不及预期风险；半导体行业客户拓展不及预期风险；研发不及预期风险。

晶盛机电(300316) 投资要点 事件：英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计2027年导入。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS结构，后续高性能版本散热需求更高：英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸：①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。②与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。 SiC新应用场景打开，带来增量市场：以当前英伟达H1003倍光罩的2,500mm2中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器，中介层面积增至1.44万mm2，对应更多衬底需求。 晶盛积极扩产6&8寸衬底产能，已具备12寸能力：公司目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10.1/12.5/15.4亿元，当前股价对应动态PE分别为46/37/30倍，考虑到公司多业务仍具备成长性，维持“买入”评级。 风险提示：碳化硅导入CoWoS工艺不及预期，技术研发不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 光伏行业周期影响业绩。2025H1营收58.0亿元，同比-42.9%；其中设备及其服务营收40.8亿元，同比-44.6%，占比69.2%；材料营收12.3亿元，同比-48.2%，占比20.8%。归母净利润6.4亿元，同比-69.5%。Q2单季营收26.6亿元，同比-52.8%，环比-15.2%，主要系下游行业周期波动、设备验收有所放缓，归母净利润0.7亿元，同比-93.6%，主要系收入放缓&费用刚性支出、政府补助环比减少1亿叠加减值计提1亿影响。 受行业周期影响，设备&材料盈利能力承压。2025H1毛利率为24.4%，同比-12.6pct，设备及服务毛利率为32.9%，同比-4.5pct，材料毛利率为6.22%，同比-33.9pct；销售净利率为10.7%，同比-12.8pct；期间费用率为13.0%，同比+4.2pct，其中销售费用率为0.7%，同比+0.2pct；管理费用率为4.0%，同比+1.6pct；研发费用率为8.0%，同比+2.0pct。Q2单季毛利率20.6%，同比-11.2pct，环比-6.9pct，销售净利率为2.3%，同比-16.2pct，环比-15.5pct。。 存货&合同负债同比下滑，现金流同比增加。截至2025Q2末合同负债为31.7亿元，同比-62.1%，存货为89.5亿元，同比-35.0%；公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元。公司现金流回款情况较好：2025H1公司经营活动净现金流4.5亿元，同比+55.8%。 晶盛半导体设备定位大硅片、先进封装、先进制程、碳化硅。（1）大硅片：提供长晶、切片、研磨、抛光整体解决方案。（2）先进封装：除减薄机外还推出了超快紫外激光开槽设备。（3）先进制程：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货。（4）碳化硅设备：开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备等；离子注入样机调试阶段；碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备已实现批量出货。 碳化硅衬底已规划产能合计90万片，导电型&光学级产业化加速。（1）导电型：有拉晶产能30万片，新建的60万片8寸产能落地后，公司合计产能将达90万片；此外马来也规划了24万片切磨抛年产能。（2）光学级：牵手浙大系AR眼镜企业龙旗、XREAL、鲲游光电，布局碳化硅AR眼镜衬底。 子公司晶鸿精密主营零部件，高加工精度&高端产品定位。晶鸿精密具备特种焊接、组装测试、半导体级表面处理等能力，拓展真空腔体、精密传动主轴、游星片、陶瓷盘以及其他高精度零部件等，并批量出货国内头部半导体设备客户 盈利预测与投资评级：考虑到公司订单确收节奏，我们下调公司2025-2027年归母净利润预测为10（原值20）/12（原值22）/15（原值27）亿元，但考虑到公司多业务仍具备成长性，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

晶盛机电(300316) 投资要点 事件：Meta首款带显示屏的AR眼镜Hypernova将于9月上市，售价为800美元，重量仅为70g。 AR眼镜是AI应用的完美载体，可以结合虚拟和现实：AR眼镜（增强现实眼镜）是一种将虚拟信息叠加到现实世界中的智能穿戴设备，核心在于虚拟信息与现实世界的完美融合。2024年全球AR眼镜出货量达到55.3万副，同比+7.8%，其中中国2024年出货28.6万副。光学显示系统为AR眼镜的核心。光学显示系统由光学组合器和微显示屏组成。光学显示系统是整个AR眼镜的核心部件，也是价值量最大的部件，约占整个AR眼镜成本的40%+。 碳化硅材料具备高折射率、高热导性，成为AR眼镜镜片的理想基底材料：基底材料的折射率越高，AR镜片的FOV就更大，单层SiC镜片即可实现80度以上FOV，可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。同时，SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入，有效提升产能和良率。 牵手龙头玩家布局AR眼镜衬底，自建产能规模效应&自制设备加速SiC降本产业化：晶盛机电牵手浙大系AR眼镜企业龙旗、XREAL、鲲游光电，布局碳化硅AR眼镜衬底，其8寸衬底已实现出货，12寸降本型完成研发生产。公司凭借深厚的技术底蕴和自制设备优势，加速碳化硅降本产业化，有望充分受益于规模效应：①国内产能：公司现有拉晶产能30万片，2025新建60万片8寸产能落地后，公司合计产能将达90万片.②海外产能：近期子公司浙江晶瑞SuperSiC在马来西亚槟城州举办奠基仪式，一期项目建成后，8英寸碳化硅衬底预计可实现24万片/年的高效产能。 盈利预测与投资评级：我们预计公司2025-2027年归母净利润为20/22/27亿元，对应股价PE为19/18/15倍，维持“买入”评级。 风险提示：碳化硅渗透率不及预期，技术研发不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 事件：7月20日，晶盛机电子公司宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工仪式圆满举行，此次开工的项目，是继浙江基地和马来西亚槟城30万片产能基地之后又一重要落子。 晶盛机电深度布局国内外衬底产能，规模效应提升公司竞争力：（1）国内90万片拉晶产能：公司现有拉晶产能30万片，其中25万片为6寸衬底，5万片为8寸衬底。此次新建的60万片8寸产能落地后，公司合计产能将达90万片，其中65万片为8寸产能，有望凭借规模效应充分受益于8寸碳化硅衬底产业化。（2）海外24万片切磨抛产能：7月4日晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC马来西亚新制造工厂在槟城州成功举办奠基仪式，该项目总占地面积4万平方米，计划于今年正式动工，一期项目建成后8英寸碳化硅衬底预计可实现24万片/年的高效产能。 8寸SiC能够显著降本，公司有望充分受益于下游客户加速转型8寸：SiC衬底向8寸转型趋势明显，国产厂商进展顺利、格局向好。相比6寸，8寸SiC衬底可将单芯片成本降低35%，有效芯片数量增加1.8~1.9倍，边缘浪费减少20%~30%，因此各厂商都在向8寸转型。目前国内掌握8寸SiC衬底量产技术的厂家仅有天岳先进、烁科晶体、天科合达、晶盛机电四家，许多原本具备6寸生产能力的厂商已逐步掉队；此次晶盛机电产能规划后，8寸产能全国最多，有望充分受益于8寸碳化硅器件加速产业化。 材料&设备双线布局，完成碳化硅材料处理全链条布局：（1）碳化硅外延设备：开发了6-8寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备，8-12寸常压硅外延设备等，推出双片式碳化硅外延设备；（2）碳化硅离子注入设备：处于样机调试阶段，可实现晶格损伤实时修复与掺杂剂高效激活；（3）碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备：已实现批量出货。 盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是碳化硅材料和半导体设备的放量。我们维持公司2025-2027年归母净利润为20/22/27亿元，对应股价PE为17/16/13倍，维持“买入”评级。 风险提示：碳化硅渗透率不及预期，技术研发不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 事件：浙江省投资项目在线审批监管平台发布了晶盛机电子公司晶瑞电子材料有限公司年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目的备案公示。 晶盛机电衬底产能规划达90万片，规模效应提升公司竞争力：公司现有产能30万片，其中25万片为6英寸衬底，5万片为8英寸衬底。此次备案的60万片8英寸产能落地后，公司合计产能将达90万片，其中65万片为8英寸产能，有望凭借规模效应充分受益于8英寸碳化硅衬底产业化。 8英寸SiC能够显著降本，公司有望充分受益于下游客户加速转型8英寸：SiC衬底向8英寸转型趋势明显，国产厂商进展顺利、格局向好。相比6英寸，8英寸SiC衬底可将单芯片成本降低35%，有效芯片数量增加1.8~1.9倍，边缘浪费减少20%~30%，因此各厂商都在向8英寸转型。目前国内掌握8英寸SiC衬底量产技术的厂家仅有天岳先进、烁科晶体、天科合达、晶盛机电四家，许多原本具备6英寸生产能力的厂商已逐步掉队；此次晶盛机电产能规划后，8英寸产能全国最多，有望充分受益于8英寸碳化硅器件加速产业化。 Wolfspeed经营不善申请破产，国产供应商竞争力显著增强：由于65亿美元债务导致持续经营能力受限，Wolfspeed正准备在几周内申请破产。Wolfspeed2022年6英寸SiC衬底的售价为1500美元/片，而现在部分国产供应商报价已降至400美元以下。由于中国厂商价格冲击，Wolfspeed在全球SiC市场份额不断下降，已经从2020年的45%下降至2024年的33.7%。2024年11月因亏损启动4.5亿美元的整合计划，关闭北卡达勒姆工厂。 晶盛材料&设备双轮布局，外延、离子注入、量检测等产品线齐全：（1）碳化硅外延设备：开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备，8-12英寸常压硅外延设备等，推出双片式碳化硅外延设备；（2）碳化硅离子注入设备：处于样机调试阶段，可实现晶格损伤实时修复与掺杂剂高效激活；（3）碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备：已实现批量出货。 盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是碳化硅材料和半导体设备的放量。我们维持公司2025-2027年归母净利润为20/22/27亿元，对应股价PE为17/16/13倍，维持“买入”评级。 风险提示：碳化硅渗透率不及预期，技术研发不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 半导体制造工艺通常在真空环境下进行，对设备零部件的精密度和密封性要求极高：刻蚀机与薄膜设备的托盘轴，其平面、平行和尺寸公差精度需小于几十微米，同时部分零部件尺寸也很大，但精密度仍需达到微米级别。 晶鸿精密布局先进精加工及检测设备，能够生产高精密及大尺寸零部件：公司进口约200台、价值近10亿元的欧洲和日本高端设备，包括5轴联动加工中心、5面体加工中心等。此外，还配备蔡司、莱兹进口的大型龙门检测设备，可检测6米×8米×2米的大型零部件，计量精度达0.3微米+L/1000微米。凭借这些设备，公司可制造长4米、宽2米、高2米的大型传输腔体及5-6米的腔体支撑框架等大型高精密件。公司产品涵盖半导体设备真空腔体、高精度零部件、游星片、陶瓷盘和主轴，并提供ODM服务，包括设计、生产、装配及测试。公司产品涵盖半导体设备真空腔体、高精度零部件、游星片、陶瓷盘和主轴，并提供ODM服务，包括设计、生产、装配及测试。 盈利预测与投资评级：随着我国半导体设备放量，晶鸿精密半导体设备零部件业务有望加速放量。但考虑到公司不同板块景气度差异，我们预计公司25-27年归母净利润为20/22/27亿元，对应股价PE为18/17/14倍，维持“买入”评级。 风险提示：下游扩产不及预期，研发进展不及预期。

晶盛机电(300316) 投资要点 信用减值&存货跌价准备拖累业绩表现：2024年公司实现营收175.8亿元，同比-2%，其中设备及服务营收133.6亿元，同比+4%，占比76%；材料业务营收33.5亿元，同比-20%，占比19%；其他业务营收8.7亿元，同比-14%，占比5%。归母净利润为25.1亿元，同比-45%；扣非归母净利润为24.6亿元，同比-44%。2024Q4单季营收31.0亿元，同比-31%，环比-28%；归母净利润为-4.5亿元，扣非归母净利润为-4.6亿元，同环比由盈转亏，主要系公司就个别客户的应收账款单项计提坏账准备2.5亿元、个别客户发出商品计提存货跌价准备3.41亿元及石英坩埚原材料等计提存货跌价准备3.49亿元。 盈利能力承压主要受坩埚业务及计提较多资产减值影响：2024年毛利率为33.4%，同比-8pct；销售净利率为15.2%，同比-14pct；期间费用率为9.9%，同比+0.8pct，其中销售费用率为0.5%，同比持平；管理费用率为3.0%，同比+0.7pct；研发费用率为6.4%，同比持平；财务费用率为0.1%，同比+0.1pct。2024Q4单季毛利率为23.0%，同比-18pct，环比-9pct，销售净利率为-18.6%，同环比转负。 存货&合同负债同比下滑，订单短期承压：截至2024Q4末公司合同负债为56.2亿元，同比-48%，存货为108.8亿元，同比-30%；公司未完成半导体及化合物半导体装备合同超33亿元。2024Q4经营活动净现金流为8.95亿元，较2024前三季度公司回款改善。 晶盛半导体设备定位大硅片、先进封装、先进制程、碳化硅：（1）大硅片设备：晶盛机电为国产长晶设备龙头，能够提供长晶、切片、研磨、抛光整体解决方案；（2）先进封装：已布局晶圆减薄机，并突破12英寸30μm超薄晶圆的高效稳定减薄技术，现已进入客户验证阶段；（3）先进制程：开发了8-12英寸减压硅外延设备、LPCVD以及ALD等设备，其中外延设备已实现销售出货；（4）碳化硅外延设备：开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备，8-12英寸常压硅外延设备等，推出双片式碳化硅外延设备；（5）碳化硅离子注入设备：处于样机调试阶段，可实现晶格损伤实时修复与掺杂剂高效激活；（6）碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备：已实现批量出货。 材料：布局碳化硅衬底&石英坩埚&金刚线：（1）碳化硅衬底：8英寸导电型碳化硅衬底片已实现批量销售；牵手浙大系四小龙合作开发AR眼镜，已掌握8寸光学级碳化硅晶体稳定工艺并推进12寸晶体产线研发；（2）石英坩埚：加速推进坩埚的产能提升，持续研发高品质超级坩埚；（3）半导体精密零部件：构建覆盖高端半导体设备核心部件的全产品体系，并批量出货国内头部半导体设备客户；（4）金刚线：一期量产项目投产并实现批量销售，二期扩产项目有望快速提升钨丝金刚线产能；（5）蓝宝石：已实现1000kg晶锭及4-6英寸衬底的规模销售，并研发出8-12英寸蓝宝石衬底。 光伏设备：实现硅片、电池、组件设备全覆盖：（1）第五代低氧单晶炉：助力电池片效率提升低氧超导磁场单晶炉是确定性趋势；（2）电池片设备：兼容BC和TOPCon工艺的管式PECVD、LPCVD、扩散、退火、单腔室多舟ALD、EPD和舟干清洗等设备已陆续导入客户量产线；（3）组件设备：强化叠瓦组件的整线设备供应能力，推出降银增效叠栅新技术。 盈利预测与投资评级：考虑到下游行业景气度，我们下调公司25-26年归母净利润至22（原值39）/24（原值45）亿元，并预计27年归母净润为26亿元，对应股价PE为17/16/14倍。 风险提示：技术研发不及预期，新品拓展不及预期。