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晶盛机电

(300316)

  

流通市值:507.15亿  总市值:539.27亿
流通股本:12.32亿   总股本:13.10亿

晶盛机电(300316)公司资料

公司名称 浙江晶盛机电股份有限公司
网上发行日期 2012年05月02日
注册地址 浙江省绍兴市上虞区曹娥街道五星西路99号...
注册资本(万元) 13095337970000
法人代表 曹建伟
董事会秘书 陆晓雯
公司简介 浙江晶盛机电股份有限公司围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备,并延伸至化合物衬底材料领域,为半导体、光伏行业提供全球极具竞争力的高端装备和高品质服务。晶盛机电是全球光伏装备技术和规模双领先的企业,国内集成电路级8-12英寸大硅片生长及加工设备领先企业,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先水平,是掌握核心技术和规模优势的龙头企业。公司为半导体产业、光伏产业和化合物衬底产业提供智能化工厂解决方案,满足客户数字化智能化的生产模式需求。
所属行业 光伏设备
所属地域 浙江
所属板块 新材料-基金重仓-深成500-LED-太阳能-融资融券-创业成份-蓝宝石-创业板综-深证100R-深股通-工业4.0-MSCI中国-富时罗素-国产芯片-半导体概念-第三代半导体-碳化硅-培育钻石-AI眼镜
办公地址 浙江省杭州市临平区顺达路500号
联系电话 0571-88317398
公司网站 www.jsjd.cc
电子邮箱 jsjd@jsjd.cc
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
制造业531078.4091.58388995.5388.71
其他(补充)48816.718.4249521.4111.29

    晶盛机电最近3个月共有研究报告6篇,其中给予买入评级的为6篇,增持评级为0篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2025-09-29 东吴证券 周尔双,...买入晶盛机电(3003...
晶盛机电(300316) 投资要点 半导体收入占比不断提升,订单快速增长。12英寸碳化硅衬底加工中试线通线,可兼容导电&半绝缘型。9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口,有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装(芯片-晶圆-基板)技术。CoWoS通过将多个芯片(如处理器、存储器等)高密度地堆叠集成在一个封装内,显著缩小了封装面积,并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大,将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。(1)单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体,其热导率达到490W/m·K,比硅高出2–3倍,是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。(2)与硅中介层相比,单晶SiC还具有更好的耐化学性,因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔,进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层,显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。 SiC具备高折射率、高热导性,成为AR眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高,AR镜片的FOV就更大,单层SiC镜片即可实现80度以上FOV,可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。同时,SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入,有效提升产能和良率。 晶盛积极扩产6&8英寸衬底产能,已具备12英寸能力。晶盛目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元,对应当前PE为58/47/38倍,维持“买入”评级。 风险提示:下游应用拓展不及预期,技术研发不及预期。
2025-09-24 中邮证券 吴文吉,...买入晶盛机电(3003...
晶盛机电(300316) 投资要点 碳化硅衬底材料:加速产业化,提升国际化供应能力。为提升性能,英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料,由硅换成碳化硅。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术,英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。由于英伟达对性能进步的要求极高,当芯片内产生的热超过极限,必须采用碳化硅,最晚2027年,碳化硅将进入先进封装。公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺,经过多年的技术攻关,创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺,攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。同时,积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,并成功获取部分国际客户批量订单。公司积极布局碳化硅产能,在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目;并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场,在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目,进一步强化公司在全球市场的供应能力;同时,在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目,不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。 碳化硅装备:加强8英寸外延以及减薄等碳化硅设备市场推广。在碳化硅产业链装备领域,公司开发了碳化硅长晶及加工设备(研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测),满足公司碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时,在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒,强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破,公司在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系,以高标准研发目标,逐步实现碳化硅设备产业化市场突破。公司6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势,充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势,加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广,积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证,相关设备的市场工作进展顺利,为规模化量产奠定坚实基础。另外,受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快,公司半导体业务持续发展,截至2025年6月30日,公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元(含税)。 投资建议 我们预计公司2025-2027年分别实现收入120.31/129.77/140亿元,归母净利润10.41/12.65/15.46亿元,维持“买入”评级。 风险提示 行业波动风险,市场竞争风险,技术研发风险,技术人员流失风险,订单履行风险。
2025-09-08 中国银河 鲁佩,贾...买入晶盛机电(3003...
晶盛机电(300316) 核心观点 事件:公司发布2025年半年报,上半年营收57.99亿元,同比-42.85%;上半年实现归母净利润6.39亿元(扣非5.39亿元),同比-69.52%(扣非-74.42%)。 2025H1设备及服务营收40.8亿元,同比-44.6%,占比69.2%;材料营收12.3亿元,同比-48.2%,占比20.8%。单Q2营收26.6亿元,同比-52.8%,环比-15.2%。2025H1毛利率24.4%,同比-12.6pct,设备及服务毛利率32.9%,同比-4.5pct,材料毛利率6.22%,同比-33.9pct,材料毛利率下降主要原因为石英坩埚等光伏材料下行周期。 公司半导体业务持续发展,主要受益于半导体行业持续发展和国产化进程加快。截至2025H1,半导体设备领域中的集成电路及化合物半导体装备公司未完成的合同超37亿元(含税)。在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货。在化合物半导体设备领域,公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势,加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广。 公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产和销售。 25年H1,公司成功生长出12英寸导电性碳化硅晶体。积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,并成功获取部分国际客户批量订单。 反内卷高层定调,与行业自律性反内卷有本质区别,光伏行业产业格局有望得到优化,板块估值有望迎筑底向上。2025年7月1日召开的中央财经委第六次会议指出依法依规治理企业低价无序竞争,引导企业提升产品品质,推动落后产能有序退出。2025年7月3日,工信部召集14家光伏企业召开座谈会,会议指出要综合治理光伏行业底价无序竞争。反内卷预期下硅料价格及向下传导的组件价格变动值得重点关注。 盈利预测与投资建议:鉴于光伏下行周期,我们下调2025年预期。预计公司2025-2027年归母净利润分别为10.90亿元、11.10亿元、15.73亿元,对应PE分别为35.95倍、35.32倍、24.93倍,当前维持“推荐”评级。 风险提示:光伏行业扩产不及预期风险;半导体行业客户拓展不及预期风险;研发不及预期风险。
2025-09-07 东吴证券 周尔双,...买入晶盛机电(3003...
晶盛机电(300316) 投资要点 事件:英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层,预计2027年导入。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS结构,后续高性能版本散热需求更高:英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装(芯片-晶圆-基板)技术。CoWoS通过将多个芯片(如处理器、存储器等)高密度地堆叠集成在一个封装内,显著缩小了封装面积,并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大,将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口,有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸:①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体,其热导率达到490W/m·K,比硅高出2–3倍,是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。②与硅中介层相比,单晶SiC还具有更好的耐化学性,因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔,进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层,显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。 SiC新应用场景打开,带来增量市场:以当前英伟达H1003倍光罩的2,500mm2中介层为例,假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层,2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层,则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器,中介层面积增至1.44万mm2,对应更多衬底需求。 晶盛积极扩产6&8寸衬底产能,已具备12寸能力:公司目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10.1/12.5/15.4亿元,当前股价对应动态PE分别为46/37/30倍,考虑到公司多业务仍具备成长性,维持“买入”评级。 风险提示:碳化硅导入CoWoS工艺不及预期,技术研发不及预期。
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
曹建伟董事长,法定代... 203.88 3559 点击浏览
曹建伟先生:1978年出生,中国国籍,工学博士,公司党委书记。2010年11月至2016年12月任公司董事、总经理,2016年12月至今任公司董事长,兼任研发中心主任。曾荣获浙江省科学技术一等奖2项、二等奖2项,三等奖1项、151人才工程第二层次人才、浙江省优秀科技工作者、第七届科技新浙商、浙江省优秀企业家、2021年度风云浙商等荣誉称号。
何俊总裁,非独立董... 203.88 847 点击浏览
何俊先生:1969年出生,中国国籍,大专学历,工程师。2010年11月至2016年12月任公司董事、副总经理,2016年12月至今任公司董事、总裁。何俊先生拥有丰富的市场及经营管理经验,兼任绍兴市总商会第七届副会长、绍兴市上虞区人大常委等职务。
毛全林副总经理,非独... 147.67 1064 点击浏览
毛全林先生:1970年出生,中国国籍,初中学历,拥有丰富的生产管理经验。2010年11月至2016年12月任公司董事、副总经理,2016年12月至今任公司董事、副总裁,曾荣获浙江省科学技术一等奖1项等荣誉。
朱亮副总经理,非独... 161.88 430 点击浏览
朱亮先生:1979年出生,中国国籍,工学博士。2007年9月至2010年11月任公司总工程师,2010年11月至2016年3月任公司副总经理,2016年3月至2016年12月任公司董事、副总经理,2016年12月至今任公司董事、副总裁。朱亮先生曾获浙江省科学技术一等奖1项、浙江省科学技术二等奖2项、绍兴市科学技术一等奖1项、上虞市科学技术一等奖2项、浙江省百佳企业科技工作者、绍兴“名仕之乡”特支计划高级专家等荣誉。
张俊副总经理 165.88 301.1 点击浏览
张俊先生:1982年出生,中国国籍,工学博士。2008年10月至2010年11月任公司副总工程师,2010年11月至2016年12月任公司技术总监,2016年12月至今任公司副总裁。张俊先生曾荣获浙江省科学技术一等奖1项、浙江省科学技术二等奖1项、上虞市科学技术一等奖1项、浙江省创业创新优秀企业家、政协呼和浩特市赛罕区第四届政协委员、杭州市西湖区第三届优秀科技工作者、浙江省青年拔尖人才等荣誉。
傅林坚副总经理,总工... 203.88 242.5 点击浏览
傅林坚先生:1980年出生,中国国籍,工学博士,高级工程师。2010年7月至11月任公司副总工程师,2010年11月至2016年12月任公司总工程师,2016年12月至2019年12月任公司副总裁、总工程师,2019年12月至今任公司运营副总裁。傅林坚先生在机电控制与计算机应用领域具有较扎实的理论基础和丰富的应用经验,曾主导参与公司多个重大项目及新产品的攻关和研发。傅林坚先生曾荣获浙江省科学技术一等奖1项、浙江省科学技术二等奖2项、上虞市科学技术一等奖1项。
陆晓雯副总裁,董事会... 161.88 92.55 点击浏览
陆晓雯女士:1983年8月出生,中国国籍,无境外永久居留权,管理学硕士,注册会计师、高级会计师。曾任职于安永华明会计师事务所,2010年11月至2016年12月任公司财务总监、董事会秘书,2016年12月至今任公司副总裁、财务总监、董事会秘书,2021年4月16日至今兼任浙江天铁实业股份有限公司独立董事。陆晓雯女士曾荣获浙江上市公司优秀董事会秘书、新财富金牌董秘等荣誉。
石刚副总裁 127.63 44.3 点击浏览
石刚先生:1983年出生,中国国籍,工学硕士。2009年至2013年任公司研发部部长,2013年至2015年任公司研发战略部部长,2015年5月至2016年12月任公司销售中心常务副总监、总监,2016年12月至今任公司副总裁。石刚先生曾主导参与公司多个项目的研发,在半导体及光伏装备领域拥有丰富的经验,曾获浙江省科学技术二等奖2项、绍兴市科学技术一等奖1项、上虞区科学技术一等奖1项等荣誉。
邱敏秀非独立董事 100.08 3817 点击浏览
邱敏秀女士:1945年出生,中国国籍,本科学历,研究员,博士生导师,曾享受国务院特殊津贴,曾任第三届中国机械工程学会流体传动与控制分会液压技术委员会委员、第五届全国液压气动标准化技术委员会委员。2010年11月至2016年12月任公司董事长,2016年12月至今任公司董事。邱敏秀女士在机械设计、流体传动及控制领域拥有丰富的经验,在电液控制技术研究领域卓有建树,多年来承担与参与电液控制技术领域的国家自然科学基金项目、863项目、国家重大科技专项课题以及省部级科技项目30多项;科研成果曾荣获国家发明二等奖、国家科技进步二等奖等国家级奖3项,省、部级科技一等奖4项,二等奖4项;在核心期刊发表学术论文50余篇。此外,邱敏秀女士还曾荣获浙江省优秀企业家、2008年度绍兴市领军人物、2010年绍兴市高级专家等荣誉称号。
周子学非独立董事 7200 -- 点击浏览
周子学先生:1956年出生,中国国籍,无境外永久居留权,高级会计师,博士学历,历任中芯国际集成电路制造有限公司董事长;海信视像科技股份有限公司独立董事;工业和信息化部总经济师、财务司长。现任中国电子信息行业联合会常务副会长;江苏长电科技股份有限公司董事长、董事;云南南天电子信息产业股份有限公司独立董事;仙鹤股份有限公司第三届董事会独立董事。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2023-12-07浙江晶盛机电股份有限公司5001.32实施完成
2023-09-29中环领先半导体材料有限公司29999.99实施中
2023-09-29中环领先半导体材料有限公司89999.96实施中
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