天岳先进(688234)公司资料

天岳先进(688234) 投资要点： 公司2026年一季度实现营业收入3.66亿元，同比下降10.41%；归母净利润-0.61亿元。2025年全年公司实现营业收入14.65亿元，较2024年的17.68亿元下降17.15%；归母净利润-2.08亿元，较2024年的1.79亿元转亏。 公司毛利率环比提升，盈利能力环比改善。2026年一季度公司毛利率、净利率分别为19.12%、-16.77%，环比2025年四季度增长25.01pct、42.65pct。2025年全年毛利率、净利率分别为13.05%、-14.24%，同比变化-12.85pct、-24.37pct。分地区来看，2025年境内和境外毛利率分别为-6.22%、35.97%，同比变化-27.01pct、-6.08pct。 SiC衬底有望迎来周期拐点，8英寸有望快速放量。当前6英寸SiC衬底价格底部逐渐回暖、8英寸衬底则作为新的增长引擎开始放量。据晶升股份公开投资者交流记录显示，碳化硅衬底价格呈现结构性上涨，6英寸产品价格较大幅度反弹，8英寸价格则止跌企稳并小幅上涨，部分衬底厂商已收到其下游客户的新增订单需求。公司具备全球领先的规模化量产能力，2025年度公司碳化硅产品折合69.04万片，同比增长68.31%。 公司作为8英寸SiC衬底龙头企业，有望受益行业回暖。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中公示天岳先进市场份额为27.6%，位居全球第一，其中8英寸市场份额为51.3%。公司是全球少数能够实现8英寸SiC衬底量产、也是率先推出12英寸SiC衬底的公司，并已完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，部分头部客户已启动验证或下达订单。8英寸的稳定量产及12英寸的前瞻布局有望让公司在下一个时代的竞争中掌握先机。 盈利预测与评级：我们预计公司2026-2028年归母净利润分别为0.38/1.85/3.09亿元，2026年扭亏为盈，2027-2028年同比增速分别为391.65%/66.77%，当前股价 对应PE分别为1399.49、284.65、170.69倍。选取三安光电、晶盛机电、芯联集成作为可比公司，考虑公司具备规模化量产8英寸SiC衬底的能力，有望受益于SiC衬底行业回暖，迎来需求增长。首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：行业景气度不及预期风险、原材料价格上涨风险、竞争格局恶化风险、海外业务风险。

天岳先进(688234) 核心观点 1Q26毛利率由负转正至19.12%。公司主要产品为碳化硅衬底，25年实现销售量同比增长75%，但受产品价格下降影响，公司业绩短期承压，全年营收14.65亿元（YoY-17.15%），扣非归母净利润-2.08亿元（YoY-216.36%）。进入1Q26，通过降本增效，公司单季度实现营收3.66亿元(YoY-10.41%，QoQ+3.58%)，扣非归母净利润-0.59亿元(YoY-1750.21%，QoQ+72.55%)，毛利率19.12%(YoY-4.83pct，QoQ+25.01pct)由负转正。 25年碳化硅材料销售量同比增加75.3%，全球份额持续提升。25年公司碳化硅衬底产品销售量和生产量分别同比增长75.33%和68.31%，随着下游应用场景拓展与渗透率提升，销量增速高于生产量增速，年产能已超过50万片。根据日本富士经济26年数据，25年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，公司市占率达27.6%，位居全球第一，超越Wolfspeed跃居行业龙头；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额达51.3%。目前公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立合作，并已进入国际头部半导体公司供应链。未来，随上海工厂、济南工厂产能提升，海外工厂逐步进入计划建设阶段，产品销量有望进一步加速增长。 大尺寸衬底技术行业领先，新兴应用多维拓展。公司在大尺寸产品化方面25年完成了12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术研发，是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的公司之一。在新兴应用领域，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，推动碳化硅衬底材料在光学领域应用；先进封装领域已与全球头部客户达成合作；在芯片散热方向，已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层并形成批量出货。 投资建议：中长期我们看好公司在碳化硅衬底的领先身位及碳化硅材料的多维拓展空间，考虑产品价格下降幅度高于预期，下调产品毛利率与单价，预计公司26-28年归母净利润0.63/2.83/3.76亿元(26-27年前值：4.64/6.38亿元)，对应26-28年PE分别为782/173/130倍，维持“优于大市”评级。 风险提示：碳化硅渗透不及预期，行业竞争加剧产品价格下降等。

天岳先进(688234) 投资要点 产能规模持续扩大，产业化优势与规模竞争力进一步巩固。公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。2025年H1，公司持续提升核心产品的产能产量。济南工厂的产能产量通过技术与工艺提升稳步推进，上海临港工厂已于2024年年中提 前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，正推进二阶段产能提升计划，两个工厂合计设计产能已突破40万片。 超前布局碳化硅衬底产品矩阵。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，作为全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的核心参与者，持续推动头部客户向8英寸技术路线转型。2024年11月实现关键技术突破与产品拓展：一方面成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步，将加速高性能SiC-IGBT器件的研发与产业化进程，为高端特高压功率器件国产化提供核心材料支撑；另一方面推出业内首款12英寸碳化硅衬底，该产品可进一步扩大单片晶圆的有效芯片制造面积，在同等生产条件下大幅提升合格芯片产量、降低单位成本，进而增强碳化硅材料的经济性与规模化应用潜力。目前公司已构建起覆盖6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包含12英寸高纯半绝缘型、导电P型及导电N型碳化硅衬底。随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，公司凭借超大尺寸技术先发优势与完善的产品布局，持续深耕碳化硅半导体材料蓝海市场，充分享受产业升级带来的市场机遇。 聚焦碳化硅产品多元领域应用拓展，以产品创新响应下游发展趋势。在核心应用领域，公司前瞻性布局电动汽车赛道，于2022年较早通过车规级IATF16949体系认证，碳化硅衬底产品经国际一线领先功率半导体厂商严苛验证后，已实现持续大规模批量供货；同时凭借前瞻性技术布局与创新能力，深度切入可再生能源及AI两大高增长赛道，公司推出的大尺寸、高品质碳化硅衬底，正加速碳化硅材料在下游应用领域的渗透，如电动汽车、AI数据中心、光伏系统及电网等。产品供应方面，公司已实现8英寸导电型衬底的质量稳定与批量供应，客户资源优势显著，截至2025H1，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中半数以上建立业务合作关系，客户体系持续完善。此外，公司积极开拓光学等新兴领域，已与全球头部光学厂商达成合作并斩获多个订单，成功实现光学领域碳化硅衬底产品的商业化落地，进一步拓宽市场边界，为长期发展奠定坚实基础。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入17/27/38亿元，实现归母净利润分别为0.3/1.4/2.8亿元，维持“买入”评级。 风险提示 行业及市场变动风险； 市场竞争加剧风险； 客户认证风险； 原材料价格波动风险； 下游需求不及预期风险。

天岳先进(688234) 事件 公司发布2025年半年报：2025年上半年公司实现营业收入7.94亿元，同比下降12.98%；实现归母净利润0.11亿元，同比下降89.32%;实现扣非归母净利润-0.11亿元，同比下降111.37%。 投资要点 公司业绩承压，大尺度SiC衬底研发力度提升 2025年第二季度，公司实现营业收入3.86亿元，同比下降20.63%，环比下降5.42%;实现归母净利润0.02亿元，同比下降95.77%，环比下降72.27%；实现扣非归母净利润-0.15亿元，同比下降127.63%，环比下降504.37%。公司业绩承压主要原因系公司为持续加大碳化硅衬底材料在下游应用的渗透，提高公司产品市场占有率，衬底销售价格同比下降。研发方面，公司加大对大尺寸衬底研发投入，2025年上半年，公司研发费用7584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸碳化硅衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。 SiC材料满足AI芯片性能需求，终端AI大客户引领中介层材料升级 英伟达计划在2027年前将下一代Rubin GPU的CoWoS先进封装中介层材料从硅替换为碳化硅。台积电已联合日本DISCO等设备商研发SiC中介层制造技术，首代Rubin GPU将沿用硅中介层，当新设备到位之后，预计英伟达将推动SiC中介层的导入。 SiC做中介层的核心优势在于：1）散热性能突破：单晶SiC热导率达490W/m·K，可解决CoWoS封装中高带宽内存的散热挑战。2）封装体积缩小：SiC耐化学性强，支持湿法刻蚀制备高深宽比通孔，可以通过非直线通孔设计缩短互连距离，使2.5D封装效果逼近3D封装。 从需求端来看，根据行家说三代半，一片12英寸晶圆分别可生产21个3倍光罩尺寸和5个8倍光罩尺寸的中介层，我们假设采用3倍光罩尺寸的中介层，2024-2026年的需求分别为1809片/月、3952片/月和5333片/月；假设采用8倍光罩尺寸的中介层，2024-2026年的需求分别为7600片/月、16600片/月和22400片/月。 从供给端来看，4H-SiC单晶衬底、热沉级以及多晶SiC衬底可以用作SiC中介层。目前，天科合达、同光股份等12家厂商已率先实现12英寸N型4H-SiC单晶衬底的研发和量产。从商业化的角度来看，12英寸碳化硅有望成为先进封装的散热性能突破关键技术，先进封装将成为碳化硅的赛道，但是碳化硅要导入中介层材料市场，要突破12英寸切磨抛的关键技术。此外，SiC中介层相较于硅材料价格仍然较高，亟待厂商后续降本方案。 碳化硅衬底头部企业，海外客户拓展顺利 目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。其中，高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。产能方面，公司目前已形成山东济南、上海临港碳化硅半导体材料生产基地，设计产能每年超40万片。客户方面，截至目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系。同时，公司积极开拓海外市场，高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，已获得英飞凌、博世、安森美等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。下游应用方面，公司产品已被运用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域。 盈利预测 预测公司2025-2027年收入分别为22.35、28.86、35.07亿元，EPS分别为0.51、0.70、0.87元，当前股价对应PE分别为151.7、110.8、88.8倍，维持“买入”投资评级。 风险提示 SiC中介层方案进度不及预期；公司产能释放不及预期；碳化硅衬底竞争加剧。