中微公司(688012) 投资要点 事件：9月4日中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展上推出六款新设备，涵盖高深宽比&选择比刻蚀、ALD、EPI等设备。 刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP，有望充分受益于制程演进：（1）公司新一代高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE基于成熟架构升级，配备六个反应腔，通过更高功率更低频率射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。目前我国NAND已实现200层+量产，并向300层发展；其通道孔深度超过5微米、深宽比大于60:1，显著推升对极高深宽比通孔刻蚀的需求。（2）高选择比ICP刻蚀Primo Menova设备擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于先进逻辑和存储芯片制造，在刻蚀均一性、选择比与低底层损伤等方面表现突出，并集成高效腔体清洁及高温水蒸气除胶腔室设计，提升效率与稳定性；25年6月首台机已付运客户验证，进展顺利。先进逻辑与存储芯片的金属互连层数不断增加（28nm工艺约8–10层，7nm/5nm节点达13–14层），对金属刻蚀的精度和均一性提出更严苛要求，公司ICP设备有望充分受益。 新品ALD覆盖多种先进制程金属，双腔EPI满足客户降本增效需求：（1）Preforma Uniflash系列ALD：覆盖TiN、TiAl、TaN三大材料，独创双反应台与多级混气设计，薄膜均一性和效率达到国际先进水平。金属栅作为先进逻辑器件的关键环节，对栅极薄膜的厚度控制、台阶覆盖率及颗粒污染提出极高要求，推动晶圆厂对高精度ALD设备需求加速释放。（2）PRIMIO EpitaRP双腔减压外延：具备全球最小反应腔体积与多腔灵活扩展（至多可配置6腔），降低OPEX与化学品消耗的同时，实现高生产效率，可满足先进逻辑、存储等多领域外延工艺需求。24年8月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证。 平台化布局加速落地：公司平台化布局覆盖刻蚀、薄膜、量检测及显示设备。截至2025年上半年末，已有6,800台等离子体刻蚀与化学薄膜反应腔在国内外155条产线实现量产，并形成规模化批量订单。同时，公司设立超微公司切入电子束检测领域，引入领军人才，加速检测设备布局。此次发布多款先进薄膜与刻蚀设备，平台化布局再次加速。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为51/37/28倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

中微公司(688012) 事件：近日公司发布2025年半年度报告，2025年上半年公司实现营收49.61亿元，同比+43.88%；归母净利润7.06亿元，同比+36.62%；扣非归母净利润5.39亿元，同比+11.49%。2025年第二季度单季度实现营收27.87亿元，同比+51.26%，环比+28.25%；归母净利润3.93亿元，同比+46.82%，环比+25.47%；扣非归母净利润2.40亿元，同比+9.16%，环比-19.39%。 投资要点： 业绩持续高速成长，不断加大研发投入力度。2025年上半年，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产，推动公司营收持续高速增长；25H1刻蚀设备销售约37.81亿元，同比增长约40.12%,LPCVD设备销售约1.99亿元，同比增长约608.19%。公司25Q2毛利率为38.54%，同比增长0.37%，环比下降3.00%；25Q2净利率为13.56%，同比下降0.95%，环比下降0.62%。公司不断加大研发投入力度，25H1研发投入约14.92亿元，同比增长53.70%，研发投入占公司营业收入比例约为30.07%。 CCP与ICP刻蚀设备不断扩大工艺覆盖度，装机量持续高速增长。公司的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。2025年上半年，公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD-RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD-RIE持续获得客户订单，其中PrimoHD-RIEe在2025年上半年累计装机超过120个反应台，PrimoUD-RIE累计装机接近200个反应台；截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，同比增长超过900个反应台。公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺；截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。 多款薄膜沉积产品获得客户重复量产订单，持续推进新工艺设备开发。公司已开发出六款薄膜沉积产品并推向市场，其中钨系列薄膜沉积产品包括CVD钨设备、HAR钨设备和ALD钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用，该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单；公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品包括ALD氮化钛、ALD钛铝和ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，在满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性、污染物控制和生产效率均达到世界先进水平，该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。 盈利预测与投资建议。刻蚀设备与薄膜沉积设备市场空间广阔，公司具有完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，CCP与ICP刻蚀设备不断扩大工艺覆盖度，装机量持续高速增长，多款薄膜沉积产品获得客户重复量产订单，并持续推进新工艺设备开发，公司逐步建立半导体设备平台，我们预计公司25-27年营收为120.43/155.23/198.09亿元，25-27年归母净利润为22.94/30.96/41.10亿元，对应的EPS为3.66/4.94/6.56元，对应PE为60.93/45.14/34.00倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产进度不及预期风险，行业竞争加剧风险，新产品研发进展不及预期风险，国际贸易冲突加剧风险。

中微公司(688012) 投资摘要 公司发布2025年半年报报告。2025H1公司实现营收49.61亿元，同比+43.88%；归母净利润7.06亿元，同比+36.62%；扣非后归母净利润5.39亿元，同比+11.49%。2025Q2单季度来看，公司实现营收27.87亿元，同比+51.26%，环比+28.25%；归母净利润3.93亿元，同比+46.82%，环比+25.47%；扣非后归母净利润2.40亿元，同比+9.16%，环比-19.39%。 高端刻蚀设备和LPCVD快速放量，25H1营收实现高增。2025H1，公司营收同比高增43.88%，单Q2收入同比+51.26%，收入增长提速，主因应用于先进逻辑和先进存储制造的高端刻蚀设备出货量显著提升以及LPCVD实现快速放量。分产品看，1）刻蚀设备：2025H1刻蚀设备销售收入约37.81亿元，同比增长约40.12%，主因公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，多种关键刻蚀工艺实现大规模量产；2）LPCVD设备：2024年实现首台销售，2025H1该设备销售收入约为1.99亿元，超过24全年规模，同比增长约608.19%，目前多款设备顺利进入市场并获得重复性订单，我们认为薄膜设备产品研发和市场导入成效显现。 高研发投入支持产品开发和迭代，短期影响利润端表现。1）利润端：2025H1公司综合毛利率为39.86%，同比-1.47个百分点，毛利率略降；归母净利率为14.23%，同比-0.76个百分点；扣非后净利率为10.86%%，同比-3.16个百分点，主因研发投入持续加码（2025H1研发费用同比+96.65%）以及公司公允价值变动收益和投资收益增厚利润（2025H1公允价值变动收益和投资收益合计约为1.68亿元，较2024H1亏损的0.08亿元增加约1.76亿元）。2）费用端：2025H1公司的期间费用率为29.75%，同比+3.30个百分点，其中销售/管理/研发/财务费用率分别为3.85%/4.03%/22.50%/-0.64%，同比-2.00/-1.53/+6.04%/+0.79%个百分点。3）高研发投入期：公司目前仍保持高强度新设备研发，上半年研发投入总额达14.92亿元，同比+53.70%，研发投入总额占营业收入比例为30.07%。截止2025年上半年末，公司目前在研项目涵盖6类设备，超20款新设备的开发，产品研发周期缩短至2年内可完成，且新品在客户端验证情况良好，有望实现关键客户市场占有率稳步提升。 持续推多系列产品线研发和客户验证，平台化布局持续推进。公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿，多个产品线取得不错进展：1）刻蚀设备：公司CCP和ICP刻蚀设备装机量保持高增，CCP刻蚀设备已对逻辑芯片制造领域中28纳米以上的绝大部分刻蚀应用和28纳米及以下的大部分刻蚀应用形成较为全面的覆盖，超高深宽比刻蚀机（深宽比60:1）已大规模应用于先进的存储器件生产线，TSV刻蚀设备也已应用于先进封装，此外在研用于5-3nm的逻辑芯片制造的ICP刻蚀机。2）薄膜类设备：已开发出6款薄膜沉积产品推向市场，钨系列产品已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，同时也付运到先进逻辑客户进行验证；此外，ALD设备已完成多个先进逻辑客户设备验证。3）量检测设备：包括光学量检测设备和电子束量检测设备，2024年新设超微公司，着力开发电子束检测设备，扩大多品类覆盖。4）MOCVD设备：用于碳化硅功率器件外延生产的设备开发取得较大的技术进展，持续推进样机在客户端的生产验证；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备实现小批量生产验证。 投资建议 我们预计公司2025-2027年实现营业收入120.12/155.44/199.74亿元，同比+32.51%/+29.41%/+28.50%；实现归母净利润21.31/30.60/39.95亿元，同比+31.91%/+43.60%/+30.53%，当前股价对应PE66/46/35倍，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险、国际贸易摩擦加剧风险、新品开发和技术升级不及预期。

中微公司(688012) 收入保持高增，研发加码补齐国产高端设备短板，维持“买入”评级 2025H1公司实现营收49.61亿元，yoy+43.88%，主因公司高端刻蚀设备新增付运量显著提升，在先进逻辑和先进存储中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产；实现毛利率39.86%，同比下滑1.46pcts，我们认为主因公司部分先进机台在量产爬坡过程中产生的部分一次性成本在本季度体现；实现归母净利润7.06亿元，yoy+36.62%，主因收入高速增长。此外，公司继续保持高额研发投入，2025H1投入总额14.92亿元，yoy+53.70%，占收入比例为30.07%，远高于科创板公司平均水平（10-15%）。 公司Q2单季度实现收入27.87亿元，yoy+51.26%，qoq+28.25%；实现归母净利润3.93亿元，yoy+46.82%，qoq+25.47%；实现毛利率38.54%，同比提升0.37pcts，环比下滑3.00pcts。 公司在刻蚀领域领先，大力推进薄膜沉积设备研发，且通过内生外延方式拓展光学与电子束量检测等设备，竞争力强劲。我们维持收入预测，小幅下修公司财务费用预测，并小幅上修公司净利润预测，预计公司2025-2027年分别实现营业收入122/160/200亿元，实现归母净利润22.1/32.1/44.9亿元（前值22.1/31.9/44.7亿元），当前股价对应PE分别为60.6/41.8/29.9倍，维持“买入”评级。 新品研发进展顺利，高端化+平台化布局稳步推进 公司各条线产品研发进展顺利：（1）刻蚀设备：CCP方面，公司针对超高深宽比刻蚀工艺（深宽比60:1）自主开发的Primo UD-RIE已大规模应用于先进的存储器件生产线。ICP方面：公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、Primo TSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证。（2）薄膜沉积设备：MOCVD方面，公司红黄光LED MOCVD设备开发进展顺利，同时碳化硅功率器件外延生产设备已实现优良的工艺结果。ALD方面，公司已有六种CVD-ALD薄膜沉积设备进入市场，核准顺利推进，部分设备已取得批量订单。此外，公司减压EPI设备已在成熟制程客户进行量产验证，并进入先进制程验证。且新一代高选择比预清洁腔体已顺利付运先进制程客户端进行验证。 我们认为：随公司设备高端化与平台化战略逐步起效，公司市场空间与盈利能力同步提升，有望在未来为业绩增长做出贡献。 风险提示：下游晶圆厂扩产幅度不及预期，新品研发及导入进度不及预期。

中微公司(688012) 投资要点 营收&扣非归母净利润稳健增长，薄膜产品加速放量：2025H1公司营收49.6亿元，同比+43.9%，其中刻蚀设备收入为37.8亿元，同比+40.1%；LPCVD&ALD设备营收2.0亿元，同比高增608.2%。营收显著增长主要得益于公司高端刻蚀设备付运量显著提升，LPCVD、ALD等新产品形成重复订单。2025H1归母净利润为7.1亿元，同比+36.6%，扣除非经常性损益后的净利润为5.4亿元，同比+11.5%，主要得益于营收增长带来的毛利增加。Q2单季营收27.9亿元，同环比+51.3%/+28.3%；Q2归母净利润为3.9亿元，同环比+46.8%/+25.5%，扣非净利润为2.4亿元，同环比+9.2%/-19.4%。 公司毛利率略降，研发投入大幅提升：2025H1毛利率为39.9%，同比-1.5pct；销售净利率为13.8%，同比-1.1pct；扣非净利率为10.9%，同比-3.1pct。期间费用率为29.7%，同比+3.3pct，其中销售费用率为3.9%，同比-2.0pct，管理费用率为4.0%，同比-1.5pct，研发费用率为22.5%，同比+6.0pct，财务费用率为-0.6%，同比+0.8pct。目前公司在研项目涵盖六类设备和20多个新设备，2025H1研发投入为14.9亿元，同比+53.7%。Q2单季毛利率为38.5%，同环比+0.4pct/-3.0pct，主要系新设备确认收入影响；销售净利率为13.6%，同环比-1.0pct/-0.6pct；扣非净利率为8.6%，同环比-3.3pct/-5.1pct。 存货&合同负债持续高增，在手订单充足：截至2025Q2末公司合同负债为31.7亿元，同比+24.8%；存货为80.8亿元，同比+19.2%，其中发出商品余额为40.3亿元。2025H1公司经营性现金流为2亿元，Q2单季为-1.7亿元，主要系运营规模扩大带来营运资金扩大。 刻蚀产品持续领先，镀膜产品拓展顺利：（1）CCP设备：在逻辑领域已对28nm以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28nm及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖，且已有大量机台进入国际5nm及以下逻辑；截至2025Q2末已交付4500个反应台（其中双反应台3300个、单反应台1200个反应台），较2024年Q2末增加超过900个反应台。公司先进制程高选择比&高深宽比刻蚀设备持续获得客户订单，2025H1分别装机超120/200个反应台。在存储领域，超高深宽比刻蚀机已在客户端验证出≥60：1深宽比结构的能力，成功进入2D&3D存储芯片产线。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，积极储备≥90:1深宽比刻蚀技术。（2）ICP设备：公司ICP设备在客户端安装腔体数量近四年CAGR超100%，截至2025Q2末已累计安装超1200个反应台，覆盖超50个逻辑、DRAM、3D NAND等客户；公司的TSV刻蚀设备也已应用于先进封装。此外，公司正在研发用于5-3nm逻辑芯片的ICP刻蚀机。（3）MOCVD设备：积极布局第三代半导体设备，现已在LED等GaN基设备市场占据领先地位，并在Micro-LED领域的MOCVD设备开发上取得良好进展。用于SiC器件的外延设备已付运样机至国内领先客户开展验证测试。（4）薄膜沉积设备：①公司推出三款W薄膜沉积产品，涵盖CVD、HAR及ALD，其首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，并获得客户重复量产订单。②公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛、钛铝、氮化钽设备也已完成多个逻辑/存储客户验证；③减压EPI已顺利批量交付成熟制程客户，先进制程工艺处于验证阶段。同时，公司完成常压EPI的开发，进入工艺验证阶段。（5）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，已规划覆盖多种量检测设备。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为58/42/32倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

中微公司(688012) 2025年8月28日公司披露25年半年报，1H25公司实现营收49.61亿元，同比+43.88%；实现归母净利润7.06亿元，同比+36.62%。2Q25公司实现单季度收入27.87亿元，同比+51.26%，环比+28.25%；实现归母净利润3.93亿元，同比+46.82%，环比+25.47%。 经营分析 持续深化与海内外客户的业务合作，持续加大研发投入力度。2025年上半年公司研发投入总额14.92亿元，同比+53.70%，研发支出占营业收入比重达30.07%。公司目前在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单。针对先进制程和存储器件的高端产品逐步量产，平台化布局兼顾外延性发展。2025年上半年公司的刻蚀设备业务实现营收37.81亿元，同比+40.12%；LPCVD设备实现销售收入1.99亿元，同比+608.19%；营收持续高增，主要系公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。刻蚀和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升，为公司带来强劲增长动力。随着半导体工艺节点持续缩小，量检测设备需满足更高精度要求，公司成立子公司“超微公司”，布局量检测设备板块，平台型设备公司布局已初步形成。 盈利预测、估值与评级 预计公司25-27年营收118/152/198亿元，同比增长30%/29%/30%；归母净利润22/31/42亿元，同比增长36%/42%/35%，对应P/E为64/45/33倍，维持“买入”评级。 风险提示 半导体周期波动，下游晶圆厂扩产不及预期，新产品进展速度不及预期风险。

中微公司(688012) 投资要点 2025H1业绩高增，平台化布局显现：公司预计2025年上半年营收49.6亿元，同比+43.9%；其中刻蚀设备收入37.8亿元，同比+40.1%，LPCVD设备收入1.99亿元，同比高增608.2%。营收显著增长主要得益于公司用于先进存储&逻辑的高端刻蚀设备付运量显著提升，LPCVD、ALD等新产品形成重复订单。2025H1归母净利润预计为6.8-7.3亿元，同比+31.6至41.3%；扣除非经常性损益后的净利润为5.1-5.6亿元，同比+5.5至15.9%，主要得益于营收增长带来的毛利增加。2025年Q2单季预计营收27.9亿元，同比+51.3%，环比+28.6%；Q2单季归母净利润预计为3.7-4.2亿元，同比+37.0至55.6%，环比+19.4至35.5%。 公司持续加大研发投入，在手订单充足：目前公司在研项目涵盖六类设备和20多个新设备，2025年上半年研发投入14.9亿元，同比+53.7%；占公司营收比例为30.1%。截至2025Q1末公司合同负债为30.7亿元，同比+162.4%；存货为74.5亿元，同比+33.4%；2025Q1公司经营性现金流为3.8亿元。 刻蚀产品持续领先，镀膜产品拓展顺利：（1）CCP设备：在逻辑领域已对28nm以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28nm及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖，且已有大量机台进入国际5nm及以下逻辑；截至2024Q4已交付4000个反应台。在存储领域，超高深宽比刻蚀机已在客户端验证出≥60：1深宽比结构的能力，成功进入2D&3D存储芯片产线。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，积极储备≥90:1深宽比刻蚀技术。（2）ICP设备：公司ICP设备在客户端安装腔体数量近四年CAGR超100%，截至2024年已累计安装超1025个反应台，覆盖超50个逻辑、DRAM、3D NAND等客户；公司的TSV刻蚀设备也已应用于先进封装。此外，公司正在研发用于5-3nm逻辑芯片的ICP刻蚀机。（3）MOCVD设备：积极布局第三代半导体设备，现已在LED等GaN基设备市场占据领先地位，并在Micro-LED领域的MOCVD设备开发上取得良好进展。用于SiC器件的外延设备已付运样机至国内领先客户开展验证测试。（4）薄膜沉积设备：公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，并获得客户重复量产订单，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛、钛铝、氮化钽设备也已完成多个逻辑/存储客户验证；EPI设备也已完成多家先进逻辑器件与MTM器件客户的工艺验证，并获得了客户的高度认可。（5）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，已规划覆盖多种量检测设备。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为47/34/26倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

中微公司(688012) 结论与建议： 伴随中美贸易摩擦升级，先进制程的产能问题已经成为制约中国AI产业发展的最核心问题，因此我们预计2H25开始，中国政府会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来先进工艺扩张的结构性契机。 公司作为国内半导体刻蚀设备领域的龙头，强化刻蚀设备市占率的同时亦不断拓展新的设备产品，高端半导体设备领域的竞争力进一步提升。目前公司股价对应2025-27年PE分别为50倍、41倍和33倍，考虑到中美科技纷争加剧，公司估值有提升空间，给与买进的评级。 2H25先进制程将是产业重点：美国持续施压中国半导体产业，多次对于中国晶圆制造、设计关键设备及工具造成断供的威胁。因此，中国在高阶GPU产品、存储产品的需求缺口急需用先进制程来填补。可以预见从2H25开始，中国政府会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来新一轮先进工艺产能扩张。公司作为国内核心半导体设备企业，在刻蚀、薄膜领域有相当的技术储备，有望在中国发展先进制程的过程中受益。 1Q25营收继续高速增长，在手订单丰富：1Q25公司实现营收21.7亿元，YOY增长35.4%;实现净利润3.1亿元，YOY增长25.7%,EPS0.5元。1Q25公司综合毛利率41.5%，较上年同期下降3.4个百分点。截止1Q25，公司合同负债30.7亿元，较上年末增加19%，显示1Q25公司订单增长良好，同时在手订单丰富。公司1Q25研发投入约6.9亿元，YOY增长91%，研发力度持续加强。 盈利预测：我们预计公司预计公司2025-27年实现净利润22亿元、26.8亿元和33.8亿元，YOY分别增长36%、21%和19%，EPS分别为3.55元、4.32元和5.44元，目前股价对应2025-27年PE分别为50倍、41倍和33倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

中微公司(688012) 主要观点： 事件 公司2025年第一季度实现营业收入22亿元，同比增加35%，环比减少39%；归母净利润3亿元，同比增加26%，环比减少55%；扣非净利3亿元，同比增加13%，环比减少48%。 公司在2024年实现营业收入91亿元，同比增加45%；归母净利润16亿元，同比减少10%；扣非净利14亿元，同比增加17%。 刻蚀设备增长迅速，LPCVD实现收入突破 2024年，公司刻蚀设备收入73亿元，同比增长55%；MOCVD设备收入4亿元，同比下降18%；LPCVD设备收入2亿元，实现首台销售。公司开发的12寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5nm及以下器件中若干关键步骤的加工。在3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产。 多年研发投入助力产品升级，一季度合同负债大幅增长 2024年，公司研发投入25亿元，同比增长94%，研发费率16%，多年来保持在15%上下的水平。公司正在推进超过二十款新设备的开发，同时，新品研发速度明显加快，新设备开发时间从过去的3-5年，缩短至2年或更短。高研发投入取得成效，产品突破不断带来新订单增长。一季度，公司合同负债31亿元，同比大增162%，验证在手订单充沛。 投资建议 我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.13、42.94亿元，对应的EPS分别为3.96、5.46、6.87元，对应最新收盘价PE分别为45x、33x、26x。维持公司“买入”评级。 风险提示 研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

中微公司(688012) 核心观点 1Q25营收同比增长35.40%，归母净利润同比增长25.67%。公司发布2025年第一季度报告，实现营收21.73亿元(YoY+35.40%)，归母净利润3.13亿元(YoY+25.67%)，扣非归母净利润2.98亿元(YoY+13.44%)。综合毛利率达到41.54%(QoQ+2.28pp)，研发投入6.87亿元(YoY+90.53%)。公司针对先进逻辑和存储制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑中段关键刻蚀工艺和先进存储超高深宽比刻蚀工艺实现量产。期末公司合同负债达30.67亿元，存货达74.48亿元，显示公司在手订单饱满。 2024年营收同比增长44.73%，扣非归母净利润同比增长16.51%。公司2024年实现营收90.65亿元(YoY+44.73%)，归属于上市公司股东的净利润16.16亿元(YoY-9.53%)，扣非归母净利润13.88亿元(YoY+16.51%)，综合毛利率41.06%(YoY-4.77pp)。归母净利润同比下滑主要系公司显著加大研发投入以及2023年同期出售部分拓荆科技股票产生投资收益所致。分产品看，公司刻蚀设备实现收入72.77亿元(YoY+54.72%)；MOCVD设备实现收入3.79亿元；新品薄膜沉积设备实现首台销售，贡献营收1.56亿元，LPCVD设备累计出货量突破150个反应台，24年获得4.76亿元批量订单。同时，公司实现6种薄膜沉积设备的研发与交付，钨系列产品全部通过关键存储客户端量产验证，取得批量订单。 在研六大类超二十款新设备，提升产品覆盖面。伴随公司薄膜沉积设备达到国际领先水平，公司同步推进多款金属薄膜气相设备、新一代等离子体源的PECVD设备的开发，布局制造MEMS的深硅刻蚀设备，先进封装Chiplet所需的TSV刻蚀设备和PVD设备等。此外，公司先进锗硅EPI设备顺利进入客户端量产验证阶段，已完成多家先进逻辑器件与MTM器件（包括MEMS和传感器、CIS、功率以及射频器件的超越摩尔器件）客户的工艺验证。产能建设方面，公司南昌(14万平米)和临港(18万平米)生产研发基地已投产，2024年分别实现产值约61亿元和85亿元。 投资建议：国内半导体先进工艺设备公司，维持“优于大市”评级。由于国内半导体设备需求持续旺盛，且公司不断增加刻蚀、薄膜等领域覆盖度提升份额，未来营收规模效应有望逐步体现。我们预计公司2025-2027年营业收入118.96/151.32/193.33亿元（25-26年前值114.67/149.59亿元），归母净利润22.32/31.38/39.86亿元（25-26年前值22.03/31.82亿元），当前股价对应PE分别为53/37/28倍，维持“优于大市”评级。 风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。