中微公司(688012) 投资要点 高端刻蚀付运显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备Primo AngnovaTM在3D DRAM的应用中，取得了140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备PrimoDomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。 先进薄膜设备快速放量。公司以行业领先的研发速度，在短时间内成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，2025年薄膜设备营收同比大幅增长约224.23%，成为业绩增长的重要新引擎。公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD系列产品，设备性能达到国际领先水平的同时，表现出更优异的生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。公司所开发的多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作也有良好的进展。公司的减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。 杭州众硅股权过户，深化平台化发展。截至5月29日，杭州众硅64.69%股权已过户登记至上市公司名下，这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速公司在主流产线的规模化渗透。通过本次并购双方将形成显著的战略协同，同时标志着上市公司向“集团化”和“平台化”迈出关键的一步。目前公司的三十多种设备产品已经覆盖了约30%前道集成电路设备产品，未来五年，公司计划通过有机生长和外延扩展，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。 投资建议 我们预计公司2026/2027/2028年分别实现收入163/211/264亿元，归母净利润31/42/55亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，上游供应链产能紧张的风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，投资及并购风险。

中微公司(688012) 核心观点 1Q25营收同比增长34.13%，归母净利润同比增长197.20%。公司发布2026年第一季度报告，实现营收29.15亿元(YoY+34.13%)，归母净利润9.30亿元(YoY+197.20%)，扣非归母净利润4.78亿元(YoY+60.09%)。综合毛利率达到39.89%(QoQ+0.6pp)，研发支出9.08亿元(YoY+32.15%)。收入端增长主要因应用于先进逻辑（中段关键刻蚀工艺）与存储（超高深宽比刻蚀工艺）的高端产品实现量产，且运量显著提升。利润端，公司本期出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97亿元。期末公司合同负债达28.53亿元，存货达72.59亿元，显示公司在手订单饱满。 2025年营收同比增长36.62%，归母净利润同比增长30.69%。公司2025年实现营收123.85亿元(YoY+36.62%)，归母净利润21.11亿元(YoY+30.69%)，扣非归母净利润15.50亿元(YoY+11.64%)，综合毛利率39.17%(YoY-1.89pp)。公司刻蚀设备实现收入98.32亿元(YoY+35.12%)，覆盖从65nm到3nm及更先进工艺的刻蚀应用，刻蚀设备全球累计出货超6800台。薄膜设备实现收入5.06亿元，同比增长224.23%，LPCVD设备累计出货量突破300个反应台。25年薄膜设备新签订单约7.56亿元，同比增长约59%。MOCVD设备方面，开发出用于SiC和GaN功率器件、Micro LED等领域的新产品。 高端刻蚀设备全面导入应用，先进薄膜设备运付量快速增长。先进存储中，公司超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器实现稳定量产，下一代90:1超高深宽比低温CCP刻蚀设备已运付客户端进行验证。第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得140:1高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新化学气相刻蚀设备实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，全面满足客户的各项工艺指标要求。薄膜设备方面，公司减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，并已付运至先进制程客户；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。目前公司累计已有超8300个反应台在国内外180余条芯片及LED生产线全面量产。 投资建议：国内半导体先进设备公司，维持“优于大市”评级。国内半导体设备需求旺盛，公司平台化发展优势有望逐步体现，我们预计公司2026-2028年营业收入158.70/207.00/267.93亿元（26-27年前值151.32/193.33亿元），归母净利润30.47/39.22/49.22亿元（26-27年前值31.38/39.86亿元），当前对应PE分别为77/60/48倍，维持“优于大市”评级。 风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。

中微公司(688012) 营收持续高速增长，净利润亦增长强劲： 1Q26 营收 29.15 亿元（人民币，下同），同比增 34.1%，高于我们预测的 28.0 亿元。毛利率 39.9%，连续两个季度环比上升，我们视之为积极信号，并认为这部分是因为新产品上量对于毛利率影响开始减退。净利润 9.30 亿元，远好于市场/我们的预期，主要因为本期出售部分拓荆科技（ 688072 CH/未评级）股票，产生税后净收益3.97 亿元。扣非净利润 4.78 亿元，同比增约 60%，快于营收增速。 新产品落地继续取得进展：根据公司披露的产品路线图，最让我们感到惊喜的是公司第二代 ICP 刻蚀产品在 3D DRAM 应用中的进展。公司提到产品取得了 140:1 的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到中国内地领先存储客户端认证。 3D DRAM 目前尚未处于大规模生产阶段，我们之前预测 3D DRAM 全球范围内大规模上市或在 2028 年之后。 3D DRAM 在结构上与之前 DRAM 存在较大差异，参考之前 3D NAND 的制造工艺，我们认为刻蚀或在 3D DRAM 制造过程中发挥重要作用，而中微在产品的进展也给我们对于国产 DRAM 赶超世界先进水平提供信心。此外， CCP 90:1 超高深宽比已运付客户端进行验证，化学气相刻蚀设备实现大于 700:1 业界领先 SiGe/Si 高选择比等进展也意味着公司产品研发步伐或持续加快。我们预测 2026 年 ICP 产品收入超过 CCP 收入，分别达到 65.9/62.7 亿元，预测薄膜沉积产品收入达到 8.0 亿元。 上调目标价到 448 元：我们认为，部分客户资本开支或在 2026 年小幅回落后在 2027 年重新加速上涨。同时考虑到国产存储芯片客户中短期扩产积极，我们上调 2027 年公司营收预测到 219.2 亿元（前值 196.0 亿元），微调 2026 年营收预测到 164.2 亿元（前值 162.6 亿元）。我们看到公司毛利率水平在之前小幅下降后近期出现反弹，虽然行业竞争加剧，但我们认为公司在前道设备 ICP/CCP 和部分薄膜沉积产品上具备技术优势。我们上调 2026/27 年 EPS 预测到 6.01/7.47 元（前值 5.56/6.96 元）。我们维持买入评级，上调目标价到 448 元（前值 418 元），对应 60 倍（维持前值不变） 2027 年市盈率

中微公司(688012) 结论与建议： 公司交出靓丽季报，1Q26营收增长3成，扣非后净利润增长6成，业绩弹性进一步显现。展望未来，公司逐步成为成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越。其成长空间进一步打开。目前公司股价对应2028年PE46倍，维持买进的评级。 1Q26净利润高速增长，利润弹性显现：2026年第一季度公司实现营收29.1亿元，YOY增长34.1%;实现净利润9.3亿元，YOY增长197.2%，扣非后净利润4.8亿元，YOY增长60%，与净利润的差额源于出售拓荆科技股权录得4.7亿元的投资收益，EPS1.48元。1Q26公司研发支出9.1亿元，较去年同期增长约32%，研发费用率31.1%，推进六大类、超20款新设备的研发，在保持了较高的研发强度的同时，公司利润释放加速，反应规模效应的提升。 2026迎来半导体史诗性扩产，公司有望受益：2026年，中国半导体设备市场在AI算力爆发与国产化加速的双重驱动下，将呈现出前所未有的高景气度。特别是头部晶圆厂与存储大厂（长鑫、长存）高速扩产，资本开支有望超历史记录。将有助于设备企业获得更多订单，从而实现国产设备的“点状突破”向“链式突围”迈进。公司作为国内刻蚀设备龙头，正通过内生和外延方式进入设备产业链的其他领域，逐步成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的平台型公司，从而在中国发展先进制程的过程中受益。 盈利预测：我们预计公司2026-28年实现净利润29亿元、39亿元和47.6亿元，YOY分别增长37%、35%和22%，EPS分别为4.62元、6.23元和7.59元，目前股价对应2026-28年PE分别为76倍、57倍和46倍，考虑半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

尹志尧先生,1944年生,中国国籍,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长、总经理、核心技术人员。

陈伟文先生,1967年生,中国国籍,厦门大学学士、美国阿拉巴马大学硕士。1996年至1999年,担任普华永道会计师事务所审计师;1999年至2000年,担任可口可乐公司总部财务分析师;2000年至2005年,担任霍尼韦尔国际总部资深内审员及中国区飞机引擎分部财务总监;2006年至2007年,担任耶路全球中国国际运输财务总监;2007年至2008年,担任海王星辰连锁药店集团财务总监兼副总经理;2009年至2010年,担任盛大科技财务总监;2010年至2012年,担任阿特斯太阳能集团副总经理兼财务总监。现任中微公司副总经理、财务负责人。

丛海先生,1967年生,新加坡国籍,新加坡国立大学硕士研究生。1995年至2002年,担任新加坡特许半导体蚀刻资深工程师;2002年至2003年,担任美国台积电海外厂蚀刻资深工程师;2003年至2018年,担任新加坡GlobalFoundries研发部门蚀刻部技术总监;2018年至今,历任中微公司集团副总裁,刻蚀和外延产品部总经理;资深副总裁,全球业务管理,刻蚀产品事业总部、EPI及D-RID PECVD产品部总经理。现任中微公司董事、副总经理、核心技术人员。

陶珩先生,1975年生,中国国籍,上海交通大学硕士研究生。1997年至2002年,担任武汉理工大学校办工厂机械工程师;2002年至2003年担任捷锐气压设备(上海)有限公司机械工程师;2003年至2005年担任精技机电(上海)有限公司机械工程师。2005至今,历任中微公司执行总监、副总裁、集团副总裁,LPCVD产品部和公共平台工程部总经理、CVD产品部及公共工程部总经理、中微成都总经理。现任中微公司董事、副总经理、核心技术人员。

姜银鑫先生,1977年生,中国国籍,南京理工大学学士,复旦大学硕士。1999年至2001年,就职于富士康科技集团华东法务室,担任专利工程师;2001年至2005年,就职于台达电力电子研发中心,任专利经理;2005年至今,历任中微公司知识产权经理、知识产权总监、知识产权资深总监、法务及知识产权执行总监、法务及知识产权副总裁、集团副总裁及总法律顾问。现任中微公司副总经理。

何奕先生,1968年生,中国国籍,苏州大学理学学士,美国城市大学工商行政管理硕士。二十多年人力资源从业经历,担任多家中外企业的人力资源负责人,包括康明斯中国地区人力资源总监、铁姆肯亚太区人力资源副总裁、福耀玻璃人力资源副总裁、均胜电子人力资源总监等;2023年9月,加入中微公司,担任集团副总裁,负责人力资源工作。现任中微公司副总经理。

靳巨先生,1964年生,美国国籍,西安交通大学学士,日本东京大学博士。1998年至2000年,就职于美国ADE公司,历任首席技术专家和研发部门经理;2001年至2002年,担任美国光刻机公司Ultratech公司主任工程师;2004年至2009年,担任日本东京精密机械株式会社美国公司半导体前道设备总经理;2009年至2016年,创立美国Applied Electro-Optics Inc.,担任董事长和首席执行官;2016年至2019年,担任以色列Orbotech公司资深商务及市场总监;2019年至2023年,担任美国Onto Innovation Inc.公司集团资深副总裁兼半导体检测事业部总经理;2023年至今,担任中微公司资深副总裁,检测事业部总经理。现任中微公司副总经理。

刘方先生,1976年生,中国国籍,美国康奈尔大学工商管理硕士,新加坡南洋理工大学电子工程硕士。2003年至2007年,就职于新加坡电信有限公司,担任工程师;2010年至2020年,就职于中信证券股份有限公司,历任投资银行业务高级经理、副总裁、高级副总裁、总监等职;2020年,就职于深圳传音控股股份有限公司,任副总裁;2021年至2025年2月,就职于长鑫科技集团股份有限公司,担任董事会办公室主任、其子公司安徽启航鑫睿私募基金管理有限公司总经理等职;2025年2月至今,历任中微公司集团副总裁、副总经理、董事会秘书。

李鑫先生,1980年生,中国国籍,硕士学历。曾任上海颐广电子科技公司执行董事、总经理,上海广电电子股份有限公司董事、副总经理,上海索广电子有限公司董事、副总经理,上海仪电(集团)有限公司副总裁等职务。2024年10月起任上海国有资本投资有限公司副总裁。现任中微公司董事。

朱民先生,1973年生,中国国籍,华东政法大学学士,华东师范大学硕士。1995年至1999年,担任上海金桥(集团)有限公司法律顾问、团委书记;1999年至2003年,历任上海市经营者资质评价中心信息部副部长、部长;2003年至2007年,历任上海市国资委企业改革处主任科员、上海市国资委办公室主任科员;2007年至2010年,担任上海市国资委办公室副主任、援藏任西藏日喀则地区国资委副主任;2010年至2014年,历任上海市国资委办公室副主任、上海市国资委直属单位管理办公室主任、直属单位党委副书记;2014年至今,历任上海科技创业投资(集团)有限公司副总经理、党委副书记、总裁。现任上海国有资本投资有限公司科创总监、上海科技创业投资(集团)有限公司党委书记、董事长。现任中微公司董事。