中微公司(688012)公司资料

中微公司(688012) 投资要点： 事件：公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（下称“众硅科技”）控股权并同步募集配套资金。公司股票自2025年12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。 众硅科技成立于2018年，主要从事CMP设备及配套系统研发制造，产品布局覆盖6–12英寸CMP整机、单模组CMP、抛光液供液系统（SDS）及ECMP等。其中，12英寸高端CMP设备已批量应用，8英寸先进CMP设备通过SEMI认证并导入多家晶圆厂产线。 CMP（化学机械抛光）设备价值量约占半导体设备投资总额的4%，市场集中度较高。1） CMP通过化学反应与机械去除协同实现晶圆表面高精度平坦化，是当前唯一能够有效抛光铜互连金属层的关键工艺，广泛应用于晶圆制造及TSV、2.5D/3DIC等先进封装环节。2）据头豹，预计2025-2029年，中国半导体化学机械抛光设备行业市场规模由183亿元人民币增长至486亿元人民币，期间年复合增长率27.7%；3）CMP行业竞争格局高度集中，根据Gartner，AppliedMaterials与日本荏原合计占据全球约93%的CMP市场份额，尤其在14nm以下先进制程产线中形成垄断。 公司此次筹划收购众硅科技，核心意义在于补齐湿法关键工艺、完善前道核心设备体系，加速向平台型半导体设备厂商演进。1）工艺上，公司现有产品以刻蚀、薄膜沉积等真空干法设备为主，而CMP是湿法工艺中不可替代的核心环节，与刻蚀、沉积共同构成除光刻机外最关键的前道工艺装备组合。通过并购切入CMP领域，公司有望实现“刻蚀—沉积—平坦化”工艺系统覆盖，提升体解决方案竞争力。2）战略上，本次交易推动公司由单一设备龙头向“集团化、平台化”设备企业迈出关键一步。 投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.58/42.78亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.4%，对应PE分别为74.8x/51.6x/38.1x。在晶圆厂扩产与国产替代推进下，本次收购补齐CMP关键工艺，完善前道设备体系，推动公司平台化发展并强化中长期成长性。 风险提示：化学机械抛光设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

中微公司(688012) 投资要点 切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力：2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份，为其第二大股东。杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速演进。 杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备：杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投入产线应用。 平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺：（1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。（3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。（4）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元，当前股价对应动态PE分别为70/50/38倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

中微公司(688012) 投资要点 ICP刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND等领域超50家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多ICP刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova12寸ICP单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM及3D NAND存储芯片的制造需求。 刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，归母净利润21/31/43亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。

中微公司(688012) 投资要点： 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.5%，对应PE为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业，但基于公司1）刻蚀设备在主流晶圆厂不断验证，应用于先进逻辑节点；2）薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破，新产品已陆续进入规模化放量阶段，在半导体设备行业中具备稀缺性，我们认为应给予一定估值溢价。 行业与公司情况：公司是中国前道核心工艺设备领先厂商，刻蚀产品覆盖CCP与ICP两大体系，已满足65nm至5nm及更先进节点需求，并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备，同时拓展光学与电子束量测及多类泛半导体微加工设备。行业方面，全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。 关键假设点：1）多重图案化与3D存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm向5nm及以下推进，以及3DNAND层数由100+层向200+层、单deck向双/三deck演进，刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM均提升约1.7–2.0倍。我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展，有较强能力承接先进制程扩容带来的结构性增量。2）薄膜沉积业务进入规模化阶段，新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD等新品相继通过客户验证并形成批量出货，2025前三季度该业务收入约4亿元，同比增幅超1300%。同时，硅及SiGe外延（EPI）设备已陆续导入头部客户的量产验证环节，外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027年保持放量，公司收入结构逐渐多元化，并成为未来毛利率改善主要来源。 有别于市场的认识：市场多将关注点放在国产替代进程上，但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先进逻辑及高层数3DNAND在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进，由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM提升；在这两条工艺主线中，公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段，具备相对更明确的受益基础。 股价表现的催化剂：公司薄膜沉积产品线放量；公司先进工艺验证进展加速；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动算力存力投资上行。 风险提示：先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡不及预期风险。