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拓荆科技

(688072)

  

流通市值:453.33亿  总市值:453.33亿
流通股本:2.80亿   总股本:2.80亿

拓荆科技(688072)公司资料

公司名称 拓荆科技股份有限公司
网上发行日期 2022年04月08日
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
注册资本(万元) 2797291180000
法人代表 刘静
董事会秘书 赵曦
公司简介 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。公司总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。目前公司生产能力可以满足生产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。
所属行业 半导体
所属地域 辽宁
所属板块 基金重仓-融资融券-中证500-沪股通-MSCI中国-半导体概念-中芯概念-专精特新-百元股-高带宽内存
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
联系电话 024-24188000,024-24188000-8089
公司网站 www.piotech.cn
电子邮箱 ir@piotech.cn
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
半导体设备行业395839.3196.46233926.1397.76
其他(补充)14494.073.535363.852.24

    拓荆科技最近3个月共有研究报告6篇,其中给予买入评级的为3篇,增持评级为3篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2025-07-07 华安证券 陈耀波,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 主要观点: 深耕半导体薄膜设备领域,产品矩阵持续丰富 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来,公司始终坚持自主研发、自主创新,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品,产品主要应用于集成电路晶圆制造、先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。受益半导体设备行业国产化及自身竞争力持续增强,2020-2024年公司营收及归母净利润持续扩张。公司营业总收入由2020年的4.4亿增至2024年的41.0亿,4年CAGR达75%;归母净利润2021年实现扭亏后连续三年保持增长态势,2024年归母净利润达6.9亿。公司在手订单数保持高速增长,2024年在手订单金额约94亿元,同比增长约46%。 半导体薄膜沉积设备:国产替代持续演进,公司产品矩阵持续丰富 薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,是制造的核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备和原子层沉积(ALD)设备。AI浪潮下先进制程需求持续增长,拉动半导体薄膜沉积设备需求高增。根据拓荆科技测算,2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。当前,全球薄膜沉积设备市场基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日厂商垄断:在PVD设备领域,AMAT处于领先地位,份额占比达85%左右;在CVD领域,AMAT、LAM、TELCR3占比合计超80%;在ALD设备领域,TEL和ASM两家合计占比约60%。而我国半导体薄膜沉积设备发展起步较晚,设备自给率不足20%。公司作为国内半导体薄膜沉积设备领军者,持续拓展PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)、HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)及Flowable CVD(流动性化学气相沉积)薄膜设备系列产品,新品产业化进程顺利,有望凭借自身技术优势高速放量。 混合键合设备:先进封装对混合键合技术需求高增,公司前瞻性布局该赛道开启第二成长曲线 混合键合通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球互连,从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装。按工艺区分,混合键合技术可分为晶圆对晶圆(W2W)或芯片对晶圆(D2W)两种。先进封装持续演进,混合键合技术已应用于台积电的SoIC技术、英特尔的Foveros等先进封装技术方案。根据Yole预测,全球混合键合机市场规模有望由2020年的2.7亿美元增至2027年的7.4亿美元,7年复合增长率约16%。 当前,全球混合键合设备市场主要由企业主导,BESI一家占据67%的市场份额。近年来,我国混合键合设备市场逐步崛起,公司前瞻性布局混合键合设备赛道,近年来持续研发投入,强化先进键合设备和配套的量检测设备等系列产品的关键核心技术,不断拓宽公司产品布局,其W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合产品均获得重复订单。随着混合键合设备新品放量,公司第二成长曲线未来成长可期。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现营业收入55.1、74.4、92.8亿元;归母净利润分别为9.9、13.5、19.0亿元,对应EPS为3.55、4.82、6.79元,对应2025年7月1日收盘价PE分别为43.22、31.82、22.58倍。首次覆盖给予买入评级。 风险提示 公司研发不及预期风险,下游需求不及预期风险,市场竞争风险。
2025-06-23 群益证券 朱吉翔增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 结论与建议: 伴随中美贸易摩擦升级,美国对华高阶算力芯片及HBM等产品的限制进一步趋严。中国对于高阶算力芯片及HBM的需求缺口或存在扩大的风险。因此预计2H25开始,中国半导体产业有望迎来先进工艺扩张的结构性契机,公司作为国内稀缺的薄膜设备企业,同时也是国内领先的混合键和设备企业,有望受益。公司目前股价对应2025-27年PE42倍、33倍和24倍,估值有一定安全边际,给予买进评级。 混合键合领先企业,有望受益于国产HBM需求增长。随着中美贸易摩擦的升级,美国对中国高阶算力芯片及HBM等产品的出口限制不断加强,因此预计2H25开始,中国半导体设备产业有望迎来先进工艺扩张的结构性契机。拓荆科技凭借其在薄膜沉积设备领域的领先地位,有望在这一过程中获得更多的市场份额。同时,公司作为国内领先的混合键合设备企业,相关设备率先通过本土大厂认证,填补了国内高阶HBM关键封装工艺的空白,有望在HBM国产化过程中受益。 股权激励行权目标高:公司发布股权激励计划,行权条件为2025年营收目标49.9亿元,同比增长21.7%,净利润10.6亿元,同比增长54%;2026年营收目标60亿元较2024年增长46%,净利润12.6亿元,较2024年增长83%,整体增速预期较快,体现管理层对于公司快速发展的信心。 24年营收增长5成,1Q25营收继续高速增长:。2024年公司实现营收41亿元,同比增52%,实现净利润6.9亿元,同比增4%。1Q25公司实现营收7.1亿元,同比增加50.2%;惟亏损1.5亿元,主要系部分在研商品发到客户端验证,所产生的费用计入成本,导致毛利率阶段性的滑落,预计随着公司新品验收结束,毛利率有望逐步恢复。 盈利预测:预计公司2025-2027年净利润10亿元、13亿元和17.4亿元,同比增长46%、30%和33%,EPS分别为3.59元、4.67元和6.21元,目前股价对应2025-27年PE42倍、33倍和24倍,给予买进评级。 风险提示:中国半导体制造投资需求急速下降。
2025-05-15 国信证券 胡剑,胡...增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 核心观点 1Q25营收同比增长50.22%,归母净利润亏损1.47亿。公司发布2025年一季报,实现营收7.09亿元(YoY+50.22%),归母净利润-1.47亿元(YoY-1503.33%)。营收高速增长主要受益于公司新产品/新工艺实现批量验证,工艺覆盖面不断扩大,量产规模快速增长;利润端承压主要系新产品验证成本及费用增加(1Q25新产品收入占比67%)。季度末公司合同负债达到37.52亿元,同比增长170.65%,期末存货达78.12亿元,印证公司在手订单饱满。 2024年营收同比增长51.70%,归母净利润同比增长3.86%。2024全年实现营收41.03亿元,归母净利润6.88亿元,综合毛利率为41.69%(YoY-9.32pp),研发费用7.56亿元(YoY+31.26%)。分产品来看,24年薄膜沉积设备实现收入38.6亿元(YoY+50.29%),应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备收入0.96亿元(YoY+48.78%)。24年底公司在手订单约94亿元,发出商品余额41.64亿元(YoY+115.32%),24年合计出货超1000个反应腔,为后续收入增长奠定良好基础。 薄膜沉积设备持续扩大量产规模,先进键合设备获得重复订单。薄膜沉积设备方面,2024年公司晶圆背面薄膜沉积Bianca通过客户验证并实现产业化应用,累计出货超40个反应腔。基于新型设备平台(PF-300TPlus和PF-300M)和新型反应腔(pX和Supra-D)的PECVD Stack(ONO叠层)、ACHM、LoK-Ⅱ等先进工艺设备实现批量出货并陆续通过客户验证,累计出货超220个反应腔。此外,SACVD/HDPCVD/Flowable CVD反应腔分别累计出货超过100/100/15个。用于三维集成领域的产品方面,晶圆对晶圆混合键合设备(Dione300)、芯片对晶圆键合前表面预处理设备(Propus)获得重复订单并扩大产业化应用。晶圆对晶圆熔融键合设备(Dione300F)已获得客户订单,芯片对晶圆混合键合设备(Peione)已获得客户订单并出货。键合套准精度量测设备(Crux300)及键合强度检测设备(Ascella300)均通过客户验证。 投资建议:国产半导体薄膜沉积设备龙头,维持“优于大市”评级。公司作为国内半导体薄膜沉积设备龙头之一,薄膜设备新工艺机台有望逐步量产出货,用于三维集成领域的键合工艺设备也在逐步获得客户的重复订单。我们预计2025-2027年营业收入53.27/68.59/88.15亿元(25-26年前值51.70/66.35亿元),归母净利润9.42/13.01/17.81亿元(25-26年前值9.16/12.30亿元),当前股价对应PE分别为31/23/17倍,维持“优于大市”评级。 风险提示:下游晶圆制造产能扩充不及预期风险,新产品开发不及预期风险,国际关系波动和地缘政治风险等。
2025-04-30 开源证券 陈蓉芳,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 收入维持高速增长,薄膜沉积/三维集成协同驱动增长,维持“买入”评级 公司2024年全年实现营收41.0亿元,yoy+51.7%,主因于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加,公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加;实现归母净利润6.9亿元,yoy+3.9%;实现毛利率41.7%,同比下降9.3pct;此外,截至2024年末,公司在手订单近94亿元,为后续业绩增长提供有力保障。 2025年Q1,公司继续实现高增,实现营业收入7.1亿元,yoy+50.2%,同时在手订单教2024年末继续增长;实现归母净利润-1.5亿元,亏损原因主要系新机台部分验证费用计入成本,导致毛利率大幅下滑,后续或将不断恢复。 公司持续拓展薄膜沉积工艺覆盖面,并拓展三维集成设备,有望受益先进制程/先进封装扩产,我们上修公司2025/2026年盈利预测,并新增2027年盈利预测。预计公司2025-2027年将分别实现营收58/77/95亿元(2025/2026年前值为52/64亿元),实现归母净利润9.4/14.9/19.6亿元(2025/2026年前值为9.3/13.4亿元),以2025年4月29日收盘价计算,对应2025-2027年PE分别为47/31/23倍,维持“买入”评级。 薄膜沉积设备工艺覆盖面持续拓宽,三维集成设备打造第二成长曲线 薄膜沉积设备领域:公司拓展的Flowable CVD设备(应用于gapfill等)、PECVDBianca以及基于新型设备平台的PECVD Stack(ONO叠层)和ACHM等设备(应用于先进工艺等),已陆续通过验证并完成出货。此外,公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面,例如PE-ALD SiN工艺设备(PF-300T Astra)通过客户验证、多台HDPCVD FSG、STI工艺设备通过客户验证、ALD设备工艺覆盖也不断拓宽。截至2024年,公司已经可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用,竞争实力持续加强。 三维集成领域:公司W2W混合键合设备、D2W键合前表面预处理设备已获得重复订单,同时也自研新产品W2W熔融键合设备、D2W混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备,致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。随着先进封装在半导体领域占据越来越重要的地位,公司三维集成设备有望受益。 风险提示:行业需求下降风险;晶圆厂资本开支下滑风险;技术研发不及预期。
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
吕光泉董事长,董事 463.19 74 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
吕光泉董事长,非独立... 394.1 109.5 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
刘静总经理,法定代... 220.36 -- 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具备中国注册会计师资格,具有高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司总经理。
刘静总经理,法定代... 182.11 12.05 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。
孙丽杰副总经理 129.83 -- 点击浏览
孙丽杰,女,1968年出生,北京航空航天大学学士,东北大学工商管理硕士(EMBA),高级经济师。1992年12月至2009年9月,先后任职于辽宁经济技术交流馆、辽宁展览贸易集团有限公司、沈阳芯源微电子设备有限公司,历任总经理助理、行政总监等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司副总经理。
宁建平副总经理 177.9 3.833 点击浏览
宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始就职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。
牛新平副总经理 212.99 3.286 点击浏览
牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。
许龙旭副总经理 114.49 3.943 点击浏览
许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。
齐雷董事 0 -- 点击浏览
齐雷,男,1979年出生,中国人民解放军信息工程大学硕士。2004年8月至2009年9月,就职于中国人民解放军战略支援部队某部,担任助理研究员职务;2009年10月至2016年11月,就职于中国国投高新产业投资有限公司,历任投资经理、高级投资经理职务;2016年12月至今,就职于国投创业投资管理有限公司,担任投资总监、执行董事、董事总经理职务。2017年9月至今,任公司董事。
赵曦副总经理,董事... 164.9 6.429 点击浏览
赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司2500.00实施中
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司375.00实施中
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司2500.00实施中
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