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拓荆科技

(688072)

  

流通市值:591.71亿  总市值:591.71亿
流通股本:2.80亿   总股本:2.80亿

拓荆科技(688072)公司资料

公司名称 拓荆科技股份有限公司
网上发行日期 2022年04月08日
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
注册资本(万元) 2797291180000
法人代表 刘静
董事会秘书 赵曦
公司简介 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。公司总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。目前公司生产能力可以满足生产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。
所属行业 半导体
所属地域 辽宁
所属板块 基金重仓-融资融券-中证500-沪股通-MSCI中国-半导体概念-中芯概念-专精特新-百元股-高带宽内存
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
联系电话 024-24188000,024-24188000-8089
公司网站 www.piotech.cn
电子邮箱 ir@piotech.cn
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
半导体设备行业395839.3196.46233926.1397.76
其他(补充)14494.073.535363.852.24

    拓荆科技最近3个月共有研究报告5篇,其中给予买入评级的为4篇,增持评级为1篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2025-08-29 开源证券 陈蓉芳,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) Q2收入继续高增,毛利率显著恢复,扭亏为盈,维持“买入”评级2025年上半年,公司实现营业收入19.54亿元,yoy+54.25%,主因公司不断突破核心技术,加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用,以及下游对国产设备需求的提升;实现毛利率31.96%,同比下滑15.09pcts,主因一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高,毛利率较低,随着公司新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化,2025年第二季度毛利率环比大幅改善,随先进机台逐步上量有望继续稳步回升;实现归母净利润0.94亿元,yoy-26.96%,主因一季度净利润大幅下滑。 单季度而言,公司Q2实现收入12.45亿元,yoy+56.64%,qoq+75.74%;实现毛利率38.82%,环比提升18.93pcts;实现归母净利润2.41亿元,环比提升3.88亿元,主因公司毛利率回升以及规模效应带来期间费用率下降。 公司毛利率从一季度低谷走出,同时多类先进设备通过下游验证,预计将为未来业绩增长带来有力贡献,我们维持前盈利预测,预计2025-2027年将分别实现营收58/77/95亿元,实现归母净利润9.7/14.9/19.5亿元,8月28日收盘价对应PE分别为56.4/36.8/28.1倍,维持“买入”评级。 先进制程机台进展乐观,市场拓展持续取得成效 公司产品竞争力持续提升,公司先进制程的验证机台已顺利通过客户认证,逐步进入规模化量产阶段。基于新型设备平台(PF-300T Plus和PF-300M)和新型反应腔(pX和Supra-D)的PECVD Stack(ONO叠层)、ACHM及PECVD Bianca等先进工艺设备,陆续通过客户验收,量产规模不断增加,ALD设备持续扩大量产规模,业务增长强劲。 市场拓展方面,公司持续优化客户结构,在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时,成功导入新客户,市场渗透率进一步提升。截至报告期末,合同负债达453,577.43万元,相较2024年年末增长52.07%,主要系在手订单增加所致,为后续收入持续增长奠定了基础。 综合而言,我们认为随着公司针对先进制程的机台在下游客户中逐步完成验证,下半年收入放量可期,且毛利率也有望同步改善。另外三维集成设备契合先进封装大趋势,目前公司进展乐观,有望深度受益。 风险提示:下游晶圆厂延迟扩产,公司新产品验证进度不及预期。
2025-08-28 东吴证券 周尔双,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点 Q2收入&归母净利润同环比均高速增长,新产品加速批量交付:2025H1公司营业收入为19.54亿元,同比+54.2%,主要系公司先进制程的验证机台已顺利通过客户认证,逐步进入规模化量产阶段;归母净利润为0.94亿元,同比-27.0%,主要系第一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高,毛利率较低;扣非归母净利润为0.38亿元,同比+91.3%,主要系本期计入非经常性损益的政府补助同比减少。Q2单季营业收入12.45亿元,同比+56.6%,环比+75.7%,符合业绩预告中值,呈加速增长态势;归母净利润2.41亿元,同比+103.4%,环比扭亏为盈,主要系公司新产品已完成验证并批量交付;扣非归母净利润2.18亿元,同比+240.4%,环比扭亏为盈,符合业绩预告。 随新产品规模化量产,Q2公司盈利能力环比改善:2025H1年公司毛利率为31.9%,同比-15.1pct;销售净利率为4.2%,同比-5.4pct;期间费用率为31.9%,同比-13.0pct,其中销售费用率为8.7%,同比-3.9pct,管理费用率为5.3%,同比+0.1pct,研发费用率15.4%,同比-9.4pct,财务费用率为2.4%,同比+0.3pct。Q2单季度毛利率为38.8%,同比-8.0pct,环比+18.9pct;销售净利率18.8%,同比+4.4pct,环比+40.2pct。 存货&合同负债持续高增,现金流持续优化:截至2025H1末,公司合同负债为45.4亿元,同比+122.6%,主要系公司持续优化客户结构,在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时,成功导入新客户,在手订单增加;存货为83.2亿元,同比+28.9%。2025H1,公司经营活动净现金流为15.7亿元,同比由负转正,其中2025Q2经营活动净现金流为15.5亿元,主要系2025H1预收货款及销售回款达到43.7亿元,创历史新高,为公司持续研发投入和产能扩张提供了有力保障。 累计出货超3000个先进反应腔,平台化产品加速放量:(1)PECVD:已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料和先进介质薄膜材料均已实现产业化应用。截至2025H1基于新型设备平台(PF-300T Plus和PF-300M)和新型反应腔(pX和Supra-D)的PECVD Stack(ONO叠层)、ACHM、Lok-II及PECVD Bianca等先进工艺设备陆续通过客户验收,量产规模不断扩大;用于先进存储领域的PECVD OPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单,已出货多台至客户端验证;公司目前已实现对PECVD ACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖(先进制程),成为国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商。(2)ALD:是国产ALD工艺覆盖度第一的厂商。截至2025H1公司基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本(COO)的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单,PE-ALD SiO2和PE-ALD SiCO多台通过客户验证,不断扩大量产规模,公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖;TiN T-ALD持续获得客户订单,出货量不断扩大。公司ALD产品2025Q2确收金额已超2024年全年。(3)先进封装设备:公司晶圆对晶圆键合产品Dione300及芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus均实现产业化;公司自主研发了键合套准精度量测产品,其中Crux300已获得客户订单。公司先进封装设备2024年实现营收9567万元,同比+48.8%。 盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润分别为10.0/15.5/22.1亿元,当前市值对应动态PE分别为53/35/24倍,维持“买入”评级。 风险提示:晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等
2025-07-20 东吴证券 周尔双,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点 2025Q2业绩高增,新产品开始贡献正向业绩:2025Q2单季营业收入预计为12.1-12.6亿元,同比+52%至58%,环比+70.7%至77.7%。期间归母净利润预计为2.4-2.5亿元,同比+101%至108%;扣非归母净利润预计为2.15-2.24亿元,同比+235%至249%,环比扭亏为盈;主要系公司新产品已完成验证,综合毛利率大幅改善且得益于规模效应,公司期间费用率同比下降。 存货&合同负债持续高增,现金流持续优化:截至2025Q1末,公司合同负债为37.5亿元,同比+170.7%;存货为78.1亿元,同比+39.2%。2025Q2经营活动净现金流预计为14.8-15.8亿元,得益于销售回款加速,现金流状态持续优化。 PECVD领域持续扩张,平台化产品陆续放量:(1)PECVD:已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料和先进介质薄膜材料均已实现产业化应用。截至2024年末,基于新平台(PF-300T Plus和PF-300M)及新型反应腔(pX和Supra-D)相关工艺产品已累计出货超220腔,量产规模不断增加。(2)ALD:是国产ALD工艺覆盖度第一的厂商,首台PE-ALD SiN工艺设备通过客户验证,实现了产业化应用;公司Thermal-ALD设备持续获得订单并实现交付。公司2025Q2确收金额已超2024年全年。(3)先进封装设备:公司在国内键合领域设备装机量和键合相关工艺覆盖率均位居第一(HBM应用),其中晶圆对晶圆键合产品Dione300及芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus均实现产业化;公司自主研发了键合套准精度量测产品,其中Crux300已获得客户订单。公司先进封装设备2024年实现营收9567万元,同比+48.8%。 盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润分别为10.0/15.5/22.1亿元,当前市值对应动态PE分别为46/30/21倍,维持“买入”评级。 风险提示:晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等。
2025-07-07 华安证券 陈耀波,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 主要观点: 深耕半导体薄膜设备领域,产品矩阵持续丰富 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来,公司始终坚持自主研发、自主创新,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品,产品主要应用于集成电路晶圆制造、先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。受益半导体设备行业国产化及自身竞争力持续增强,2020-2024年公司营收及归母净利润持续扩张。公司营业总收入由2020年的4.4亿增至2024年的41.0亿,4年CAGR达75%;归母净利润2021年实现扭亏后连续三年保持增长态势,2024年归母净利润达6.9亿。公司在手订单数保持高速增长,2024年在手订单金额约94亿元,同比增长约46%。 半导体薄膜沉积设备:国产替代持续演进,公司产品矩阵持续丰富 薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,是制造的核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备和原子层沉积(ALD)设备。AI浪潮下先进制程需求持续增长,拉动半导体薄膜沉积设备需求高增。根据拓荆科技测算,2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。当前,全球薄膜沉积设备市场基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日厂商垄断:在PVD设备领域,AMAT处于领先地位,份额占比达85%左右;在CVD领域,AMAT、LAM、TELCR3占比合计超80%;在ALD设备领域,TEL和ASM两家合计占比约60%。而我国半导体薄膜沉积设备发展起步较晚,设备自给率不足20%。公司作为国内半导体薄膜沉积设备领军者,持续拓展PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)、HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)及Flowable CVD(流动性化学气相沉积)薄膜设备系列产品,新品产业化进程顺利,有望凭借自身技术优势高速放量。 混合键合设备:先进封装对混合键合技术需求高增,公司前瞻性布局该赛道开启第二成长曲线 混合键合通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球互连,从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装。按工艺区分,混合键合技术可分为晶圆对晶圆(W2W)或芯片对晶圆(D2W)两种。先进封装持续演进,混合键合技术已应用于台积电的SoIC技术、英特尔的Foveros等先进封装技术方案。根据Yole预测,全球混合键合机市场规模有望由2020年的2.7亿美元增至2027年的7.4亿美元,7年复合增长率约16%。 当前,全球混合键合设备市场主要由企业主导,BESI一家占据67%的市场份额。近年来,我国混合键合设备市场逐步崛起,公司前瞻性布局混合键合设备赛道,近年来持续研发投入,强化先进键合设备和配套的量检测设备等系列产品的关键核心技术,不断拓宽公司产品布局,其W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合产品均获得重复订单。随着混合键合设备新品放量,公司第二成长曲线未来成长可期。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现营业收入55.1、74.4、92.8亿元;归母净利润分别为9.9、13.5、19.0亿元,对应EPS为3.55、4.82、6.79元,对应2025年7月1日收盘价PE分别为43.22、31.82、22.58倍。首次覆盖给予买入评级。 风险提示 公司研发不及预期风险,下游需求不及预期风险,市场竞争风险。
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
吕光泉董事长,非独立... 394.1 109.5 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
刘静总经理,法定代... 182.11 12.05 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。
宁建平副总经理 177.9 3.833 点击浏览
宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始就职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。
牛新平副总经理 212.99 3.286 点击浏览
牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。
许龙旭副总经理 114.49 3.943 点击浏览
许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。
赵曦副总经理,董事... 164.9 6.429 点击浏览
赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。
陈新益副总经理 283.82 4.081 点击浏览
陈新益,男,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作。2020年10月至今就职于公司,历任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。
齐雷非独立董事 -- 0 点击浏览
齐雷,男,1979年出生,中国人民解放军信息工程大学计算机科学与技术专业硕士。2004年8月至2009年9月,就职于中国人民解放军战略支援部队某部,担任助理研究员职务;2009年9月至2016年11月,就职于中国国投高新产业投资有限公司,历任投资经理、高级投资经理职务;2016年12月至今,就职于国投创业投资管理有限公司,历任投资总监、执行董事,现任董事总经理职务。2017年9月至2021年1月,任拓荆有限董事,2021年1月至今,任公司董事。
尹志尧(GERALD ZHEYAO YIN)非独立董事 -- 0 点击浏览
尹志尧,男,1944年出生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事;2021年1月至今,任公司董事。
杨卓非独立董事 -- -- 点击浏览
杨卓,男,1986年出生,经济学硕士,高级经济师。2009年起就职于国家开发银行深圳市分行,历任评审处副处长、客户五处处长。2023年3月至今,就职于华芯投资管理有限责任公司,现任业务四部总经理。2023年5月至今,任公司董事。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2025-09-13拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司45000.00董事会预案
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司2500.00实施中
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司375.00实施中
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