当前位置:首页 - 行情中心 - 拓荆科技(688072) - 公司资料

拓荆科技

(688072)

  

流通市值:924.34亿  总市值:924.34亿
流通股本:2.82亿   总股本:2.82亿

拓荆科技(688072)公司资料

公司名称 拓荆科技股份有限公司
网上发行日期 2022年04月08日
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区全运路109-3号(1...
注册资本(万元) 2823449020000
法人代表 刘静
董事会秘书 赵曦
公司简介 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。公司总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。目前公司生产能力可以满足生产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。
所属行业 半导体
所属地域 辽宁
所属板块 基金重仓-融资融券-沪股通-MSCI中国-半导体概念-中芯概念-专精特新-百元股-高带宽内存
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
联系电话 024-24188000-8089
公司网站 www.piotech.cn
电子邮箱 ir@piotech.cn
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
半导体设备行业395839.3196.46233926.1397.76
其他(补充)14494.073.535363.852.24

    拓荆科技最近3个月共有研究报告3篇,其中给予买入评级的为2篇,增持评级为1篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2026-01-27 东海证券 方霁买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点: 国内半导体薄膜沉积设备龙头企业,业绩高速增长印证行业领先地位。作为国内半导体核心设备领域的领先企业,公司已构建起以薄膜沉积设备和先进键合及配套量检测设备为核心的双平台驱动格局。在薄膜沉积主赛道,公司以PECVD设备为基石,横向拓展至ALD、HDPCVD、SACVD等多类关键设备,其产品矩阵已广泛覆盖逻辑、存储芯片制造所需的薄膜材料及工艺应用。同时,公司前瞻性切入面向3D集成与先进封装的晶圆键合领域,其中混合键合设备已实现技术突破并进入客户验证,进一步巩固其平台化技术延伸能力。在半导体国产化加速与晶圆厂持续扩产的行业背景下,公司业绩实现高速增长,2020-2024年营业收入由4.4亿元攀升至41.0亿元,复合年增长率达75%;归母净利润自2021年扭亏为盈后连续三年保持增长,2024年达6.9亿元。截至2024年末,公司在手订单金额约94亿元,同比增长约46%,展现出强劲的市场需求与客户认可,持续印证了其技术稀缺性与产业卡位优势。 公司把握先进制程与三维集成趋势,薄膜沉积业务持续高增长。薄膜沉积作为半导体前道制造的核心环节,其技术演进与芯片制程提升及三维结构创新紧密相关。随着逻辑芯片向更先进制程推进、存储芯片向更高堆叠层数发展,对薄膜沉积设备的数量、工艺精度和复杂度的要求持续提升,市场规模持续扩张。2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元,约占晶圆制造设备市场的22%。按中国大陆半导体设备销售额占全球约42%的比例估算,对应中国大陆市场规模约为102亿美元,但该领域的国产化率不足20%,市场替代空间广阔。公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间(Uptime)超过90%,达到国际同类设备水平。2024年,公司薄膜沉积设备业务实现销售收入约39亿元,同比增长50%,主打产品PECVD产品销售收入创历史新高,彰显了强大的增长动能。此外,公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜沉积设备,能够支撑逻辑芯片和存储芯片制造中所需的全部介质薄膜材料,覆盖约100多种关键工艺应用;其中,ALD设备在集成电路领域的薄膜工艺覆盖率位居国产设备厂商首位。公司在薄膜沉积领域的技术积累、产品全面性和市场领先地位,构成了公司业绩持续增长的坚实基本盘。 公司前瞻布局先进键合及配套量检测设备,开启未来成长新空间。随着半导体技术持续演进,三维集成已成为突破摩尔定律物理极限、实现芯片高密度、高性能与低功耗的关键路径,尤其在AI等应用的驱动下,正迎来高速发展期。据Yole预测,全球先进封装市场规模有望从2023年的43亿美元跃升至2029年的280亿美元,年复合增长率约37%。先进键合设备及配套量检测装备作为实现微米级互联、提升系统性能、突破“通信墙”的核心工艺环节,其市场需求与战略价值日益凸显。公司凭借前瞻性布局,持续投入研发,2024年相关业务实现销售收入0.96亿元,同比增长约49%。在W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合设备领域,公司持续获得重复订单,产品陆续导入先进存储、逻辑及图像传感器等客户。此外,公司新推出的键合套准精度量测设备及键合强度检测设备也已通过客户验证,产业化应用持续扩大。随着混合键合设备逐步放量,公司有望在先进键合平台上进一步打开第二成长曲线,为三维集成领域提供具备竞争力的整体解决方案。 投资建议:首次覆盖,给予“买入”评级。公司专注集成电路制造前道工艺,以薄膜沉积设备为核心,其中PECVD设备为主要产品线,并横向覆盖SACVD、HDPCVD、ALD等高端设备,同时积极拓展三维集成设备领域。随着下游晶圆厂产能扩张及技术制程持续升级,设备需求稳步增长,叠加半导体设备国产替代长期趋势,公司未来发展空间广阔。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为63.82、84.46和105.97亿元,同比增速分别为55.52%32.35%和25.47%;归母净利润分别为10.41、16.27和24.48亿元,同比增速分别为51.32%56.23%和50.48%,对应当前市值的PE分别为97.50、62.41和41.47倍,首次覆盖,给予“买入”评级。 风险提示:产品研发及验证进度不及预期风险;地缘政治风险;下游需求不及预期的风险。
2025-12-17 爱建证券 王凯买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点: 投资建议:首次覆盖,给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润为10.98/17.96/25.22亿元,对应同比增长59.6%/63.6%/40.4%;对应PE为87.5x/53.5x/38.1x。从PEG角度看,公司2025E-2027EPEG为1.3/0.8/0.9,综合考虑其在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁垒及中长期盈利弹性,我们认为公司具备较高的中长期配置性价比。 公司和行业情况:1)公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商,核心产品覆盖PECVD、ALD、FlowableCVD、HDPCVD等多类工艺,已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付;同时,公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备,切入异构集成与三维集成核心环节,业务由单一沉积设备向“沉积+键合”双引擎平台化演进;2)行业:薄膜沉积设备处于半导体前道设备体系的核心位置,市场规模与需求确定性较强。根据MaximizeMarketResearch数据,2025年全球薄膜沉积设备市场规模预计达340亿美元,2020–2025年CAGR为13.3%,高于半导体设备行业整体增速。 关键假设点:1)全球半导体薄膜沉积设备市场2025年预计达到340亿美元。在晶圆厂扩产与国产替代推动下,中国市场预计仍将保持全球最大半导体设备市场;三维集成设备市场预计由2025年的81亿美元增长至2029年的284亿美元,平均年复合增长率CAGR达到37%。2)在国内晶圆厂扩产持续推进及后摩尔时代异构集成加速渗透的背景下,薄膜沉积与混合键合作为前道及先进封装的关键设备环节,需求确定性较强,高端工艺设备价值量与技术壁垒持续提升,其中PECVD约占整体沉积工艺价值量33%、ALD约11%、PVD/LPCVD合计约30%,高端沉积工艺占比逐步提升。 有别于市场的认识:HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地,芯片间互连密度和界面质量要求显著提升,沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升,使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑。 股价表现的催化剂:1)薄膜沉积设备订单持续放量;2)ALD、FlowableCVD等新品验证转入规模交付;3)混合键合设备实现量产导入;4)毛利率修复快于预期;5)晶圆厂扩产节奏上修或资本开支回暖。 风险提示:下游资本开支波动风险、新产品验证及放量不及预期风险、技术迭代与竞争加剧风险、毛利率与费用率波动风险。
2025-11-19 国信证券 胡剑,胡...增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 核心观点 3Q25营收同比增长124.15%,归母净利润同比增长225.07%。公司发布2025年三季报,前三季度实现营收42.20亿元(YoY+85.27%),实现归母净利润5.57亿元(YoY+105.14%)。其中,公司第三季度实现营收22.66亿元(YoY+124.15%,QoQ+81.94%),实现归母净利润4.62亿元(YoY+225.07%,QoQ+91.60%)。公司第三季度收入利润大幅增长,主要得益于公司先进制程的验证机台进入规模化量产阶段。 设备在手订单饱满,现金流大幅改善。三季度公司PECVDStack(ONO叠层)、ACHM、Bianca;ALDSiO2、SiCO等先进设备陆续通过客户验收,量产规模持续扩大。由于新机台毛利率相对较低,集中确收影响短期毛利率,单三季度综合毛利率为34.42%,后续伴随新机台转入大规模量产,毛利率有望逐步改善提升。三季度公司合同负债达48.94亿元,较二季度末的45.36亿元环比增长3.58亿元,在手订单饱满。三季度公司存货为80.69亿元,其中发出商品占比超过一半。此外,公司经营性现金流状况显著改善,前三季度经营活动产生的现金流量净额达28.32亿元,销售回款大幅增长至71.66亿元。 存储涨价周期下全面受益扩产,键合设备赋能先进封装。随着全球存储进入涨价周期,国内外存储晶圆厂有望迎来超预期扩产,而国内长存长鑫的IPO逐渐临近,公司存储订单及收入超2/3与存储相关,未来存储晶圆厂的三期扩产将为公司新签订单提供显著弹性。此外,在先进逻辑、HBM、先进DRAM、3D Nand等先进封装领域中,公司布局W2W、D2W、熔融键合、键合套准精度量测、键合强度检测等8大类产品,有望受益于AI算力驱动的先进封装市场需求爆发。公司9月向拓荆键科增资4.5亿元,增资完成后,拓荆科技对拓荆键科的持股比例达到53.5719%。此外,公司计划定增募资46亿元,其中高端半导体设备产业化基地建设项目15亿元,前沿技术研发中心建设项目20亿元,补充流动资金11亿元。 投资建议:国产半导体薄膜沉积设备龙头,维持“优于大市”评级。公司作为国内半导体薄膜沉积设备龙头之一,薄膜设备新工艺机台有望逐步量产出货,用于三维集成领域的键合设备也在获得客户重复订单。我们预计2025-2027年营业收入62.68/83.72/109.01亿元(25-27年前值53.27/68.59/88.15亿元),归母净利润10.41/16.31/23.60亿元(25-27年前值9.42/13.01/17.81亿元),当前股价对应PE分别为89/57/39倍,维持“优于大市”评级。 风险提示:下游晶圆制造产能扩充不及预期风险,新产品开发不及预期风险,国际关系波动和地缘政治风险等。
2025-11-02 东吴证券 周尔双,...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点 业绩持续高增,多款新品量产放量。2025年前三季度公司营业收入42.20亿元,同比+85.3%;归母净利润5.57亿元,同比+105.1%;扣非净利润4.58亿元,同比+599.7%。公司Q3营业收入22.66亿元,同比+124.2%,环比+81.9%;归母净利润4.62亿元,同比+225.1%,环比+91.6%;扣非归母净利润4.2亿元,同比+822.5%,环比+92.3%。公司业绩呈加速增长态势,主要系基于新型设备平台(PF-300T Plus和PF-300M)和新型反应腔(pX和Supra-D)的PECVDStack(ONO叠层)、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等先进制程设备通过客户验证,量产规模不断扩大。 成本管控叠加规模效应显现,Q3净利率环比提升。2025年前三季度公司毛利率为33.3%,同比-10.3pct;销售净利率为12.7%,同比+1.3pct;期间费用率为24.3%,同比-15.8pct,其中销售费用率为6.2%,同比-5.5pct,管理费用率为4.9%,同比-0.5pct,研发费用率11.5%,同比-9.6pct,财务费用率为1.6%,同比-0.2pct。公司持续维持高研发投入,Q1-Q3研发投入5.4亿元,同比+12.1%,研发费用率则跟随营收规模扩大降低。Q3单季度毛利率为34.4%,同比-4.9pct,环比-4.4pct;销售净利率20.0%,同比+6.4pct,环比+1.2pct,主要系公司持续加强成本管控、收入规模持续扩大,期间费用率继续下降。 合同负债持续高增,现金流持续优化。截至2025Q3末,公司合同负债为48.94亿元,同比+94.8%,主要系公司持续优化客户结构,在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时,成功导入新客户,在手订单增加;存货为80.7亿元,同比+14.0%。2025Q1-Q3公司经营活动净现金流为28.32亿元,同比大幅转正;其中2025Q3经营活动净现金流为12.66亿元,同比大幅转正,环比-18.6%。 加码布局薄膜沉积与先进封装,有望夯实核心设备竞争力。公司通过定增及对子公司增资,持续加码薄膜沉积和先进封装设备布局,夯实技术与产能基础,有望不断强化核心产品优势。(1)薄膜沉积:2025年9月公司公告拟募资不超过46亿元,其中15亿元用于建设高端半导体设备产业化基地、20亿元用于建设前沿技术研发中心,重点聚焦PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备的产业化及技术攻关,推动多款先进设备(含ALD、沟槽填充CVD等)研发迭代并配套开发下一代自动化控制系统。该项目将有效提升产能、产品性能和智能制造水平,进一步满足先进工艺持续演进下的客户需求,夯实公司在薄膜沉积领域的竞争优势。(2)键合:25年9月公司联合国投集新(重要出资人为大基金三期)等对控股子公司拓荆键科增资不超10.395亿元,推进混合键合、熔融键合等三维集成关键设备及配套量测设备的技术迭代与产业化。目前子公司已出货至先进存储、逻辑、图像传感器客户,增资有望助力拓荆键科加速技术突破与市场导入,强化公司在键合领域的竞争壁垒。 盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润分别为10.0/15.5/22.1亿元,当前市值对应动态PE分别为85/55/39倍,考虑到公司在半导体设备领域的龙头地位与稀缺性,及其在薄膜沉积和先进封装领域的前瞻布局有望带来新增量,维持“买入”评级。 风险提示:晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
吕光泉董事长,非独立... 394.1 109.5 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
刘静总经理,法定代... 182.11 9.047 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。
宁建平副总经理 177.9 2.875 点击浏览
宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始就职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。
陈新益副总经理 283.82 3.061 点击浏览
陈新益,男,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作。2020年10月至今就职于公司,历任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。
赵曦副总经理,董事... 164.9 4.829 点击浏览
赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。
许龙旭副总经理 114.49 2.957 点击浏览
许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。
牛新平副总经理 212.99 2.486 点击浏览
牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。
齐雷非独立董事 -- 0 点击浏览
齐雷,男,1979年出生,中国人民解放军信息工程大学计算机科学与技术专业硕士。2004年8月至2009年9月,就职于中国人民解放军战略支援部队某部,担任助理研究员职务;2009年9月至2016年11月,就职于中国国投高新产业投资有限公司,历任投资经理、高级投资经理职务;2016年12月至今,就职于国投创业投资管理有限公司,历任投资总监、执行董事,现任董事总经理职务。2017年9月至2021年1月,任拓荆有限董事,2021年1月至今,任公司董事。
尹志尧(GERALD ZHEYAO YIN)非独立董事 -- 0 点击浏览
尹志尧,男,1944年出生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事;2021年1月至今,任公司董事。
张憬怡非独立董事 -- -- 点击浏览
张憬怡女士:1984年出生,中国国籍,无永久境外居留权,毕业于伦敦政治经济学院,风险与随机过程专业,硕士研究生学位。2008年11月至2010年3月,任瑞信方正证券有限责任公司投资银行企业融资部分析师,2010年4月至2011年2月,任中德证券有限责任公司投资银行大项目发起部分析师,2011年3月至2012年1月,任瑞士信贷集团(香港)投资银行企业融资部分析师,2012年2月至2016年4月,任中央汇金投资有限责任公司证券机构管理部一级经理,2016年4月至2017年12月,任安邦保险海外投资部副总裁,2017年12月至今,国投创业投资管理有限公司先进制造投资部投资总监。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2025-12-06宁波芯丰精密科技有限公司50516.79董事会预案
2025-12-23宁波芯丰精密科技有限公司50516.79股东大会通过
2025-09-13拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司45000.00董事会预案
TOP↑