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拓荆科技

(688072)

  

流通市值:175.70亿  总市值:321.16亿
流通股本:1.03亿   总股本:1.88亿

拓荆科技(688072)公司资料

公司名称 拓荆科技股份有限公司
上市日期 2022年04月08日
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
注册资本(万元) 1881882550000
法人代表 刘静
董事会秘书 赵曦
公司简介 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司在北京、上海、海宁、沈阳、美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设...
所属行业 半导体
所属地域 辽宁
所属板块 基金重仓-预盈预增-融资融券-中证500-上证380-沪股通-MSCI中国-半导体概念-中芯概念-百元股
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
联系电话 024-24188000,024-24188000-8089
公司网站 www.piotech.cn
电子邮箱 ir@piotech.cn
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
半导体设备168528.9198.8185598.4898.93
其他(补充)2027.361.19926.331.07

    拓荆科技最近3个月共有研究报告5篇,其中给予买入评级的为2篇,增持评级为3篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2024-03-05 国信证券 胡剑,胡...买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 核心观点 2023年规模化效应逐步显现,业绩呈现高增长。公司发布业绩快报:2023年实现营收27.05亿元(YoY+58.6%),主因公司持续高强度的研发投入,突破核心技术,在推进产业化和迭代升级各产品系列的过程中取得了重要成果,产品竞争力持续增强;归母净利润6.65亿元(YoY+80.4%),扣非归母净利润3.13亿元(YoY76.0%),主因经营规模快速增长,规模效应逐步显现。 新工艺和设备开发成效显著,在手订单超64亿元。根据此前业绩预告,公司在新工艺应用及新产品开发方面取得显著成效,PECVD设备、ALD设备、SACVD设备持续拓展工艺,量产规模不断扩大,销售收入大幅度提升;HDPCVD设备、混合键合设备表现出色,顺利通过客户端产业化验证,实现了产业化应用。公司在新客户拓展方面卓有成效,客户群体覆盖度进一步扩大,销售订单持续增长,2023年年末在手销售订单金额超过64亿元(不含Demo订单),为后续业绩的增长提供保障。 乘国内芯片制造扩产东风,公司业绩有望维持快速增长。SEMI预计2024年中国(不含中国台湾)开始运营18个新项目,月产能将增长100万片至860万片(YoY+13%);随着新的晶圆厂项目、产能扩张和技术迁移,SEMI预计2025年全球晶圆厂设备投资将提升至1100亿美元(2023年906亿美元,2024年933亿美元),中国(不含台湾)、中国台湾和韩国设备支出名列前三。公司作为国内薄膜沉积设备龙头公司,已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列,广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线,此外,推出混合键合设备,业绩有望维持快速增长。 投资建议:国产半导体薄膜沉积设备龙头,维持“买入”评级。 根据业绩快报,我们下调2023年营收至27.05亿元(前值28.97亿元),上调归母净利润至6.65亿元(前值5.70亿元);我们预计2024-2025年营收41.25、53.44亿元(前值42.3、54.4亿元),归母净利润8.64、11.94亿元(前值8.2、11.0亿元),当前股价对应2024-2025年45.7、33.1倍PE,维持“买入”评级。 风险提示:下游晶圆制造产能扩充不及预期风险,新产品开发不及预期的风险,国际关系波动风险等。
2024-02-27 群益证券 朱吉翔增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 结论与建议: 公司作为国内薄膜沉积设备龙头企业,在PECVD设备领域领先其他竞争对手,是中国半导体产业链国产替代版图中重要的拼图。我们预计,为应对美国对中国半导体产业的持续封锁,中国扶持半导体产业,特别是半导体设备以及先进制程发展的力度将大幅提升。公司作为细分行业龙头,将持续受益于国产替代带来的业绩与估值的提升。预计公司2024、2025年净利润8.2亿元和11.8亿元,同比增长23%和44%,EPS分别为4.32元和6.24元,目前股价对应2024、25年PE44倍和30倍,考虑到薄膜刻蚀设备巨大的国产替代空间,公司股价较高点有明显修正,目前估值未完全反应业绩成长性,给予买进评级。 规模效应提升,4Q23业绩继续高速增长:得益于国产替代的推进,2023年公司实现营收27亿元,YOY增59%,实现净利润6.6亿元,YOY增长80%,扣非后净利润3.1亿元,YOY增长76%。相应的,第4季度单季公司实现营收10亿元,YOY增长40%,QOQ增长43%,实现净利润3.9亿元,YOY增长200%,扣非后净利润1.4亿元,YOY增长107%,QOQ增长25%。单季度公司业绩创历史新高,公司全年业绩处于业绩预告范围的中值。 回购彰显公司长期增长信心:公司董事长提议,拟以不低于1.2亿元、不超过1.97亿元回购公司股份,大约占目前总市值的0.6%~1%。长期来看,公司回购股份有利于增强投资者信心,促进公司稳健、高质量发展,影响偏正面。 盈利预测:从在手订单来看,2023年年末在手销售订单金额超过64亿元,相当于2023年营收的2.4倍业绩确定性高。预计公司2024、2025年净利润8.2亿元和11.8亿元,同比增长23%和44%,EPS分别为4.32元和6.24元,目前股价对应2024、25年PE44倍和30倍,考虑到薄膜刻蚀设备巨大的国产替代空间,公司目前估值尚未完全反应业绩成长性,给予买进评级。 风险提示:中美科技争端影响半导体设备短期需求
2024-02-03 山西证券 高宇洋,...增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点: 薄膜沉积赛道领军者,订单饱满业绩亮眼。公司聚焦薄膜沉积设备研发生产,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列,广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线,性能参数已达到国际同类设备水平。受益下游扩产和国产替代,公司订单饱满收入逐年提升,盈利水平拾级而上。预计2023年末在手销售订单金额超过64亿元(不含Demo订单),较上年同期增加39.07%。 薄膜沉积是半导体制造核心设备,技术壁垒高国产替代空间广阔。薄膜性能直接影响电路图形转移质量和芯片芯能,设备设计制造壁垒较高。2022 年薄膜沉积设备在全球半导体设备市场中占比为22%,市场规模约为230亿美元,主要由海外厂商垄断。薄膜沉积设备国产化进程较慢,替代空间广阔。若国产化率提升至50%,对应全球千亿级设备市场规模,国内厂商未来市场空间可达30亿美元以上。 技术实力确立领先优势,产能扩充与布局拓展护航长期增长。公司设备型号丰富,广泛覆盖不同薄膜材料工艺需求,产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线,及2.5D、3D先进封装和其他泛半导体领域。公司核心产品PECVD设备2022年收入占比超90%,已实现通用介质薄膜材料、先进介质薄膜材料等领域的产业化应用。公司募投扩产与研发项目,积极把握国产替代下市场扩容;布局混合键合领域,抢抓先进封装加速机遇。目前,公司晶圆对晶圆键合产品(Dione300)已实现量产,并获得复购订单;芯片对晶圆键合表面预处理产品(Pollux)已出货至客户端验证,利好长期业绩增长。公司坚持高 研发投入和创新驱动,研发费率高于可比公司水平。公司股权激励计划覆盖广泛,有助绑定员工利益,考核目标设定彰显对业绩长期向好的充分信心。盈利预测、估值分析和投资建议:预计2023-2025年公司归母净利润分别为6.09/8.36/10.96亿元,同比增长65.4%/37.3%/31.1%,EPS为3.24/4.44/5.83元,对应2024年2月2日收盘价159.66元,PE为49.3/35.9/27.4倍。首次覆盖给予“增持-A”评级。 风险提示:下游恢复不及预期,市场竞争加剧,扩产及研发进展不及预期。
2024-01-24 中邮证券 吴文吉买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 事件 1月23日,公司公告2023年年度业绩预增公告,预计23年实现营业收入26-28亿元,同比增长52.44%-64.17%;归母净利润6.0-7.2亿元,同比增长62.84%-95.40%(调整后);扣非归母净利润2.8-3.3亿元,同比增长57.25%-85.33%(调整后)。 投资要点 业绩稳健增长,规模效应逐步显现。公司预计23年实现营业收入26-28亿元,同比增长52.44%-64.17%,主要受益于公司持续高强度的研发投入,突破核心技术,在推进产业化和迭代升级各产品系列的过程中取得了重要成果。公司持续加大研发投入,产业化应用领域不断扩大,经营规模快速增长,规模效应逐步显现,预计23年实现归母净利润6.0-7.2亿元,同比增长62.84%-95.40%(调整后);扣非归母净利润2.8-3.3亿元,同比增长57.25%-85.33%(调整后)。 在手订单充足,新工艺应用、新产品开发成效显著。公司在新客户拓展方面卓有成效,客户群体覆盖度进一步扩大,销售订单持续增长,2023年年末在手销售订单金额超过64亿元(不含Demo订单),较2022年末在手销售订单金额46.02亿元(不含Demo订单)同比增长约39%,为后续业绩的增长提供保障。 1)公司的PECVD、ALD、SACVD设备持续拓展工艺,量产规模不断扩大,销售收入大幅度提升。截至23H1报告期末:PECVD通用介质薄膜材料(包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等)和先进介质薄膜材料(包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、HTN、a-Si等)均已实现产业化应用;PE-ALD(PF-300TAstra)设备在客户端验证进展顺利,获得了原有客户及新客户订单,并出货至不同客户进行产业化验证;PE-ALD(NF-300HAstra)设备实现首台产业化应用,取得了突破性进展;Thermal-ALD(PF-300TAltair、TS-300Altair)持续获得原有客户及新客户订单,并出货至不同客户端进行产业化验证,验证进展顺利;可实现SATEOS、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备均通过客户验证,在国内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。 2)公司的HDPCVD、混合键合设备表现出色,顺利通过客户端产业化验证,实现了产业化应用。23H1报告期内:HDPCVD设备已实现首台产业化应用,并持续获得客户订单,出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证,可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质材料薄膜;晶圆对晶圆键合产品Dione300实现首台产业化应用,并获得了重复订单,取得了突破性进展;芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux已出货至客户端进行产业化验证,验证进展顺利。 投资建议 我们预计公司2023/2024/2025年分别实现收入27/43/55亿元,分别实现归母净利润6.7/9.3/12.6亿元,当前股价对应2023-2025年PE分别为48倍、35倍、26倍,维持“买入”评级。 风险提示 宏观环境风险;行业风险;核心竞争力风险;晶圆厂扩产不及预期的风险;供应链安全风险;市场竞争风险;政府补助政策变动风险;税收优惠风险。
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
吕光泉董事长,董事 463.19 74 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
刘静总经理,法定代... 220.36 -- 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具备中国注册会计师资格,具有高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司总经理。
孙丽杰副总经理 129.83 -- 点击浏览
孙丽杰,女,1968年出生,北京航空航天大学学士,东北大学工商管理硕士(EMBA),高级经济师。1992年12月至2009年9月,先后任职于辽宁经济技术交流馆、辽宁展览贸易集团有限公司、沈阳芯源微电子设备有限公司,历任总经理助理、行政总监等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司副总经理。
宁建平副总经理 129.34 -- 点击浏览
宁建平,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始任职于拓荆科技及子公司拓荆键科,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。
陈新益副总经理 -- -- 点击浏览
陈新益,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作,2020年10月加入拓荆科技,任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。
齐雷董事 0 -- 点击浏览
齐雷,男,1979年出生,中国人民解放军信息工程大学硕士。2004年8月至2009年9月,就职于中国人民解放军战略支援部队某部,担任助理研究员职务;2009年10月至2016年11月,就职于中国国投高新产业投资有限公司,历任投资经理、高级投资经理职务;2016年12月至今,就职于国投创业投资管理有限公司,担任投资总监、执行董事、董事总经理职务。2017年9月至今,任公司董事。
GERALD ZHEYAO YIN(尹志尧)董事 0 -- 点击浏览
尹志尧,男,1944年生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事;2021年1月至今,任公司董事。
姜谦董事 76.83 182.7 点击浏览
姜谦,男,1952年出生,美国布兰迪斯大学博士。1982年1月至2010年3月,先后任职于麻省理工学院、英特尔公司、美国诺发、欣欣科技(沈阳)有限公司,历任研究员、研发副总裁、执行董事等职。2010年4月至今就职于公司,曾任总经理、董事长,现任公司董事。
杨柳董事 -- -- 点击浏览
杨柳,男,1979年出生,清华大学材料学硕士及MBA。2004年4月至2009年12月,就职于应用材料公司,任技术工程师;2009年12月至2010年5月就职于大族激光,任工艺总监;2010年10月2014年3月,就职于中广核太阳能开发有限公司,历任产业投资项目经理兼科技委办公室主任、投资管理高级经理;2014年3月至2021年3月就职于国开金融,历任高级经理、总经理助理、资深副经理;2021年4月至今,就职于华芯投资,任资深经理。2021年12月至今,任公司董事。
杨卓董事 -- -- 点击浏览
杨卓先生:1986年出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士学历,高级经济师。2009年加入国家开发银行深圳市分行,历任评审处副处长、客户五处处长。2023年加入华芯投资管理有限责任公司,任投资三部总经理。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2023-06-01上海芯密科技有限公司3000.00实施中
2023-04-28拓荆科技股份有限公司122848.00实施中
2023-04-18拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司50000.00实施完成
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