拓荆科技(688072) 投资要点 技术突破与规模化量产，核心竞争力显著提升 依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。公司2025年实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%，实现归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%。2026年一季度实现营业收入11.12亿元，同比增长56.97%，实现归母净利润5.71亿元，同比增长488.29%。。 行业发展驱动芯片革新，高端薄膜沉积设备迎来升级窗口 新技术、新行业的爆发式发展持续驱动芯片革新，全环绕栅极（GAA）、背面供电、高K（High-K）金属栅、高带宽存储器（HBM）等应运而生。先进制程和三维集成结构下，传统薄膜沉积材料已难以满足下游生产中对高深宽比、高刻蚀选择比的需求，先进硬掩膜和介质薄膜将成为前沿技术节点芯片制造的新趋势。同时，等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖性、宽温域调节、减少薄膜残留等下游先进芯片制造中的核心工艺难题对薄膜沉积设备的技术创新水平提出了更高要求，高端薄膜沉积设备迎来技术升级窗口。 混合键合赋能三维集成，多领域需求共振 3D NAND通过晶圆混合键合技术解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；HBM引入混合键合技术以支持更高的堆叠层数和互连密度；3DDRAM依托三维集成技术突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗；CIS的混合键合可以将DRAM缓存层键合进来，实现CIS芯片内的高速数据缓冲。在3D封装、Chiplet、异质集成等领域，混合键合技术实现了不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，混合键合设备已形成多领域需求共振的格局。 盈利预测 预测公司2026-2028年收入分别为85.10、108.98、150.10亿元，EPS分别为5.55、8.56、10.20元，当前股价对应PE分别为113、73、62倍，公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，维持“买入”投资评级。 风险提示 宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

拓荆科技(688072) 报告要点： 公司25年营收65.19亿元（YoY+58.87%），归母净利9.27亿元（YoY+34.67%），毛利率和净利率分别为34.95%和14.03%。26Q1，公司营收11.12亿元（YoY+56.97%，QoQ-51.61%），归母净利5.71亿元（YoY+488.29%，QoQ+54.13%），毛利率和扣非净利率分别为41.69%和9.18%。25Q4到26Q1，公司毛利率呈现逐步改善趋势。 公司PECVD设备销售保持快速增长态势。2025年PECVD设备实现营收51.42亿元，同比增加75.27%，公司应用于先进存储、先进逻辑领域的新设备平台批量通过客户验证，进入规模化量产并实现收入转化。展望2026年，随着国内存储和逻辑晶圆厂扩产、先进制程推进和国产替代仍将支撑PECVD设备需求，我们预计2026年PECVD仍将是公司收入增长的主要驱动力，收入有望接近67亿元，同比增加约30%。 ALD有望成为公司2026年增速弹性较高的方向。公司2025年ALD设备收入约3.01亿元，同比增加191.82%，PE-ALD SiO/SiN/SiCO等产品量产规模提升，Thermal-ALD TiN通过客户验证。我们预计随着先进存储、先进逻辑对高深宽比结构、精确膜厚控制需求提升，公司在客户导入验证范围持续扩大及先进工艺导入进一步推进，2026年公司ALD设备收入有望超过6亿元，实现翻倍增长，ALD收入比重有望持续提升。 订单方面，公司后续收入具备较强可见度。截至2025年末，公司合同负债达48.52亿元，较2024年末增长62.66%；在手订单金额约110亿元，为后续收入增长奠定基础。总体来看，公司2026年成长主线仍在于PECVD稳健放量、ALD加速导入及订单持续转化。 我们预测公司26-27年营收86.39/111.56亿元，归属母公司净利润为16.88/22.72亿元，对应PE分别为71/53倍，维持“买入”评级。 财务数据和估值 2025A2026E2027E 注：市场预期为iFind一致预期，股价为2026年4月29日收盘价 风险提示 上行风险：下游晶圆厂扩产超预期；国产替代进程加速；产品加速导入客户下行风险：下游扩产节奏不及预期；客户验收不及预期；其他系统性风险

拓荆科技(688072) 投资要点 业绩高增，充分受益于存储：2025年公司实现营收65.19亿元，同比+58.9%，其中PECVD系列设备实现销售收入约51.42亿元，同比增长75.27%，ALD设备实现销售收入约3.01亿元，同比大幅增长191.8%，混合键合设备实现营业收入1.36亿元，同比增长41.9%；实现归母净利润9.27亿元，同比+34.7%；扣非净利润为7.23亿元，同比+103.1%。Q4单季营收为22.99亿元，同比+25.9%，环比+1.5%；归母净利润为3.70亿元，同比-11.2%，环比-19.9%。2026Q1公司实现营收11.12亿元，同比+57.0%，环比-51.6%，同比大幅增长主要系公司应用于先进制程领域的设备批量获得客户验证通过，量产规模进一步扩大；实现归母净利润5.71亿元，同比扭亏为盈，环比+54.1%，主要系收入规模扩大、毛利率显著提升以及公司对外投资的公允价值变动损益提升。2025年至2026Q1，公司收入持续增长。 Q1盈利能力同环比大幅提升，维持高研发投入：2025年公司毛利率为34.95%，同比-6.7pct；销售净利率为14.03%，同比-2.72pct；期间费用率为24.17%，同比-8.0pct，其中销售费用率为6.24%，同比-0.8pct，管理费用率为4.81%，同比-0.3pct，研发费用率为11.80%，同比-6.6pct，财务费用率为1.31%，同比-0.3pct；研发投入为8.59亿元，同比+13.7%。2026Q1公司毛利率为41.69%，同比+21.80pct，环比+3.7pct；销售净利率为50.54%，同比+72.0pct，环比+34.0pct。 在手订单充足，合同负债持续增长：截至2025年末，公司存货为78.26亿元，同比+8.5%；合同负债为48.52亿元，同比+62.7%；公司在手订单金额约为110亿元，为公司后续收入持续增长奠定了坚实的基础。2025年经营活动净现金流为36.33亿元，同比大幅转正。截至2026Q1末，公司存货为82.14亿元，相比2025年末+5.0%；公司合同负债为48.77亿元，相比2025年末+1.0%。2026Q1公司经营活动净现金流为-5.20亿元，同环比转负，主要系销售回款阶段性降低叠加业务规模扩大，采购支出、员工薪酬支出同比增加。 PECVD领域持续扩张，平台化产品陆续放量：（1）PECVD：已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料和先进介质薄膜材料均已实现产业化应用。基于新平台（PF-300T Plus和PF-300M）及新型反应腔（pX和Supra-D）等研发的ONO叠层、ACHM、Bianca等产品已实现产业化放量，Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证，持续获得客户复购订单。（2）ALD：是国产ALD工艺覆盖度第一的厂商，SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量；Thermal-ALD持续拓展新工艺并陆续获得订单、出货，首台TiN工艺产品已通过客户验证；截至2025年末，ALD设备累计出货超过140个反应腔。（3）CVD：SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模，首台SACVD等离子体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。（4）先进封装设备：晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备获得重复订单并实现量产，同时拓展至不同客户并通过验证；新一代高速高精度W2W混合键合产品已发货至客户端验证，产能、键合精度等关键指标大幅提升；首台W2W熔融键合设备通过客户验证。 盈利预测与投资评级：考虑到下游扩产高景气、公司新产品放量，我们上调公司2026/2027年归母净利润为17/25（原值15/22)亿元，预计公司2028年归母净利润为30亿元，当前市值对应2026-2028年动态PE分别为69/47/40X，维持“买入”评级 风险提示：晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等

拓荆科技(688072) 投资要点： 国内半导体薄膜沉积设备龙头企业，业绩高速增长印证行业领先地位。作为国内半导体核心设备领域的领先企业，公司已构建起以薄膜沉积设备和先进键合及配套量检测设备为核心的双平台驱动格局。在薄膜沉积主赛道，公司以PECVD设备为基石，横向拓展至ALD、HDPCVD、SACVD等多类关键设备，其产品矩阵已广泛覆盖逻辑、存储芯片制造所需的薄膜材料及工艺应用。同时，公司前瞻性切入面向3D集成与先进封装的晶圆键合领域，其中混合键合设备已实现技术突破并进入客户验证，进一步巩固其平台化技术延伸能力。在半导体国产化加速与晶圆厂持续扩产的行业背景下，公司业绩实现高速增长，2020-2024年营业收入由4.4亿元攀升至41.0亿元，复合年增长率达75%；归母净利润自2021年扭亏为盈后连续三年保持增长，2024年达6.9亿元。截至2024年末，公司在手订单金额约94亿元，同比增长约46%，展现出强劲的市场需求与客户认可，持续印证了其技术稀缺性与产业卡位优势。 公司把握先进制程与三维集成趋势，薄膜沉积业务持续高增长。薄膜沉积作为半导体前道制造的核心环节，其技术演进与芯片制程提升及三维结构创新紧密相关。随着逻辑芯片向更先进制程推进、存储芯片向更高堆叠层数发展，对薄膜沉积设备的数量、工艺精度和复杂度的要求持续提升，市场规模持续扩张。2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元，约占晶圆制造设备市场的22%。按中国大陆半导体设备销售额占全球约42%的比例估算，对应中国大陆市场规模约为102亿美元，但该领域的国产化率不足20%，市场替代空间广阔。公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%，达到国际同类设备水平。2024年，公司薄膜沉积设备业务实现销售收入约39亿元，同比增长50%，主打产品PECVD产品销售收入创历史新高，彰显了强大的增长动能。此外，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜沉积设备，能够支撑逻辑芯片和存储芯片制造中所需的全部介质薄膜材料，覆盖约100多种关键工艺应用；其中，ALD设备在集成电路领域的薄膜工艺覆盖率位居国产设备厂商首位。公司在薄膜沉积领域的技术积累、产品全面性和市场领先地位，构成了公司业绩持续增长的坚实基本盘。 公司前瞻布局先进键合及配套量检测设备，开启未来成长新空间。随着半导体技术持续演进，三维集成已成为突破摩尔定律物理极限、实现芯片高密度、高性能与低功耗的关键路径，尤其在AI等应用的驱动下，正迎来高速发展期。据Yole预测，全球先进封装市场规模有望从2023年的43亿美元跃升至2029年的280亿美元，年复合增长率约37%。先进键合设备及配套量检测装备作为实现微米级互联、提升系统性能、突破“通信墙”的核心工艺环节，其市场需求与战略价值日益凸显。公司凭借前瞻性布局，持续投入研发，2024年相关业务实现销售收入0.96亿元，同比增长约49%。在W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合设备领域，公司持续获得重复订单，产品陆续导入先进存储、逻辑及图像传感器等客户。此外，公司新推出的键合套准精度量测设备及键合强度检测设备也已通过客户验证，产业化应用持续扩大。随着混合键合设备逐步放量，公司有望在先进键合平台上进一步打开第二成长曲线，为三维集成领域提供具备竞争力的整体解决方案。 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。公司专注集成电路制造前道工艺，以薄膜沉积设备为核心，其中PECVD设备为主要产品线，并横向覆盖SACVD、HDPCVD、ALD等高端设备，同时积极拓展三维集成设备领域。随着下游晶圆厂产能扩张及技术制程持续升级，设备需求稳步增长，叠加半导体设备国产替代长期趋势，公司未来发展空间广阔。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为63.82、84.46和105.97亿元，同比增速分别为55.52%32.35%和25.47%；归母净利润分别为10.41、16.27和24.48亿元，同比增速分别为51.32%56.23%和50.48%，对应当前市值的PE分别为97.50、62.41和41.47倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。

吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。

刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。

宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始就职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。

陈新益,男,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作。2020年10月至今就职于公司,历任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。

赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,清华大学五道口金融学院EMBA在读,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。

许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。

牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。

尹志尧,男,1944年出生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事;2021年1月至今,任公司董事。

张昊玳,女,1988年出生,硕士研究生学历。现任华芯投资管理有限责任公司业务三部资深副经理,历任中航国际航空发展有限公司转包财务处主管,华芯投资管理有限责任公司投资三部项目经理、高级经理,现任业务三部资深副经理。2025年9月至今,任公司董事。

袁训,男,1972年出生,毕业于北京大学,硕士研究生学历。曾在北京华虹NEC集成电路设计有限公司、意法爱立信半导体(北京)有限公司、微软移动(中国)投资有限公司工作,2015年加入华芯投资管理有限责任公司,历任投资二部高级经理,战略发展部副总经理、总经理,投资四部总经理,投资四部兼投资三部总经理,现任业务三部总经理。2025年9月至今,任公司董事。