拓荆科技(688072) 事件描述 公司发布2026年半年报。2026H1实现营业收入29.13亿元，同比+49.06%；扣非归母净利润3.67亿元，同比+861.92%。Q2单季收入18.00亿元，同比+44.56%，环比+61.85%，扣非归母净利润2.65亿元，同比+21.42%，环比+159.7%。 事件点评 公司是国内领先的薄膜沉积和三维集成设备供应商。目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯 片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。 先进产品放量收入高增，订单能见度高。报告期内，公司收入同比+49.06%，主要系先进产品批量通过客户验证，业务规模快速增长。26H1末合同负债51.31亿元，创历史新高，在手订单能见度充足；期末发出商品45.12亿元，较2025年末增长了2.18%，设备验收节奏加快。公司实现归母净利润13.43亿元，大幅跳增+1324.10%，主因持有恒运昌、珂玛科技、先锋精科等公司股票产生约9.60亿元公允价值变动收益，不具有可持续性。 规模效应与费用控制驱动盈利水平大幅改善。报告期内，公司毛利率为41%，同比+9.04pct，规模效应叠加先进新品量产是盈利能力改善核心驱动。扣非后销售净利率12.61%，同比+10.66pct；销售期间费用率27.45%，同比-4.42pct，规模效应持续释放利润空间。管理费用中股权激励费用1.22亿元（同比+359%），推高管理费用率至8.6%（同比+3.3pct），剔除后控费效果更为显著。 产品覆盖面持续拓展，先进产品获得海外重复订单。报告期内，公司已出货不同工艺PECVD设备产品至海外客户端；基于反应腔pX和Supra-D研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款先进工艺设备以及PECVDBianca工艺设备持续扩大量产规模，且基于pX反应腔开发的α-Si工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户量产规模快速攀升；Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端；SACVDPESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证。同时，在应用于三维集成设备方面，公司持续拓展新产品，包括芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等产品。 投资建议 考虑公司订单能见度高，产品覆盖面不断拓展且验证节奏加快，规模效应驱动盈利能力持续改善，预计公司2026-2028年EPS分别为7.66/9.14/13.22元，对应公司8月31日收盘价677.86元，2026-2028年PE分别为88.5/74.1/51.3倍，给予“买入-B”评级。 风险提示 市场竞争加剧。薄膜沉积与三维集成赛道技术壁垒高，但仍面临国际巨头先发优势及国内潜在进入者分流。若竞品加速导入或价格竞争升温，公司 份额、机台平均单价与毛利率改善节奏可能承压。

拓荆科技(688072) 投资要点 事件概述： 根据公司发布2026半年度业绩报告， 2026上半年公司营业总收入为29.13亿元（ yoy+49.06%），归母净利润为13.43亿元（ yoy+1324.10%），销售毛利率为41.00%（ yoy+9.05pct）。公司2026Q2营业总收入为18.00亿元（ yoy+44.56%， qoq+61.85%），归 母 净 利 润 为 7.72 亿 元 （ yoy+220.08% ， qoq+35.32% ）， 销 售 毛 利 率 为 40.58%（ yoy+1.76pct， qoq-1.11pct）。 先进制程放量驱动业绩加速释放。 公司在先进制程领域取得关键突破，多款高端设备在客户端批量通过验证并进入规模化量产，带动营收实现同比增长。与此同时，生产规模效应逐步释放，叠加新工艺设备量产应用有效摊薄单位成本， 2026年上半年营业成本增幅（ 29.24%）显著低于营收增速（ 49.06%），毛利率同比提升约9个百分点至41%，产品盈利能力显著增强。 公司依托自主核心技术， 构建了较为完善的“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。 薄膜沉积领域，公司以PECVD、 ALD、 SACVD、 HDPCVD、 Flowable CVD为核心，实现了全系列布局。其中PECVD已覆盖全部薄膜材料，广泛应用于逻辑和存储芯片； ALD设备在国内装机量与工艺覆盖度上均领先； HDPCVD、 SACVD、 Flowable CVD可满足不同深宽比结构的填充需求，已在多条产线产业化应用。 同时， 公司已累计出货超3800个反应腔，进入约100条生产线；累计流片量约6亿片，机台平均运行时间超90%，达到国际同类设备水平。三维集成领域，公司推出的混合键合与熔融键合设备已陆续推向市场，部分通过客户验证并进入稳步放量阶段，成功应用于先进存储/逻辑、先进封装、图像传感器等场景。随着后摩尔时代芯片技术路径从平面微缩转向三维堆叠，键合设备受益于3D NAND、 HBM、Chiplet等多领域需求共振，有望成为公司中长期重要增长极。 投资建议： 公司构建了较为完善的薄膜沉积与三维集成设备产品矩阵， 同时下游需求旺盛叠加国产替代加速，为业绩增长提供有力支撑。 我们预计公司2026-2028年营业收入分别为99.61、 133.48、 170.80亿元（ 2026、 2027年原预测值分别是84.46、 105.97亿元），同比增速分别为52.79%、 34.00%、 27.96%；预计公司2026-2028年归母净利润分别为20.39、29.78、 39.29亿元（ 2026、 2027年原预测值分别是16.27、 24.48亿元），同比增长分别为120.01%、 46.05%、 31.96%。当前市值对应2026、 2027、 2028年的PE分别为96、 66、50倍，维持“买入”评级。 风险提示： 1） 下游扩产不及预期风险； 2） 产品验证周期不及预期风险； 3） 行业竞争加剧风险。

拓荆科技(688072) 投资要点 技术突破与规模化量产，核心竞争力显著提升 依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。公司2025年实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%，实现归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%。2026年一季度实现营业收入11.12亿元，同比增长56.97%，实现归母净利润5.71亿元，同比增长488.29%。。 行业发展驱动芯片革新，高端薄膜沉积设备迎来升级窗口 新技术、新行业的爆发式发展持续驱动芯片革新，全环绕栅极（GAA）、背面供电、高K（High-K）金属栅、高带宽存储器（HBM）等应运而生。先进制程和三维集成结构下，传统薄膜沉积材料已难以满足下游生产中对高深宽比、高刻蚀选择比的需求，先进硬掩膜和介质薄膜将成为前沿技术节点芯片制造的新趋势。同时，等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖性、宽温域调节、减少薄膜残留等下游先进芯片制造中的核心工艺难题对薄膜沉积设备的技术创新水平提出了更高要求，高端薄膜沉积设备迎来技术升级窗口。 混合键合赋能三维集成，多领域需求共振 3D NAND通过晶圆混合键合技术解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；HBM引入混合键合技术以支持更高的堆叠层数和互连密度；3DDRAM依托三维集成技术突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗；CIS的混合键合可以将DRAM缓存层键合进来，实现CIS芯片内的高速数据缓冲。在3D封装、Chiplet、异质集成等领域，混合键合技术实现了不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，混合键合设备已形成多领域需求共振的格局。 盈利预测 预测公司2026-2028年收入分别为85.10、108.98、150.10亿元，EPS分别为5.55、8.56、10.20元，当前股价对应PE分别为113、73、62倍，公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，维持“买入”投资评级。 风险提示 宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

拓荆科技(688072) 报告要点： 公司25年营收65.19亿元（YoY+58.87%），归母净利9.27亿元（YoY+34.67%），毛利率和净利率分别为34.95%和14.03%。26Q1，公司营收11.12亿元（YoY+56.97%，QoQ-51.61%），归母净利5.71亿元（YoY+488.29%，QoQ+54.13%），毛利率和扣非净利率分别为41.69%和9.18%。25Q4到26Q1，公司毛利率呈现逐步改善趋势。 公司PECVD设备销售保持快速增长态势。2025年PECVD设备实现营收51.42亿元，同比增加75.27%，公司应用于先进存储、先进逻辑领域的新设备平台批量通过客户验证，进入规模化量产并实现收入转化。展望2026年，随着国内存储和逻辑晶圆厂扩产、先进制程推进和国产替代仍将支撑PECVD设备需求，我们预计2026年PECVD仍将是公司收入增长的主要驱动力，收入有望接近67亿元，同比增加约30%。 ALD有望成为公司2026年增速弹性较高的方向。公司2025年ALD设备收入约3.01亿元，同比增加191.82%，PE-ALD SiO/SiN/SiCO等产品量产规模提升，Thermal-ALD TiN通过客户验证。我们预计随着先进存储、先进逻辑对高深宽比结构、精确膜厚控制需求提升，公司在客户导入验证范围持续扩大及先进工艺导入进一步推进，2026年公司ALD设备收入有望超过6亿元，实现翻倍增长，ALD收入比重有望持续提升。 订单方面，公司后续收入具备较强可见度。截至2025年末，公司合同负债达48.52亿元，较2024年末增长62.66%；在手订单金额约110亿元，为后续收入增长奠定基础。总体来看，公司2026年成长主线仍在于PECVD稳健放量、ALD加速导入及订单持续转化。 我们预测公司26-27年营收86.39/111.56亿元，归属母公司净利润为16.88/22.72亿元，对应PE分别为71/53倍，维持“买入”评级。 财务数据和估值 2025A2026E2027E 注：市场预期为iFind一致预期，股价为2026年4月29日收盘价 风险提示 上行风险：下游晶圆厂扩产超预期；国产替代进程加速；产品加速导入客户下行风险：下游扩产节奏不及预期；客户验收不及预期；其他系统性风险

吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。

刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。

宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始就职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。

陈新益,男,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作。2020年10月至今就职于公司,历任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。

赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,清华大学五道口金融学院EMBA在读,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。

许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。

牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。

尹志尧,男,1944年出生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师;1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理;1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官;2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事;2021年1月至今,任公司董事。

张昊玳,女,1988年出生,硕士研究生学历。现任华芯投资管理有限责任公司业务三部资深副经理,历任中航国际航空发展有限公司转包财务处主管,华芯投资管理有限责任公司投资三部项目经理、高级经理,现任业务三部资深副经理。2025年9月至今,任公司董事。

袁训,男,1972年出生,毕业于北京大学,硕士研究生学历。曾在北京华虹NEC集成电路设计有限公司、意法爱立信半导体(北京)有限公司、微软移动(中国)投资有限公司工作,2015年加入华芯投资管理有限责任公司,历任投资二部高级经理,战略发展部副总经理、总经理,投资四部总经理,投资四部兼投资三部总经理,现任业务三部总经理。2025年9月至今,任公司董事。