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拓荆科技

(688072)

  

流通市值:253.96亿  总市值:457.58亿
流通股本:1.55亿   总股本:2.80亿

拓荆科技(688072)公司资料

公司名称 拓荆科技股份有限公司
网上发行日期 2022年04月08日
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
注册资本(万元) 2797291180000
法人代表 刘静
董事会秘书 赵曦
公司简介 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。公司总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。目前公司生产能力可以满足生产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。
所属行业 半导体
所属地域 辽宁
所属板块 基金重仓-融资融券-中证500-沪股通-MSCI中国-半导体概念-中芯概念-专精特新-百元股
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
联系电话 024-24188000,024-24188000-8089
公司网站 www.piotech.cn
电子邮箱 ir@piotech.cn
 主营收入(万元) 收入比例主营成本(万元)成本比例
半导体设备263449.9897.39129714.5897.88
其他(补充)7047.422.612810.162.12

    拓荆科技最近3个月共有研究报告2篇,其中给予买入评级的为1篇,增持评级为1篇,中性评级为0篇,减持评级为0篇,卖出评级为0篇;  更多

发布时间 研究机构 分析师 评级内容 相关报告
2025-03-06 群益证券 朱吉翔增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 结论与建议: 公司发布股权激励计划,将70%的员授予127万股(占总股本0.45%)股票用于激励,同时行权目标较高,体现公司对于未来发展的信心。 同时,我们预计中国半导体设备产业并购有望在2025较大规模展开,目前芯源微已经发布停牌公告,而公司作为国内薄膜沉积设备龙头企业,在PECVD设备领域领先其他竞争对手,极具并购价值。公司目前股价对应2025、26年PE45倍和37倍,考虑到本土半导体设备企业并购浪潮即将来临,给予买进评级。 股权激励行权目标高:公司发布股权激励计划,将向包括董事长、管理层、核心技术人员在内的1072位核心员工(占全体员工70%)授予127万股(占总股本0.45%)股票用于激励,股票来源为此前回购股份。行权价格为90元/股,较目前股价折让49%。行权条件为2025年营收目标49.9亿元,同比增长21.7%,营收触发值是46亿元,净利润10.6亿元,同比增长54%,净利润触发值为9.9亿元;2026年营收目标60亿元较2024年增长46%,营收触发值是54亿元触发,净利润12.6亿元,较2024年增长83%,净利润触发值11.9亿元触发,整体增速预期较快,体现管理层对于公司快速发展的信心。 4Q24业绩高速成长,营收创新高:2024年公司实现营收41亿元,同比增52%,实现净利润6.9亿元,同比增4%,扣非后净利润3.6亿元,同比增14%。相应的,4Q24实现营收18.3亿元,同比增82%,环比增81%,创历史新高;实现净利润4.2亿元,同比增7%,环比增193%;扣非后净利润2.9亿元,同比增113%,环比增539%;得益于订单的持续增长,公司2024年累计出货超过1000个设备反应腔,创历史新高。 行业有望实现大规模并购,本土设备企业强强联合:得益于国产替代的推进,本土半导体设备企业近年来快速成长,涌现如北方华创这样的平台型企业。预计未来中国半导体设备厂商有望加大并购力度,复刻海外龙头跨域式增长的发展路径。涂胶显影的大厂沈阳芯源微已经公告将停牌筹划股权变更,预计更大范围的强强联合也将不断展开,公司作为国内薄膜沉积设备龙头企业,在PECVD设备领域领先其他竞争对手,极具并购价值。 盈利预测:预计公司2025、2026年净利润10.8亿元和13.3亿元,同比增长57%和23%,EPS分别为3.87元和4.76元,目前股价对应2025、26年PE45倍和37倍,给予买进评级。 风险提示:中国半导体制造投资需求急速下降。
2025-02-17 华源证券 葛星甫买入拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点: 拓荆科技是国内集成电路薄膜沉积设备国产替代的龙头,深耕于薄膜沉积设备和混合键合设备的研发和产业化应用。公司产品线形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜产品系列以及混合键合系列产品的全面布局。 业务持续扩张,收入高速增长。公司凭借其先进的技术储备和研发、丰富的客户资源以及高效售后服务的优势不断拓宽在薄膜沉积设备和混合键合设备的量产和业务规模,持续获得客户订单并建立与下游客户的稳定合作关系,公司产品销量大幅增长,实现业务规模和营收的高速增长。公司营收自2018年呈现高速增长态势,从0.71亿元增长至2023年27.05亿元营收,CAGR约为107.1%。2024年前三季度达到22.78亿元营收,同时根据公司业绩预告,全年公司营收预计实现40-42亿元,由此推算公司2024年Q4预计营收为17-19亿元,同比实现70%-90%增长,增长动能强劲。公司设备出货量实现逐年大幅增长,2024年出货超过1000个设备反应腔,突破历史新高。 产品研发场景持续迭代,产业化应用不断深化。公司不断突破核心技术发展,保持高水平的研发投入持续推进产品产业化和各产品系列迭代,2024年前三季度公司研发费用增至4.81亿元实现同比增长36%。2024年公司取得Flowable CVD设备、PECVDBianca工艺设备、PE-ALDSiN工艺设备、HDPCVDFSG、HDPCVDSTI工艺设备、键合套准精度量测设备等一系列新产品及新工艺的客户端导入验证,完成产业化应用,新型设备平台PF-300M、PF-300T Plus及新型反应腔Supra-DACHM、ONOStack等工艺设备收获客户重复订单和大批量出货,公司不断扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面,产品核心竞争力不断增加。 全球半导体产业持续扩张,大陆需求显著增长,利好公司需求端拓展。根据SEMI预测,未来半导体受惠于AI先进算力需求和成熟制程AIOT需求,2025年产能预计年增长率达6.6%,至每月3360万片晶圆。2025-2027年全球300mm晶圆厂设备投资预计达4000亿美元,其中Logic与Micro投资额展望1730亿美元,存储行业投资额达到1200亿美元以上。2024年全球半导体设备总销售额预计达1130亿美元,2025年和2026年预计可增长至1210亿美元和1390亿美元。中国大陆设备出货金额持续高增长,2018年预估131.1亿美元,约占全球645亿美元出货额的20.3%。到2023年,中国大陆设备出货额已经增至366亿美元,全球占比提升至34.4%。按照SEMI预计,2024中国大陆占全球出货额比重将拔高至43.4%,至490亿美元。2018~2024年,预计大陆出货金额CAGR达到24.6%,显著高于全球设备出货金额增长速度(9.8%)。受益于下游晶圆制造厂对半导体设备需求的快速增长以及国内半导体设备的国产替代需求,国内的半导体设备厂商有较大空间推动业务规模扩大和营收增长。拓荆科技作为国内薄膜沉积设备以及混合键合设备的领军者,有望持续提升产品性能,紧跟客户研发节奏,完善公司产品在薄膜沉积设备的覆盖面和混合键合设备布局。公司持续推动PECVD、ALD、沟槽填充薄膜和混合键合系列产品及工艺的产业化应用,进一步提高产品先进性,服务客户需求优化升级,促进自身业务的持续高速增长。 盈利预测与评级:我们预计公司2024-2026年归母净利润分别为5.56/10.29/14.87亿元,同比增速分别为-16.02%/84.99%/44.47%,当前股价对应的PE分别为79.06/42.74/29.58倍。我们选取北方华创/中微公司/盛美上海/华海清科/中科飞测为可比公司,可比公司2024年平均估值为121.9倍,鉴于公司在集成电路制造薄膜沉积领域的龙头地位,卓越的产品开发能力和收入的持续成长性,首次覆盖,给予“买入”评级。 风险提示。下游客户扩产不及预期;行业竞争加剧;新品研制及客户推广不及预期;地缘因素不确定性;
2024-11-05 华金证券 孙远峰,...增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 投资要点 2024年10月28日,公司发布2024年第三季度报告。 24Q3营收创历史新高,新产品/新工艺机台取得突破进展 受益于持续高强度的研发投入,公司新产品及新工艺机台在客户端验证取得突破性进展,PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等系列产品量产规模不断扩大。公司多款基于新型设备平台(PF-300M和PF-300TPlus)及新型反应腔(Supra-D)开发的工艺设备实现收入确认。 24Q3公司实现营收10.11亿元,同比增长44.67%,环比增长27.14%,创历史新高。归母净利润1.42亿元,同比减少2.91%,环比增长19.87%;扣非归母净利润0.46亿元,同比减少58.79%,环比减少29.05%,其中非经常性损益同比增长较大,主要系公司持有珂玛科技的股票价格上涨形成公允价值变动收益0.72亿元。毛利率39.27%,同比减少12.40个百分点,环比减少7.62个百分点。毛利率阶段性下降主要由于新产品及新工艺的收入占比大幅度增加,新产品及新工艺在客户验证过程成本相对较高。 全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,多款新品量产规模持续扩大 公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列及混合键合设备产品系列均已在客户端实现产业化应用,量产规模逐步扩大,其设备性能和产能均达到国际领先水平。 PECVD:公司PECVD设备已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料和先进介质薄膜材料均已实现产业化应用。两款新型设备平台(PF-300TPlus和PF-300M)和两款新型反应腔(pX和Supra-D)持续获得客户订单并出货至多个客户端。两款新型设备平台机械产能可提高约20%至60%,新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标,包括薄膜均匀性、颗粒度等指标,可满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。 ALD:公司PE-ALD高温、低温SiO2、SiN等薄膜均已实现产业化应用,并持续获得客户订单、出货至客户端验证。Thermal-ALD设备持续获得订单并出货至客户端验证,已通过验证的Thermal-ALD(TS-300Altair)设备再次获得重复订单。此外,公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺,持续扩大薄膜材料覆盖面,并积极推进客户端的验证,整体进展顺利。 SACVD:公司可实现SATEOS、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的应用规模进一步提升。 HDPCVD:公司HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化;截至2024年8月,HDPCVD反应腔累计出货量达70个,并持续扩大量产规模。 超高深宽比沟槽填充CVD:首台产品通过客户验证,实现产业化应用,并获得客户重复订单及不同客户订单。截至2024年8月,与该设备相关的反应腔累计出货超15个。 混合键合:晶圆对晶圆键合产品Dione300及芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus均实现产业化,性能表现优异。两款产品均获得客户量产重复订单。键合套准精度量测产品Crux300也已获得客户订单。 投资建议:鉴于公司新产品/新工艺机台所需验证时间较长,且验证过程成本相对较高,我们调整此前对公司的业绩预测。预计2024年至2026年,公司营收分别为38.70/52.50/66.15亿元(24/25年原先预测值为39.24/53.07亿元),增速分别为43.1%/35.6%/26.0%;归母净利润分别为5.70/9.30/12.87亿元(24/25年原先预测值为8.28/10.90亿元),增速分别为-13.9%/63.0%/38.4%;PE分别为81.9/50.3/36.3。公司现已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,ALD、SACVD等多款新品量产规模持续扩大,混合键合设备显著受益先进封装技术快速发展。持续推荐,维持“增持-A”评级。 风险提示:新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险,市场竞争加剧风险,晶圆厂产能扩充进度不及预期的风险,系统性风险等。
2024-11-04 国信证券 胡剑,胡...增持拓荆科技(6880...
拓荆科技(688072) 核心观点 前三季度营收同比增长33.79%,归母净利润同比增长0.1%。公司发布2024年三季度报告,前三季度实现营收22.78亿元(YoY+33.79%),归母净利润2.71亿元(YoY+0.10%)。其中,第三季度实现营收10.11亿元(YoY+44.67%,QoQ+27.14%),归母净利润1.42亿元(YoY-2.74%,QoQ+19.87%)。第三季度公司多款基于新型设备平台(PF-300M和PF-300T Plus)及新型反应腔(Supra-D)开发的工艺设备实现收入确认,推动公司第三季度收入环比高增。 新产品与新工艺加速验证,毛利率阶段性下滑。前三季度公司毛利率为43.59%(YoY-6.75pp),净利率为11.41%(YoY-4.42pp)。其中,第三季度公司毛利率达到39.27%(QoQ-7.62pp),净利率为13.61%(QoQ-0.8pp)。公司前三季度毛利率降幅较大,主要因新产品与新工艺的收入占比大幅增加,而新产品与新工艺的客户端验证需要投入较高成本,因此导致前三季度毛利率阶段性下滑。非经常性损益方面,前三季度政府补助收益为1.25亿元(YoY+23.22%),第三季度受益于公司持有的珂玛科技股票价格上涨,形成公允价值变动收益0.72亿元。截止9月末,公司合同负债余额约25.12亿元(QoQ+23.26%),存货约70.77亿元,主要系发出商品增加,前三季度公司出货金额同比增长超160%。 持续增加研发投入,新工艺机台取得突破性进展。公司在1-9月投入研发费用4.81亿元(YoY+35.75%),新产品及新工艺机台,如超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVDBianca工艺设备、键合套准精度量测设备等,在客户端验证取得突破性进展。同时,在ALD领域,公司集中研发氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等六类薄膜设备。此外,公司原有PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等设备,伴随客户持续下单,量产规模持续增长。 投资建议:国产半导体薄膜沉积设备龙头,维持“优于大市”评级。公司作为国内半导体薄膜沉积设备龙头之一,新产品与新工艺机台有望逐步量产出货,而新机台的加速验证将增加成本与费用,导致短期盈利能力承压,我们下调公司盈利预测,预计2024-2026年营业收入38.09/51.70/66.35亿元(前值41.97/54.57/68.76亿元),归母净利润5.52/9.16/12.30亿元(前值8.63/11.94/15.73亿元),当前股价对应PE分别为78.2/47.1/35.1倍,维持“优于大市”评级。 风险提示:下游晶圆制造产能扩充不及预期风险,新产品开发不及预期风险,国际关系波动和地缘政治风险等。
高管姓名 职务 年薪(万元) 持股数(万股) 简历
吕光泉董事长,董事 463.19 74 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
吕光泉董事长,非独立... 397.42 109.5 点击浏览
吕光泉,男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。
刘静总经理,法定代... 220.36 -- 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具备中国注册会计师资格,具有高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司总经理。
刘静总经理,法定代... 174.52 12.05 点击浏览
刘静,女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。1993年5月至2010年4月,先后任职于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。
孙丽杰副总经理 129.83 -- 点击浏览
孙丽杰,女,1968年出生,北京航空航天大学学士,东北大学工商管理硕士(EMBA),高级经济师。1992年12月至2009年9月,先后任职于辽宁经济技术交流馆、辽宁展览贸易集团有限公司、沈阳芯源微电子设备有限公司,历任总经理助理、行政总监等职。2010年4月至今就职于公司,现任公司副总经理。
宁建平副总经理 177.68 3.833 点击浏览
宁建平,女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。2010年7月开始任职于公司,历任工艺工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。
牛新平副总经理 -- 3.286 点击浏览
牛新平,男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士。2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。2020年10月至今任职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。
许龙旭副总经理 -- 3.943 点击浏览
许龙旭,男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。2005年7月至2016年6月,先后任职于乐金电子(沈阳)有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。2016年9月至今任职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。
齐雷董事 0 -- 点击浏览
齐雷,男,1979年出生,中国人民解放军信息工程大学硕士。2004年8月至2009年9月,就职于中国人民解放军战略支援部队某部,担任助理研究员职务;2009年10月至2016年11月,就职于中国国投高新产业投资有限公司,历任投资经理、高级投资经理职务;2016年12月至今,就职于国投创业投资管理有限公司,担任投资总监、执行董事、董事总经理职务。2017年9月至今,任公司董事。
赵曦副总经理,董事... 126.37 6.429 点击浏览
赵曦,女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘书资格(主板、科创板)、法律职业资格、(准)保荐代表人资格。2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。2019年12月至今任职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。

公告日期 交易标的 交易金额(万元) 最新进展
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司2500.00实施中
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司375.00实施中
2024-12-31深圳冠华半导体有限公司2500.00实施中
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